電子發燒友網站提供《具有集成驅動器的 650V 120m? GaN FET LMG3612數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-21 10:20:58
0 電子發燒友網站提供《具有集成驅動器的650V 270m? GaN FETLMG3616數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-21 10:19:400 英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，無疑為功率系統和能量轉換領域帶來了革命性的進步。與上一代產品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36
126 英飛凌科技股份公司，作為全球領先的半導體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創新產品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設計人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:29117 聚焦高性能模擬芯片和嵌入式處理器的半導體供應商思瑞浦3PEAK（股票代碼：688536）正式宣布，推出全新高壓Buck—TPP0003X系列產品。
2024-03-18 13:50:31185 
近日，國內半導體功率器件領軍企業揚州揚杰電子科技股份有限公司（以下簡稱“揚杰科技”）再度刷新業界認知，推出了一款專為光伏儲能充電樁等高頻應用而設計的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產品
2024-03-16 10:48:19558 業界領先的半導體器件供應商兆易創新GigaDevice(股票代碼603986)宣布，正式推出基于ArmCortex-M33內核的GD32F5系列高性能微控制器，全面適配于能源電力、光伏儲能、工業
2024-03-16 08:22:4177 
本次推出的產品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管；
2024-03-15 14:26:07187 
近日，備受矚目的半導體供應商思瑞浦3PEAK正式推出了一款全新的3.3V供電、帶故障保護功能的高速CAN收發器——TPT133X系列產品。這一創新產品的發布，標志著思瑞浦3PEAK在高性能模擬芯片和嵌入式處理器領域的技術實力再次得到市場認可。
2024-03-14 11:12:44209 瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產品，這些產品不僅通過了嚴格的車規級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified），還具備業界領先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標志著瞻芯電子在半導體技術領域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 潮，令800V平臺、SiC電驅開始打進20萬內的市場，SiC也進一步能夠加速在市場上普及。 ? 最近兩家國內廠商又有多款SiC MOSFET產品通過了車規級認證，這將繼續推動SiC功率器件量產上車。 ? 瞻芯電子 ? 瞻芯電子3月8日宣布，由公司開發的三款第二代650V SiC MOSFET產
2024-03-13 01:17:002631 
650V 高壓 MOSFET 和高壓啟動電路
?優化輕載噪音、提升系統抗干擾能力
?多模式控制、無異音工作
?支持降壓和升降壓拓撲
?默認 12V 輸出 (FB 腳懸空)
?待機功耗 <
2024-03-12 14:25:14
近日，瞻芯電子宣布其研發的三款第二代650V SiC MOSFET產品成功通過了嚴格的AEC-Q101車規級可靠性認證，這一里程碑式的成就標志著瞻芯電子在功率電子領域的持續創新與技術突破。
2024-03-12 11:04:24260 近日，全球知名半導體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）宣布，其650V GaN器件（EcoGaN?）已被臺達電子（Delta Electronics, Inc.，以下簡稱
2024-03-12 10:42:46123 全球知名半導體解決方案供應商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（以下簡稱“東芝”）近日宣布，其最新研發的DTMOSVI系列高速二極管型功率MOSFET已正式推出。該系列產品特別適用于數據中心和光伏功率調節器等關鍵應用的開關電源，展現了東芝在功率半導體領域的深厚實力與持續創新。
2024-03-12 10:27:36255 3月8日，瞻芯電子開發的3款第二代650V SiC MOSFET產品通過了嚴格的車規級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:38286 
上海先楫半導體科技有限公司（先楫半導體，HPMicro）推出了國產高性能微控制器HPM6800系列，致力于提供單主控的數字儀表及HMI解決方案，攜手生態合作伙伴構建全新的數字儀表顯示及人機界面應用平臺。
