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      INN650D150A增強(qiáng)功率晶體管GaN

      szjuquan ? 來源：szjuquan ? 作者：szjuquan ? 2023-08-07 17:22 ? 次閱讀

      一、一般說明

      650V硅上GaN增強(qiáng)模式功率晶體管，英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸

      二、特征

      增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開關(guān)

      超高開關(guān)頻率

      無反向恢復(fù)收費(fèi)

      低柵極電荷，低輸出電荷

      符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)應(yīng)用

      靜電防護(hù)

      ROHS指令不含鉛，符合REACH標(biāo)準(zhǔn)

      三、應(yīng)用程序

      交流一直流轉(zhuǎn)換器

      直流一直流轉(zhuǎn)換器圖騰柱PFC

      電池快速充電

      高密度功率轉(zhuǎn)換

      高效率的功率轉(zhuǎn)換

      wKgaomTQt8mABh0eAACho3ontvQ010.png

      英諾賽科INN650D150A增強(qiáng)功率晶體管GaN

      審核編輯 黃宇

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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