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TPS51916 器件以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 內存系統提供完整的電源。它集成了同步降壓穩壓控制器（VDDQ），具有 2A 灌電流和 2A 源跟蹤 LDO （VTT）和緩沖低噪聲基準（VTTREF）。
*附件：tps51916.pdf

該器件采用 D-CAP? 模式與 300 kHz 或 400 kHz 頻率耦合，以實現易用性和快速瞬態響應，或采用 D-CAP2? 模式與更高的 500 kHz 或 670 kHz 頻率耦合，以支持陶瓷輸出電容器，而無需外部補償電路。VTTREF 以 0.8% 的出色精度跟蹤 VDDQ/2。VTT 提供 2A 灌電流和 2A 拉電流峰值電流能力，僅需要 10μF 的陶瓷電容。提供專用的 LDO 電源輸入。

該器件還提供出色的電源性能。它支持靈活的電源狀態控制，在 S3 中將 VTT 置于高阻態，并在 S4 或 S5 狀態下對 VDDQ、VTT 和 VTTREF（軟關斷）放電。具有低側 MOSFET R 的可編程 OCL ~~DS（開）~~ 還提供傳感、OVP、UVP、UVLO 和熱關斷保護。

特性

同步降壓控制器（VDDQ）
- 轉換電壓范圍：3 V 至 28 V
- 輸出電壓范圍：0.7 V 至 1.8 V
- 0.8% 電壓裁判準確性
- 可選控制架構
  - 用于快速瞬態響應的 D-CAP? 模式
  - 用于陶瓷輸出電容器的 D-CAP2? 模式
- 可選 300 kHz、400 kHz、500 kHz 或 670 kHz 開關頻率
- 通過自動跳過功能優化輕負載和重負載的效率
- 支持 S4 和 S5 狀態下的軟關閉
- OCL/OVP/UVP/UVLO 保護
- Powergood 輸出
2A LDO（VTT）、緩沖基準（VTTREF）
- 2A（峰值）灌電流和拉電流
- 緩沖、低噪聲、10mA VTTREF 輸出
- 0.8% VTTREF，20mV VTT 精度
- 支持高阻態（S3）和軟關斷（S4、S5）
熱關斷
20 引腳、3 mm × 3 mm QFN 封裝
創建 WEBENCH 設計

參數

1. 產品概述

?類型?：同步降壓控制器（Synchronous Buck Controller）與LDO（Low Dropout Regulator）組合
?應用?：DDR2、DDR3、DDR3L及DDR4內存電源解決方案
?主要特性?：
- 同步降壓控制器（VDDQ）：轉換電壓范圍3V至28V，輸出電壓范圍0.7V至1.8V
- 2A LDO（VTT）：用于提供穩定的參考電壓VTTREF
- 可選控制架構：D-CAP?和D-CAP2?模式，支持快速瞬態響應
- 可選開關頻率：300kHz、400kHz、500kHz或670kHz
- 過流保護（OCL）、過壓保護（OVP）、欠壓保護（UVP）及欠壓鎖定（UVLO）
- 熱關斷保護
- 20引腳3mm x 3mm QFN封裝

2. 功能描述

?VDDQ同步降壓控制器?：
- 支持D-CAP?和D-CAP2?兩種控制模式，無需復雜外部補償網絡
- 集成軟啟動功能，抑制啟動時的浪涌電流
- Powergood輸出，指示VDDQ電壓是否在目標范圍內
?VTT和VTTREF LDO?：
- VTTREF跟蹤VDDQ/2，精度±1%
- VTT提供2A的源和匯電流能力，僅需10μF陶瓷電容
?電源狀態控制?：
- 通過S3和S5引腳控制電源狀態，支持S0（全開）、S3（待機至RAM）、S4/S5（軟關閉）
?放電控制?：
- 在S4/S5狀態下，支持跟蹤放電和非跟蹤放電模式