2024-03-07 12:30:39550 
上海瞻芯電子科技有限公司（簡稱“瞻芯電子”）近期取得了一項重要的技術突破。該公司推出的兩款第二代SiC MOSFET產品，分別為650V 40mΩ規格的IV2Q06040D7Z和650V 60m
2024-03-07 09:43:18222 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超結結構的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），
2024-02-22 18:22:41976 
英飛凌科技股份公司近日發布了全新的650V軟特性發射極控制高速二極管EC7。這款二極管采用TO247-2封裝，具有2個引腳，不僅增加了安規距離，提高了可靠性，而且適用于多種應用場景。
2024-02-01 10:50:02364 Pickering Electronics，這家擁有超過50年小型化和高性能舌簧繼電器制造經驗的領導廠商，近日推出了全新的104系列干簧繼電器。這一創新產品系列不僅實現了5kV的隔離額定值，而且在PCB面積占用方面也取得了顯著突破。
2024-02-01 10:09:58172 美國柏恩 Bourns 全球知名電源、保護和傳感解決方案電子組件領導制造供貨商，推出四款全新大功率、極低歐姆 電流檢測電阻系列。
2024-01-18 14:02:43190 近日，瞻芯電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ產品IV2Q06040D7Z通過了嚴苛的車規級可靠性認證，該產品采用TO263-7貼片封裝，具有體積較小，安裝簡便，損耗更低的特點。
2024-01-16 10:16:24770 
DK075G是一款高度集成了650V/160mΩGaNHEMT的準諧振反激控制AC-DC功率開關芯片。DK075G檢測功率管漏極和源極之間的電壓（VDS）,當VDS達到其最低值時開啟功率管，從而減小
2024-01-05 18:02:01275 
英飛凌推出業內首款采用全新 OptiMOS 7 技術的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術經過系統和應用優化，主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 
IGBT 作為一種功率半導體器件，廣泛應用于工業節能、電動汽車和新能源裝備等領域。IGBT 具有節能、安裝方便、維護方便、散熱穩定等特點，是能量轉換和傳輸的核心裝置。瑞能的650V IGBT產品在電性能和可靠性等方面具備諸多優勢，在行業內也處于領先地位。
2023-12-26 13:31:35270 
產品概述：DK065G是一款高度集成了650V/260mΩGaNHEMT的準諧振反激控制AC-DC功率開關芯片。DK065G檢測功率管漏極和源極之間的電壓（VDS）,當VDS達到其最低值時開啟功率
2023-12-16 12:04:28336 
產品概述：DK045G是一款高度集成了650V/400mΩGaNHEMT的準諧振反激控制AC-DC功率開關芯片。DK045G檢測功率管漏極和源極之間的電壓（VDS）,當VDS達到其最低值時開啟功率
2023-12-16 12:01:21224 今天兆芯正式推出了自主創新研發的新一代高性能桌面處理器——開先KX-7000系列產品。
2023-12-13 09:31:51784 
和傳感解決方案電子組件領導制造供貨商，推出四款全新大功率、極低歐姆電流檢測電阻系列。Bourns 全新電流測量設備專為在電力電子設計中節省能源，同時最大化傳感性能。該系列具有低溫度系數 (TCR)，可在廣泛的溫度范圍內提供操作精度和卓越的長期穩定性。其極低的電阻水平、低
2023-12-12 15:14:15337 
MOS管在直流充電樁上的應用，推薦瑞森半導650V/1200V碳化硅MOS系列，600V/650V超結MOS系列
2023-12-08 11:50:15235 
GaAs二極管是WBG功率半導體中的全新成員，其為設計人員提供了一種能夠在高性能功率變換器中平衡效率與成本的方案。
2023-12-04 18:23:24455 
650V高壓低功耗非隔離電源芯片，默認輸出12V，最大電流2A，具有輸出可設置3-24V
2023-12-01 19:19:030 相繼推出兩款高性能RISC-V CPU Core IP——主打極致性能的昉·天樞-90（Dubhe-90）和主打高能效比的昉·天樞-80（Dubhe-80），一款片上一致性互聯IP——昉·星鏈-500
2023-11-29 13:37:35
、Buck-Boost 變換器拓撲應用。 BP8523D 內部集成了 650V 高壓 MOSFET、高壓啟動和自供電電路、電流采樣電路、電壓反饋電路以及續流二極管!采用先進的控制技術，無需外部 VCC
2023-11-21 10:32:19
英飛凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品，進一步擴展其TRENCHSTOPIGBT7產品陣容。全新器件配新一代發射極控制的EC7續流二極管，以滿足對環保和高效電源解決方案日益增長的需求
2023-11-21 08:14:06255 
