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?【2023年8月3日，德國慕尼黑訊】小型分立式功率MOSFET在節省空間、降低成本和簡化應用設計方面發揮著至關重要的作用。此外，更高的功率密度還能實現靈活的布線并縮小系統的整體尺寸。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產品陣容，此舉旨在提供功率半導體行業標桿解決方案，在更小的封裝尺寸內實現更高的效率和更加優異的性能。新產品廣泛適用于各種應用，如服務器、通信、便攜式充電器和無線充電器中開關電源（SMPS）里的同步整流等。此外，新產品在無人機中還可應用于小型無刷電機的電子速度控制器等。
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全新的OptiMOS 6 40V功率MOSFET以及OptiMOS 5 25V和30V 功率MOSFET進一步優化了用于高性能設計的成熟OptiMOS技術。新產品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進的硅技術、穩定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。這些新器件擁有業界極低的導通電阻和業界領先的性能指標（FOMs, QG和QOSS），能夠實現出色的動態開關性能。因此，這些具有超低開關損耗和低導通損耗的 MOSFET器件能夠保證極佳的能效和功率密度，同時簡化散熱管理。
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OptiMOS功率開關采用緊湊的PQFN 2x2 mm2封裝，能夠縮小系統尺寸，讓終端用戶應用的幾何外形變得更加小巧、靈活。通過減少并聯需求，這些MOSFET器件提升了系統設計的可靠性，顯著降低了占板空間和系統成本。
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供貨情況
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全新OptiMOS 6 40V功率MOSFET（ISK057N04LM6）的導通電阻值為5.7 mΩ，OptiMOS 5 25V功率MOSFET（ISK024NE2LM5）和OptiMOS 5 30V功率MOSFET（ISK036N03LM5）的導通電阻值分別為2.4 mΩ和3.6 mΩ，這些MOSFET器件均采用改進的PQFN 2x2 mm2 封裝，現已開放訂購。如需了解更多信息，請訪問 www.infineon.com/optimos-6-40v和www.infineon.com/pqfn-2x2。
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英飛凌推出先進的OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大采用PQFN 2x2 mm2封裝的MOSFET器件的產品陣容
- 英飛凌(136807)
- MOSFET(209668)
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出于成
2010-08-09 09:08:22560
560IR推出采用PQFN封裝技術的MOSFET硅器件
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3x3封裝，為電信、網絡通信和高端臺式機及筆記本電
2010-11-24 09:14:351506
1506PQFN封裝技術提高能效和功率密度
用改進的PQFN器件一對一替換標準SO-8 MOSFET可提升總體工作效率。電流處理能力也能夠得以增強，并實現更高的功率密度。在以并聯方式使用的傳統MOSFET應用中，采用增強型封裝(如PQFN和DirectFET)的最新一代器件可用單個組件代替一個并聯的組件對。
2011-03-09 09:13:025988
5988IR推出新款PQFN封裝功率MOSFET PQFN2x2
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術
2011-06-16 09:35:042537
2537英飛凌推出單P溝道40V汽車電源MOSFET產品:OptiMOS P2
英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產品系列。全新的40V OptiMOS P2產品為能效改進、碳減排和成本節約樹立了行業新標桿，從而進一步
2011-09-13 08:33:16692
692英飛凌推出新型汽車電源管理40V P通道OptiMOS P2系列
英飛凌科技推出采用先進溝槽技術制程的最新單一P通道40V汽車電源MOSFET系列產品。新型40V OptiMOS P2產品為提升能源效率、減少CO2排放及節省成本設立新的基準
2011-09-28 19:35:41648
648英飛凌科技推出汽車封裝無鉛功率MOSFET
英飛凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無鉛功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451014
1014飛兆半導體和英飛凌進一步擴展功率MOSFET兼容協議
飛兆半導體公司和英飛凌科技宣布進一步擴展封裝兼容合作伙伴關系，擴展協議將包括5x6mm非對稱結構功率級雙MOSFET封裝。
2012-02-09 09:18:22807
807飛兆和英飛凌進一步擴展功率MOSFET兼容協議
全球領先的高性能功率和便攜產品供應商飛兆半導體公司 （Fairchild Semiconductor）和英飛凌科技（Infineon Technologies）宣布，兩家公司進一步擴展封裝兼容合作伙伴關系，擴展協議將包括5
2012-02-17 10:53:56686
686快捷半導體擴大PowerTrench? MOSFET系列產品陣容
快捷半導體擴大PowerTrench? MOSFET系列產品陣容
提供更高的功率密度與提升開關電源的效率
中電壓MOSFET元件采用高性能矽片減低優化系數，提高同步整流應用的可靠性
2012-08-17 08:52:52860
860e絡盟進一步擴充英飛凌CoolMOS與OptiMOS系列功率MOSFET
e絡盟日前宣布新增來自全球半導體和系統解決方案領先提供商英飛凌的CoolMOS?與OptiMOS?系列產品，進一步擴充其功率MOSFET產品組合。
2015-03-02 17:37:381393
1393英飛凌推出OptiMOS 5 25V和30V產品家族，能效高達95%以上
2015年3月24日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）今日推出了OptiMOS? 5 25V和30V產品家族，它們是采用標準分立式封裝的新一代功率MOSFET。
2015-04-01 14:06:081314
1314英飛凌科技股份公司進一步壯大1200 V單管IGBT產品組合陣容
英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）進一步壯大1200 V單管IGBT產品組合陣容，推出最高電流達75 A的新產品系列。TO-247PLUS封裝同時還集成
2018-05-18 09:04:001989
