INN650DA260A增強功率晶體管GaN
1.一般說明
650V硅上GaN增強型功率品體管，采用5mm雙扁平無引線封裝(DFN)X6毫米大小。
2.特征
超高開關頻率
無反向恢復收費
低柵極電荷，低輸出電荷
符合JEDEC標準的工業應用
靜電防護
RoHS指令不含鉛，符合REACH標準
3.應用程序
交直流變換器
直流一直流轉換器
圖騰柱PFC
電池快速充電
高密度功率轉換
高效率的功率轉換
英諾賽科INN650DA260A增強功率晶體管GaN
審核編輯 黃宇
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
GaN
+關注
關注
19文章
2178瀏覽量
76194 -
功率晶體管
+關注
關注
3文章
677瀏覽量
17966
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
2SC5200音頻配對功率管PNP型晶體管
深圳市三佛科技有限公司供應2SC5200音頻配對功率管PNP型晶體管，原裝現貨
2SC5200是一款PNP型晶體管，2SA1943的補充型。
擊穿電壓：250V (集射極電壓 Vceo) min
發表于 06-05 10:24
GaN與SiC功率器件深度解析
本文針對當前及下一代電力電子領域中市售的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）晶體管進行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結構差異。基于對市售GaN與SiC
寬帶隙WBG功率晶體管的性能測試與挑戰
晶體管的性能得到了顯著提升，開啟了更高效率和更快動態響應的可能性。寬帶隙晶體管在現代電力系統中扮演著關鍵角色，包括開關電源(SMPS)、逆變器和電動機驅動器，因為
晶體管電路設計（下）
晶體管，FET和IC，FET放大電路的工作原理，源極接地放大電路的設計，源極跟隨器電路設計，FET低頻功率放大器的設計與制作，柵極接地放大電路的設計，電流反饋型OP放大器的設計與制作，進晶體管
發表于 04-14 17:24
晶體管電路設計（上） 【日 鈴木雅臣】
晶體管和FET的工作原理，觀察放大電路的波形，放大電路的設計，放大電路的性能，共發射極應用，觀察射極跟隨器的波形，增強輸出電路的設計，射極跟隨器的性能和應用電路，小型功率放大器的設計和制作
發表于 04-14 16:07
晶體管電路設計（下） [日 鈴木雅臣]
本書主要介紹了晶體管，FET和Ic，FET放大電路的工作原理，源極接地放大電路的設計，源極跟隨電路的設計，FET低頻功率放大器的設計和制作，柵極接地放大電路的設計，電流反饋行型op放大器的設計與制作
發表于 03-07 13:55
晶體管電路設計（上）[日 鈴木雅臣]
本書主要介紹了晶體管和FET的工作原理，放大電路的工作，增強輸出的電路，小型功率放大器的設計與制作，功率放大器的設計與制作，拓寬頻率特性，視頻選擇器的設計和制作，渥爾曼電路的設計，負反
發表于 03-07 13:46
NMOS晶體管和PMOS晶體管的區別
NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）類型，它們在多個方面存在顯著的差異。以下將從結構、工作原理、性能特點、應用場景等方面詳細闡述NMOS晶體管
晶體管的主要材料有哪些
晶體管的主要材料是半導體材料，這些材料在導電性能上介于導體和絕緣體之間，具有獨特的電子結構和性質，使得晶體管能夠實現對電流的有效控制。以下將詳細探討晶體管的主要材料，包括硅（Si）、鍺（Ge）、氮化鎵（
GaN晶體管的應用場景有哪些
GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），近年來在多個領域展現出廣泛的應用場景。其出色的高頻性能、高功率密度、高
GaN晶體管和SiC晶體管有什么不同
GaN（氮化鎵）晶體管和SiC（碳化硅）晶體管作為兩種先進的功率半導體器件，在電力電子、高頻通信及高溫高壓應用等領域展現出了顯著的優勢。然而，它們在材料特性、性能表現、應用場景以及制造
GaN晶體管的基本結構和性能優勢
GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），是近年來在電力電子和高頻通信領域受到廣泛關注的一種新型功率器件。其結構
晶體管功率繼電器的基本介紹
晶體管功率繼電器是一種利用晶體管作為開關元件的功率繼電器。它具有體積小、重量輕、響應速度快、壽命長等優點，廣泛應用于各種電子設備和系統中。 工作原理
工商網監
評論