TPS51216-EP 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內存系統提供完整的電源。它將同步降壓穩壓控制器 （VDDQ） 與 2A 灌/拉跟蹤 LDO （VTT） 和緩沖低噪聲參考 （VTTREF） 集成在一起。TPS51216-EP 采用 D-CAP? 模式與 300 kHz/400 kHz 頻率耦合，易于使用且瞬態響應快速。VTTREF 以 0.8% 的出色精度跟蹤 VDDQ/2。VTT 提供 2A 灌電流/拉電流峰值能力，只需要 10μF 的陶瓷電容。此外，還提供專用的 LDO 電源輸入。
*附件：tps51216-ep.pdf

TPS51216-EP 提供豐富的有用功能以及出色的電源性能。它支持靈活的電源狀態控制，在 S3 中將 VTT 置于高阻態，并在 S4/S5 狀態下對 VDDQ、VTT 和 VTTREF（軟關斷）放電。

特性

• 同步降壓控制器 （VDDQ）
  • 轉換電壓范圍：3 至 28 V
  • 輸出電壓范圍：0.7 至 1.8 V
  • 0.8% 電壓裁判準確性
  • D-CAP? 模式，用于快速瞬態響應
  • 可選 300kHz/400kHz 開關頻率
  • 通過自動跳過功能優化輕負載和重負載的效率
  • 支持 S4/S5 狀態下的軟關閉
  • OCL/OVP/UVP/UVLO 保護
  • Powergood 輸出
• 2A LDO （VTT），緩沖基準 （VTTREF）
  • 2A（峰值）灌電流和拉電流
  • 僅需 10μF 的陶瓷輸出電容
  • 緩沖、低噪聲、10mA VTTREF 輸出
  • 0.8% VTTREF，20mV VTT 精度
  • 在 S3 中支持高阻態，在 S4/S5 中支持軟關閉
• 熱關斷
• 20 引腳、3 mm × 3 mm、WQFN 封裝
• 支持國防、航空航天和醫療應用
  • 受控基線
  • 一個裝配/測試站點
  • 一個制造現場
  • 適用于軍用（–55°C 至 125°C）溫度范圍^(1)^
  • 延長產品生命周期
  • 延長了產品變更通知
  • 產品可追溯性

參數

方框圖

1. 產品概述

• ?產品名稱?：TPS51216-EP
• ?類型?：同步降壓控制器（VDDQ）與2A LDO（VTT），集成緩沖參考（VTTREF）
• ?應用?：DDR2、DDR3、DDR3L內存電源解決方案

2. 主要特性

• ? 同步降壓控制器（VDDQ） ?
  • 轉換電壓范圍：3至28V
  • 輸出電壓范圍：0.7至1.8V
  • 0.8% VREF準確性
  • D-CAP?模式，快速瞬態響應
  • 可選300kHz/400kHz開關頻率
  • 輕載和重載下的優化效率，具有自動跳過功能
• ? 2A LDO（VTT） ?
  • 2A（峰值）匯流和源電流
  • 僅需10μF陶瓷輸出電容
  • 緩沖、低噪聲、10mA VTTREF輸出
  • 0.8% VTTREF，20mV VTT準確性
• ?其他特性?
  • 支持S3狀態下的高阻態（VTT）和S4/S5狀態下的軟關閉（VDDQ、VTT、VTTREF）
  • 過流限制（OCL）、過壓保護（OVP）、欠壓保護（UVP）、欠壓鎖定（UVLO）
  • 熱關斷保護
  • 20引腳，3mm × 3mm WQFN封裝
  • 支持國防、航空和醫療應用

3. 應用領域

• DDR2/DDR3/DDR3L內存電源供應
• SSTL_18, SSTL_15, SSTL_135, 和HSTL終止

4. 封裝與尺寸

• ?封裝類型?：20引腳，3mm × 3mm WQFN

5. 電氣特性

• ?VDDQ SMPS?
  • 軟啟動時間：內部軟啟動時間，CVREF = 0.1μF時約為1.1ms
  • PGOOD閾值：VDDQ PGOOD閾值為±8%（典型值）
  • 過流保護：可編程OCL，具有低側MOSFET RDS(on)感測
• ?VTT LDO?
  • 輸出電壓范圍：0.7至1.8V（跟蹤VDDQ/2）
  • 負載調節：±20mV（最大）
  • 線性調節：±1%
  • 峰值源/匯電流：2A
• ?VTTREF?
  • 輸出電壓：VDDQSNS/2，準確性±1%
  • 源/匯電流限制：±10mA（典型值）

6. 功能框圖與詳細描述

• 提供了功能框圖，展示了設備的主要組成部分和信號流。
• 詳細描述了設備的功能特性，包括VDDQ SMPS控制、VREF和REFIN、軟啟動和Powergood、電源狀態控制、放電控制、VTT過流保護、V5IN欠壓鎖定保護、熱關斷保護等。

7. 應用與實現

• 提供了典型應用電路圖，包括DDR3、400kHz應用電路。
• 討論了設計要求和詳細設計過程，包括外部組件選擇、電感選擇、輸出電容選擇等。
• 提供了應用曲線，展示了輸出紋波、負載瞬態響應、啟動波形等。

8. 布局指南

• 提供了布局布線指南，以確保設備的最佳性能和可靠性。
• 強調了關鍵信號和組件的布局要求，包括輸入電容、輸出電容、MOSFET、反饋路徑等。

9. 設備與文檔支持

• 提供了設備支持信息，包括如何獲取技術支持和文檔更新通知。
• 提供了相關的社區資源鏈接和商標信息。

10. 機械、封裝和可訂購信息

• 提供了設備的機械尺寸、封裝類型和可訂購信息。

TPS51216-EP是一款高度集成的電源管理解決方案，專為DDR2、DDR3、DDR3L內存系統設計，提供了同步降壓控制器、LDO和緩沖參考輸出，具有多種保護功能和高效能特點。