PN8036寬輸出范圍非隔離交直流轉換芯片 ，集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外圍元器件極精簡的小功率非隔離開關電源。PN8036內置650V高壓啟動模塊，實現系統快速啟動、超低待機功能。
2023-11-16 10:24:00398 
電子發燒友網站提供《用TrenchFET IV功率MOSFET系列設計更綠色、更小的電源.pdf》資料免費下載
2023-11-13 15:11:290 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX：IFNNY）推出分立式650V IGBT7 H7新品，進一步擴展其第七代TRENCHSTOP? IGBT產品陣容。全新器件配備尖端的EC7
2023-11-03 11:40:49644 
%以內的恒流精度，并且能夠實現輸出電流對電
感與輸出電壓的自適應，從而取得優異的線型調整率和負載調整率
LC6833 內部集成了 650V 功率MOSFET，無需次級反饋電路，也無需
補償電路，加之精準
2023-10-30 18:01:18
功率MOSFET選型的幾點經驗在此，根據學到的理論知識和實際經驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。由于相應理論技術文章有很多介紹MOSFET參數和性能的，這里不作贅述，只對實際
2023-10-26 08:02:47373 
Littelfuse宣布推出首款汽車級PolarP P通道功率MOSFET產品 IXTY2P50PA。這個創新的產品設計能滿足汽車應用的嚴苛要求，提供卓越的性能和可靠性。
2023-10-25 09:43:25402 SP9683高頻準諧振、集成650V氮化鎵功率器件，30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:271008 
MOSFET也已經發展到了第3代，新推出的650V和1200V電壓產品現已量產。其柵極驅動電路設計簡單，可靠性得到進一步的提高。 碳化硅MOSFET的優勢 相同功率等級的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，
2023-10-17 23:10:02268 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優化了用于高性能設計的成熟OptiMOS技術。新產品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進的硅技術、穩定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 近日，洛微科技對外發布新款高性能D系列 TOF相機D3，這是一款專為工業環境中高性能操作設計的3D TOF智能相機。
2023-09-22 10:47:43859 SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據P&S的超結原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
這些超結快速恢復硅基功率MOSFET兼具超低恢復電荷（Qrr）和超快快恢復時間（trr），以及出色的品質因數（RDS(on) x Qg），能夠為要求嚴苛的橋式拓撲和ZVS相移轉換器帶來極高的效率
2023-09-08 06:00:53
1 功率分立產品概述
2 IGBT 產品系列
3 HV MOSFET 產品系列
4 SiC MOSFET 產品系列
5 整流器及可控硅產品系列
6 能源應用
2023-09-07 08:01:40
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產品陣容，此舉旨在提供功率半導體行業標桿解決方案，在更小的封裝尺寸內實現更高的效率和更加優異的性能。新產品廣
2023-09-06 14:18:431202 
全新高性價比STM32H5，引入STM32H5 MCU系列用于高性能設計，提高應用程序性能，有靈活的電源模式，安全性可擴展
2023-09-05 06:51:14
---“TWxxxZxxxC系列”，該產品采用東芝最新的 [1] 第3代碳化硅MOSFET芯片 ，用于支持工業設備應用 。該系列中五款額定電壓為650V，另外五款額定電壓為1200V，十款產品于今日開始批量
2023-09-04 15:13:401134 
能會對MOSFET的頻率穩定性、相位噪聲和總體性能產生負面影響。在振蕩器中，閃爍噪聲本身表現為靠近載波的邊帶，其他形式的噪聲從載波延伸出來，頻譜更平坦。隨著與載波的偏移量的增加，閃爍噪聲會逐漸衰減，直到
2023-09-01 16:59:12
設計用于驅動N通道功率MOSFET或IGBT，其工作電壓最高可達650V。
特性
?650V無芯變壓器隔離驅動器IC
?軌到軌輸出
?保護功能
?浮動高側驅動
?雙通道欠壓鎖定
?3.3V和5V TTL
2023-08-24 18:21:45
Ω? ? 650V? ?? ? SOP7? ?? ?? ?? ?? ? SIC9773? ?? ?0.9? ?? ?? ?4.5Ω? ? 650V? ?? ? SOP7/DIP7
2023-08-24 09:53:37263 650V硅上GaN增強型功率品體管，采用5mm雙扁平無引線封裝(DFN)X6毫米大小。增強型晶體管-正常關閉電源開關，符合JEDEC標準的工業應用。
