TPS51716為 DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 提供完整的電源 以最低的總成本和最小空間實現(xiàn)內(nèi)存系統(tǒng)。它集成了一個同步降壓 具有 2A 灌電流/拉電流跟蹤 LDO （VTT） 和緩沖低噪聲的穩(wěn)壓控制器 （VDDQ） 參考 （VTTREF）。TPS51716采用 D-CAP2 模式，耦合 500 kHz 或 670 kHz 工作頻率，支持無 外部補償電路。VTTREF 以 0.8% 的出色精度跟蹤 VDDQ/2。The VTT, 提供 2A 灌電流/拉電流峰值能力，僅需 10μF 陶瓷 電容。此外，該器件還具有專用的 LDO 電源輸入。
*附件：tps51716.pdf

TPS51716 提供豐富、有用的功能以及出色的電源 性能。它支持靈活的電源狀態(tài)控制，在 S3 中將 VTT 置于高阻態(tài)并放電 S4/S5 狀態(tài)下的 VDDQ、VTT 和 VTTREF（軟關(guān)閉）。它包括具有低側(cè) MOSFET 的可編程 OCL R DS（開） 傳感、OVP/UVP/UVLO 和熱關(guān)斷保護(hù)。

TI 提供采用 20 引腳、3 mm × 3 mm WQFN 封裝的 TPS51716，并指定其 環(huán)境溫度范圍在 –40°C 至 85°C 之間。

特性

• 同步降壓控制器 （VDDQ）
  • 轉(zhuǎn)換電壓范圍：3 至 28 V
  • 輸出電壓范圍：0.7 至 1.8 V
  • 0.8% 電壓裁判準(zhǔn)確性
  • 用于陶瓷輸出電容器的 D-CAP2? 模式
  • 可選 500kHz/670kHz 開關(guān)頻率
  • 通過自動跳過功能優(yōu)化輕負(fù)載和重負(fù)載的效率
  • 支持 S4/S5 狀態(tài)下的軟關(guān)斷
  • OCL/OVP/UVP/UVLO 保護(hù)
  • Powergood 輸出
• 2A LDO （VTT）、緩沖基準(zhǔn) （VTTREF）
  • 2A（峰值）灌電流和拉電流
  • 僅需 10μF 的陶瓷輸出電容
  • 緩沖、低噪聲、10mA VTTREF 輸出
  • 0.8% VTTREF，20mV VTT 精度
  • 在 S3 中支持 High-Z，在 S4/S5 中支持 Soft-Off
• 熱關(guān)斷
• 20 引腳、3 mm × 3 mm、WQFN 封裝

參數(shù)

方框圖

1. 概述

TPS51716 是一款集成了同步降壓控制器（VDDQ）、2A 低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO, VTT）和緩沖低噪聲參考電壓（VTTREF）的完整 DDR 內(nèi)存電源解決方案。它專為 DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)而設(shè)計，提供低成本、小尺寸的高效電源管理。

2. 主要特點

• ? 同步降壓控制器（VDDQ） ?：
  • 輸出電壓范圍：0.7V 至 1.8V
  • 轉(zhuǎn)換電壓范圍：3V 至 28V
  • 0.8% VREF 準(zhǔn)確度
  • 可選 500kHz/670kHz 開關(guān)頻率
  • D-CAP2? 模式支持陶瓷輸出電容
  • 自動跳過功能優(yōu)化輕載和重載效率
• ? 2A LDO（VTT） ?：
  • 2A 峰值源/匯電流能力
  • 僅需 10μF 陶瓷輸出電容
  • 緩沖、低噪聲 10mA VTTREF 輸出
  • 0.8% VTTREF 準(zhǔn)確度，20mV VTT 準(zhǔn)確度
• ?其他功能?：
  • 20 引腳，3mm × 3mm WQFN 封裝
  • Powergood 輸出
  • 過流保護(hù)（OCL）、過壓保護(hù)（OVP）、欠壓保護(hù)（UVP）和欠壓鎖定（UVLO）
  • 熱關(guān)斷保護(hù)
  • 支持 S3、S4/S5 電源狀態(tài)控制

3. 應(yīng)用

• DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 內(nèi)存電源供應(yīng)
• SSTL_18、SSTL_15、SSTL_135 和 HSTL 終端供電

4. 功能描述

• ?VDDQ 同步降壓控制器?：采用 D-CAP2 模式，無需外部補償電路，支持陶瓷輸出電容。通過 MODE 引腳配置開關(guān)頻率、控制模式和放電模式。
• ?VTT LDO?：快速響應(yīng) VTTREF，在所有條件下保持 ±40mV 內(nèi)的跟蹤。提供源/匯電流能力，確保內(nèi)存系統(tǒng)的穩(wěn)定供電。
• ?VTTREF 緩沖參考電壓?：跟蹤 VDDQ/2，具有 0.8% 的準(zhǔn)確度，為 VTT LDO 提供穩(wěn)定的參考電壓。
• ?電源狀態(tài)控制?：通過 S3 和 S5 引腳控制電源狀態(tài)，支持 S0（全開）、S3（掛起到 RAM）、S4/S5（掛起到磁盤/軟關(guān)閉）狀態(tài)。

5. 電氣特性

• 工作溫度范圍：-40°C 至 85°C
• VDDQ 輸出電壓準(zhǔn)確度：±0.8%
• VTTREF 輸出電壓準(zhǔn)確度：±1%
• 轉(zhuǎn)換效率：在輕載和重載條件下均表現(xiàn)出優(yōu)異的效率

6. 封裝與尺寸

• 封裝類型：20 引腳，3mm × 3mm WQFN
• 尺寸：具體尺寸未在文檔中明確給出，但提供了封裝類型和引腳數(shù)。

7. 布局與散熱

• ?布局指南?：建議將電感器和輸出電容放置在靠近 IC 的位置，以最小化環(huán)路面積和降低噪聲。
• ?散熱?：通過適當(dāng)?shù)?PCB 布局和散熱設(shè)計，確保 IC 在工作時的溫度不超過最大結(jié)溫限制。

8. 文檔支持

• 提供詳細(xì)的數(shù)據(jù)手冊、應(yīng)用指南和設(shè)計支持工具。
• 可通過 TI 的官方文檔和支持資源獲取更多信息。

9. 注意事項

• 在設(shè)計電路時，應(yīng)確保所有電氣參數(shù)均在器件的推薦操作條件范圍內(nèi)。
• 注意靜電放電保護(hù)，避免損壞器件。
• 在實際應(yīng)用中，應(yīng)根據(jù)具體需求選擇合適的外部組件，如電感器、電容器和 MOSFET 等。