1989東芝推出新一代超結功率MOSFET，進一步提高電源效率
東芝宣布推出新一代超結功率MOSFET，新器件進一步提高電源效率。在這個連小學生做作業都講求高效率的年代，還有什么是高效率不能解決的呢？
2018-09-13 15:54:155102
5102采用ATPAK封裝功率MOSFET在開關器件設計中的應用
視頻簡介：目前，市場對低能耗和節能型電子產品的需求極大，從而符合及超越政府及行業標準組織的節能要求。功率MOSFET由于開關損耗低，已經成為主要開關器件的標準選擇。功率MOSFET在高速開關、高擊穿
2019-03-06 06:05:003591
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關于OptiMOS 5 150V功率MOSFET的性能分析和應用
SuperSO8封裝：OptiMOS 5 150V功率MOSFET此次提供了尺寸更小的SuperSO8封裝，堪稱封裝界的best-in-class級別，相比于TO-220封裝，SuperSO8將在減少封裝電感的基礎上進一步增大功率密度、減少漏源電壓V DS的尖峰。
2019-09-25 10:28:174537
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英飛凌推出650V SiC MOSFET，低壓SiC市場競爭激烈
英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標志著公司進一步增強了在低壓SiC領域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504268
4268英飛凌推出全新的OptiMOS?源極底置功率MOSFET
英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出了新一代OptiMOS? 源極底置（Source-Down，簡稱SD）功率MOSFET，為解決終端應用中的設計挑戰提供切實可行的解決方案。
2022-02-15 13:51:382073
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英飛凌推出采用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25V和30V功率MOSFET，樹立技術新標準
英飛凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產品系列，旨在為分立功率MOSFET技術樹立全新的行業標準。
2022-03-14 17:39:161651
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什么是OptiMOS MOSFET？
OptiMOS 已經成為采用英飛凌獨特技術的中低耐壓 MOSFET 的商標，有多種耐壓、RDS(on)、封裝，適用于汽車和消費類應用。英飛凌在功率半導體領域的市場占有率位居全球第一，特別是在汽車
2022-08-19 15:05:053322
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英飛凌推出PQFN封裝、雙面散熱、25-150V OptiMOS?源極底置功率MOSFET
未來電力電子系統的設計將持續推進，以實現最高水平的性能和功率密度。為順應這一發展趨勢，英飛凌科技有限公司推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封裝的源極底置功率MOSFET，電壓范圍涵蓋
2023-02-16 16:27:22758
758KUU推出SOT-723封裝MOSFET
KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET，特別為空間受限的便攜式應用優化的新一代MOSFET，這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進的溝槽工藝技術來取得能夠和SOT-523等大上許多封裝
2023-04-04 16:10:39989
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英飛凌推出新一代面向汽車應用的OptiMOS 7 40V MOSFET系列
英飛凌科技汽車 MOSFET 產品線高級副總裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標桿。
2023-06-26 13:10:00302
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英飛凌推出OptiMOS 7技術的40V車規MOSFET產品系列
采用OptiMOS 7 技術的40V車規MOSFET產品系列，進一步提升比導通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實現更低的RDSON，或者說在更小的晶圓面積下實現相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12678
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英飛凌推出先進的OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大采用PQFN 2x2 mm2封裝的MOSFET器件的產品陣容
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優化了用于高性能設計的成熟OptiMOS技術。新產品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進的硅技術、穩定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12519
519車規級功率模塊封裝的現狀，SiC MOSFET對器件封裝的技術需求
1、SiC MOSFET對器件封裝的技術需求
2、車規級功率模塊封裝的現狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419
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英飛凌推出首款采用OptiMOS 7技術的15 V溝槽功率MOSFET
英飛凌推出業內首款采用全新 OptiMOS 7 技術的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術經過系統和應用優化，主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363
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英飛凌推出G2 CoolSiC MOSFET進一步推動碳化硅技術的發展
碳化硅（SiC）技術一直是推動高效能源轉換和降低碳排放的關鍵，英飛凌最近推出的CoolSiC MOSFET第2代（G2）技術，也是要在這個領域提高了MOSFET的性能指標，擴大還在光伏、儲能、電動汽車充電等領域的市場份額。
2024-03-12 09:33:26240
240
工商網監
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