2023-08-16 23:36:51685 
2023年8月16日，高性能嵌入式解決方案廠商“上海先楫半導體（HPMicro）”正式發布全新產品系列——高性能運動控制微控制器 HPM5300。獨具匠“芯”的HPM5300系列以強勁的性能、靈活
2023-08-16 10:35:13211 隨著現代電子設備對小型化和高效率的要求不斷提高,對電源管理芯片的技術也提出了更高要求。針對此趨勢,安森德半導體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態和動態性能參數,將助您的設計實現更高功率密度和轉換效率。
2023-08-14 15:04:45367 
650V硅上GaN增強模式功率晶體管，英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸，增強型晶體管-正常關閉電源開關
2023-08-07 17:22:17964 
面向能耗與成本敏感的中高端工業應用市場，不僅對芯片性能與功耗有更高要求，復雜的功能需求也考量著芯片的適配性與穩定性。極海為平衡客戶對產品低功耗、高性能與高性價比等綜合需求，正式推出APM32F411
2023-08-06 10:32:48448 
“國產化”一詞正在被越來越多的提及，有著越來越高的關注度，飛凌嵌入式也已與多家國內芯片原廠聯合推出了數款國產化智能平臺。為了幫助大家快速認識飛凌嵌入式推出的各系列國產核心板產品，小編將以芯片品牌進行
2023-08-05 11:12:15
電子發燒友網站提供《600-650 V MDmesh DM9：快速恢復SJ功率MOSFET提高了效率和穩健性.pdf》資料免費下載
2023-08-01 16:09:541 650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
更廣泛的電源系統中實現更小、更輕且高效的電源轉換。650 V MOSFET 產品系列非常適合高性能工業電源、服務器/電信電源、電動汽車充電系統、儲能系統、不間斷電
2023-07-24 11:30:39
PN8044，18V 300MA DIP8 非隔離電源芯片 ，集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外圍元器件極精簡的小功率非隔離開關電源，PN8044內置650V高壓啟動模塊。
2023-07-21 16:09:001205 
PN8034內置650V高雪崩能力智能功率MOSFET，集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外圍元器件極精簡的小功率非隔離開關電源。
2023-07-21 15:55:072352 
繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產品后，2023年7月 森國科正式對外推出650V超結MOSFET系列新品 ，相較于傳統的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638 
開關電源芯片U6773D內置5A 650V 的MOS，支持準諧振降壓型LED恒流、恒壓輸出應用，僅需將SEL管腳短接到GND管腳即可。
2023-07-18 15:48:01612 ）—— “ TRSxxx65H 系列” 。首批12款產品（均為650V）中有7款產品采用TO-220-2L封裝，其余5款采用DFN8×8封裝，于今日開始支持批量出貨。 新產品在第3代SiC SBD芯片中使用了一種
2023-07-13 17:40:02184 
圳市森國科科技股份有限公司日前發布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065（650V/4A）、KS06065（650V/6A）
2023-07-12 17:06:27521 
MOSFET的漏伏安特性（輸出特性）：截止區（對應GTR的截止區）;飽和區（對應于GTR的放大區）;非飽和區（對應于GTR的飽和區）。功率MOSFET在開關狀態下工作，即截止區域和不飽和區之間的轉換
2023-07-04 16:46:37975 
納芯微全新推出120V半橋驅動NSD1224系列產品，該系列產品具備3A/-4A的峰值驅動電流能力，集成 高壓自舉二極管 ，提供使能、互鎖、欠壓保護不同版本，有SOP8、HSOP8、DFN10
2023-06-27 15:14:07
在現代電子系統中，電力轉換是最基本的組成部分之一。而功率晶體管則是這種電力轉換的核心。隨著科技的不斷發展，我們需要更高性能的功率晶體管來支持更復雜的電子系統。本文將帶你了解INN650
2023-06-25 17:51:03565 
電源管理芯片，支持PD3.1快充協議，最大充放電功率達140W，支持輸入輸出雙向快充。
作為一家專注于高性能、高品質數?；旌闲酒O計公司，英集芯主營業務為電源管理芯片、快充協議芯片的研發和銷售。英集芯
2023-06-25 11:51:27
保護和出色的散熱性能，方便安裝。應用包括高開關頻率和高密度轉換器。文章來源：http://www.ameya360.com/hangye/109156.html 特性 》650V E模式GaN FET
2023-06-19 15:09:18273 
用于AC/DC變換器應用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
