TPS51216 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內存系統提供完整的電源。它將同步降壓穩壓控制器 (VDDQ) 與 2A 灌/拉跟蹤 LDO (VTT) 和緩沖低噪聲參考 (VTTREF) 集成在一起。該TPS51216采用 D-CAP? 模式與 300 kHz/400 kHz 頻率耦合,易于使用且瞬態響應快速。VTTREF 以 0.8% 的出色精度跟蹤 VDDQ/2。VTT 提供 2A 灌電流/拉電流峰值能力,只需要 10μF 的陶瓷電容。此外,還提供專用的 LDO 電源輸入。
*附件:tps51216.pdf
TPS51216 提供豐富的實用功能以及出色的電源性能。它支持靈活的電源狀態控制,在 S3 中將 VTT 置于高阻態,并在 S4/S5 狀態下對 VDDQ、VTT 和 VTTREF(軟關閉)放電。具有低側 MOSFET R 的可編程 OCL DS(開) 還提供傳感、OVP/UVP/UVLO 和熱關斷保護。
TPS51216 采用 20 引腳、3 mm × 3 mm QFN 封裝,額定環境溫度為 –40°C 至 85°C。
特性
- 同步降壓控制器 (VDDQ)
- 轉換電壓范圍:3 V 至 28 V
- 輸出電壓范圍:0.7 V 至 1.8 V
- 0.8% 電壓
裁判準確性 - 用于快速瞬態響應的 D-CAP? 模式
- 可選 300 kHz/400 kHz 開關頻率
- 通過自動跳過功能優化輕負載和重負載的效率
- 支持 S4/S5 狀態下的軟關斷
- OCL/OVP/UVP/UVLO 保護
- Powergood 輸出
- 2A LDO(VTT)、緩沖基準 (VTTREF)
- 2A(峰值)灌電流和拉電流
- 僅需 10μF 的陶瓷輸出電容
- 緩沖、低噪聲、10mA VTTREF 輸出
- 0.8% VTTREF,20mV VTT 精度
- 在 S3 中支持 High-Z,在 S4/S5 中支持 Soft-Off
- 熱關斷
- 20 引腳、3 mm × 3 mm QFN 封裝
- 應用
- DDR2/DDR3/DDR3L 內存電源
- SSTL_18、SSTL_15、SSTL_135 和 HSTL 端接
參數
方框圖
1. 產品概述
- ?型號?:TPS51216
- ?類型?:同步降壓控制器
- ?應用?:DDR2、DDR3及DDR3L內存系統
- ?特點?:集成同步降壓調節器控制器、2A LDO、緩沖參考電壓,提供完整的內存電源解決方案
2. 主要特性
- ?轉換電壓范圍?:3V至28V
- ?輸出電壓范圍?:0.7V至1.8V
- ?工作頻率?:300kHz/400kHz可選
- ?控制模式?:D-CAP?模式,快速瞬態響應
- ?保護功能?:過流保護(OCL)、過壓保護(OVP)、欠壓保護(UVP)、欠壓鎖定(UVLO)、熱關斷
- ?電源狀態控制?:通過S3和S5引腳實現簡單電源狀態控制
- ?軟啟動功能?:集成VDDQ軟啟動功能,抑制啟動時的浪涌電流
- ?功率好信號?:PGOOD開漏輸出,指示VDDQ電壓是否在目標范圍內
3. 電氣特性
- ?VREF輸出?:1.8V,±0.8%準確度
- ?VTTREF輸出?:跟蹤VDDQ/2,±1%準確度
- ?VTT輸出?:2A峰值源/匯電流能力,±40mV調節精度
- ?軟啟動時間?:典型值為700μs
- ?PGOOD延遲時間?:斷言延遲1ms,否定延遲330ns
4. 功能描述
- ?VDDQ開關模式電源控制?:采用D-CAP?模式,實現偽恒定頻率和快速瞬態響應
- ?VTT和VTTREF?:集成兩個高性能、低dropout線性調節器,提供完整的內存電源解決方案
- ?過壓和欠壓保護?:設置OVP和UVP閾值,保護電路免受電壓異常影響
- ?過流保護?:周期性過流限制保護,防止負載電流過大
- ?熱關斷?:內部溫度監控,超過閾值(典型值為140°C)時關斷輸出
5. 應用信息
- ?設計要求?:包括VDDQ輸出電壓和電流、VTT輸出電壓和電流等
- ?詳細設計步驟?:確定分壓電阻、選擇電感、選擇輸出電容等
- ?布局指南?:強調最小化高電流環路面積、敏感信號遠離噪聲源等
6. 封裝與尺寸
- ?封裝類型?:20引腳,3mm x 3mm QFN封裝
- ?尺寸?:3mm x 3mm
7. 訂購信息
- ?訂貨號?:TPS51216RUKR(帶卷和帶)
- ?工作溫度范圍?:-40°C至85°C
8. 其他信息
- ?環保聲明?:符合RoHS標準
- ?安全警告?:處理時需采取適當的靜電放電(ESD)防護措施
以上是TPS51216同步降壓控制器的總結,涵蓋了其主要特性、電氣特性、功能描述、應用信息、封裝與尺寸、訂購信息以及其他相關信息。
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