一、一般說明
650V硅上GaN增強(qiáng)模式功率晶體管,英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸
二、特征
增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開關(guān)
超高開關(guān)頻率
無反向恢復(fù)收費(fèi)
低柵極電荷,低輸出電荷
符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)應(yīng)用
靜電防護(hù)
ROHS指令不含鉛,符合REACH標(biāo)準(zhǔn)
三、應(yīng)用程序
交流一直流轉(zhuǎn)換器
直流一直流轉(zhuǎn)換器圖騰柱PFC
電池快速充電
高密度功率轉(zhuǎn)換
高效率的功率轉(zhuǎn)換
英諾賽科INN650D150A增強(qiáng)功率晶體管GaN
審核編輯 黃宇
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