引言： 在現代電源轉換和電子系統中，高壓MOSFET扮演著重要的角色。其中，CMW65R041DFD是一款備受矚目的650V SJ MOSFET型號，具備許多引人注目的特點和廣泛應用領域。本文將從
2023-06-13 14:06:48364 潤新微電子（Runxin Microelectronics）榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管（FET），該產品具備卓越的性能和廣泛的應用領域。 產品特點： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:34686 近年來，汽車行業和綠色能源產業的發展迅速推動了電子元器件的進步，其中高性能電容器的需求越來越高。在這個領域中，風華高科推出的低損耗、高耐電壓1210C0G630~1000V系列車規電容器引起了廣泛
2023-06-09 10:30:42
【 2023 年 5 月 12 日，德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌
2023-06-06 11:01:361026 
Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管 器件采用 MPS 結構設計 額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vishay? 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:02358 
非常適用于服務器和AC適配器等各種電源系統的效率提升和小型化 全球知名半導體制造商ROHM（以下簡稱“ROHM”）將650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT
2023-05-25 00:25:01322 
全球知名半導體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride：氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產，這兩款產品非常適用于服務器和AC適配器等各種電源系統。
2023-05-24 15:19:34447 
Nexperia | 用于汽車和工業的650V超快恢復整流管
2023-05-24 12:16:57300 全球知名半導體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride：氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產
2023-05-18 16:34:23463 、APT32Fxxx系列：愛普特微電子推出了多款基于RISC-V CPU內核開發的32位高性能高可靠性單片機，主頻相對較低48MHz，外設資源也都是常規的外設。主要面向工業控制，觸控家電，消費電子設備，可穿戴設備等
2023-05-14 09:18:55
本篇是讀懂MOSFET datasheet系列最終篇，主要介紹MOSFET動態性能相關的參數。 主要包括Qg、MOSFET的電容、開關時間等。 參數列表如下所示。
2023-04-26 17:52:144759 
ROHM的1,200VSiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產品將有助于應用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。
2023-04-10 09:34:29483 IP6862是一款英集芯全新推出的一芯雙充無線充電方案，采用QFN32封裝5*5MM可支持15W+15W/15W+5W版本，支持全新1芯雙充無線充方案開發。科發鑫電子是英集芯一級代理商，提供全系列英
2023-04-07 18:45:16
TPM650xQ系列內置MOS管，耐壓達到25V，支持全溫度范圍-40°C至+125°C可靠工作。通過極具競爭力的產品性能，TPM650xQ系列廣泛應用于汽車總線接口、工業儀器等需要隔離供電的終端領域。
2023-04-01 12:49:11507 芯茂微電子于近期推出了LP6655系列高性能CCM/DCM定頻PFC控制器。LP6655系列芯片的工作頻率固定，有65kHz/133kHz/200kHz可選；單周期調制模式能夠提供優異的功率因數表現，同時芯片在輕負載下能夠降低工作頻率以提升輕載能效。
2023-03-31 11:14:462424 SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產品將有助于應用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。另外
2023-03-29 15:06:13
ME8133是一款高性能，高效率電流模式PWM控制器，內封650V/4A功率MOSFET，功率最高可達30W（220VAC）。
2023-03-29 10:08:081214 MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
2023-03-27 14:38:07
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