TPS59116 為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18 和 DDR3 內存提供完整的電源 系統。它將同步降壓控制器與 3A 灌電流/拉電流跟蹤線性穩壓器和緩沖低噪聲基準集成在一起。TPS59116 在空間 非常昂貴。TPS59116 同步控制器運行固定的 400kHz 偽恒定頻率 PWM,具有自適應導通時間控制,該控制可配置為 D-CAP? 模式以實現易用性和最快的瞬態響應,或在電流模式下配置為支持陶瓷輸出電容器。3A 灌電流/拉電流 LDO 可保持快速瞬態響應,只需要 20μF(2 × 10μF)的陶瓷輸出電容。此外,LDO 電源輸入可從外部獲得,以顯著降低總功率損耗。TPS59116 支持所有睡眠狀態控制,在 S3 中將 VTT 置于高阻態(掛起到 RAM),并在 S4/S5 中放電 VDDQ、VTT 和 VTTREF(軟關閉)(掛起到磁盤)。TPS59116 具有包括熱關斷在內的所有保護功能,并采用 20 引腳 HTSSOP PowerPAD? 封裝和 24 引腳 4×4 QFN 封裝。
*附件:tps59116.pdf
特性
- 同步降壓控制器 (VDDQ)
- 寬輸入電壓范圍:3.0V 至 28V
- 具有 100ns 負載階躍響應的 D-CAP? 模式
- 電流模式選項支持陶瓷輸出電容器
- 支持 S4/S5 狀態下的軟關斷
- 來自 R 的電流感應
DS(開)或 Resistor - 2.5V (DDR)、1.8V (DDR2),可調至 1.5V (DDR3) 或
輸出范圍 0.75V 至 3.0V - 配備 Powergood、過壓保護和
欠壓保護
- 3A LDO (VTT)、緩沖基準 (VREF)
- 能夠吸收和拉出 3 A 電流
- LDO 輸入可用于優化功率損耗
- 需要小型 20μF 陶瓷輸出電容器
- 緩沖低噪聲 10mA VREF 輸出
- VREF 和 VTT 的精度 ±20 mV
- 支持 S3 中的高阻態和 S4/S5 中的軟關斷
- 熱關斷
- 應用
- 嵌入式計算系統中的 DDR/DDR2/DDR3/LPDDR3 內存電源
- SSTL-2、SSTL-18 和 HSTL 端接
參數
1. 產品概述
- ?類型?:集成電源管理解決方案
- ?應用?:DDR/DDR2/DDR3內存電源系統
- ?特點?:
- 同步降壓控制器(VDDQ)
- 3A低壓差線性穩壓器(LDO,VTT)
- 緩沖參考電壓輸出(VREF)
- 支持陶瓷輸出電容器
- D-CAP?模式和電流模式操作
- 電源良好、過壓和欠壓保護
- 熱關斷保護
2. 功能特性
- ?VDDQ同步降壓控制器?:
- 寬輸入電壓范圍:3.0V至28V
- 固定400kHz偽恒定頻率PWM
- 自適應導通時間控制
- 支持D-CAP?模式和電流模式
- 可調輸出范圍:0.75V至3.0V(DDR3)或預設2.5V/1.8V(DDR/DDR2)
- ?VTT LDO?:
- 可源/沉3A峰值電流
- 快速瞬態響應
- 僅需20μF陶瓷輸出電容
- VTTREF跟蹤VDDQ/2,誤差±1%
- ?VREF緩沖參考?:
- 10mA輸出電流
- 輸出電壓0.9V,精度±20mV
- ?其他特性?:
- S3/S4/S5睡眠狀態控制
- VDDQ、VTT和VTTREF軟關閉
- 過流、過壓和欠壓保護
- 熱關斷保護
3. 電氣特性
- ?VDDQ輸出?:
- 可調模式:0.75V至3.0V
- 預設模式:2.5V或1.8V
- 負載調整率:±0.4%
- 線性調整率:±0.5%
- ?VTT輸出?:
- 跟蹤VDDQ/2,誤差±20mV(無負載)
- 負載調整率:±0.4%(滿載)
- ?VREF輸出?:
- 電壓0.9V,精度±20mV
- ?效率?:高達90%(取決于負載和輸入電壓)
4. 熱特性
- ?熱阻?:θJA = 39.6°C/W(典型值,基于6.5mm×3.4mm熱地)
5. 封裝與尺寸
- ?封裝類型?:24引腳4mm×4mm QFN
6. 應用信息
7. 開發支持
- ?技術文檔?:提供數據手冊、應用電路、布局指南等
- ?社區資源?:鏈接到TI的E2E在線社區,提供設計支持和問題解決
8. 訂購信息
- ?封裝選項?:QFN RGE,提供3000單位和250單位包裝選項
- ?環境信息?:符合RoHS和Green標準
9. 注意事項
- 在設計時應確保所有元件的電壓和電流額定值在絕對最大額定值之內
- 布局時應遵循推薦的布局指南,以減少噪聲和提高效率
- 在使用前,請仔細閱讀數據手冊中的安全和使用指南
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