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電子發燒友網>電源/新能源>功率器件>300nm晶圓首次用于制造功率器件,英飛凌推出超結MOSFET

300nm晶圓首次用于制造功率器件,英飛凌推出超結MOSFET

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2011-12-19 09:03:161682

全球MOSFET供應吃緊,英飛凌發聲、中興加價掃貨!

近日英飛凌擬收購ST半導體的消息受到廣泛關注,作為全球功率器件老大,英飛凌日前發布的財報顯示強勁的增長,在全球MOSFET供應吃緊,價格飆漲的形勢下,英飛凌稱部分MOSFET產品交貨時間超過26周,最長達52周。
2018-08-06 11:25:414299

英飛凌功率器件在電機驅動中的應用

英飛凌功率器件在電機驅動中的應用說明。
2021-05-19 16:00:5338

英飛凌推出全新的OptiMOS?源極底置功率MOSFET

英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出了新一代OptiMOS? 源極底置(Source-Down,簡稱SD)功率MOSFET,為解決終端應用中的設計挑戰提供切實可行的解決方案。
2022-02-15 13:51:382073

英飛凌推出采用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25V和30V功率MOSFET,樹立技術新標準

英飛凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產品系列,旨在為分立功率MOSFET技術樹立全新的行業標準。
2022-03-14 17:39:161651

英飛凌IPOSIM平臺推出功率器件使用壽命評估服務,以簡化半導體器件選型

英飛凌科技股份公司的功率器件在線仿真平臺IPOSIM被廣泛應用于計算功率模塊、分立器件和平板器件的損耗及熱性能。
2022-03-22 16:51:05662

功率器件MOSFET的物理開蓋手法

功率器件MOSFET的物理開蓋手法
2022-07-05 16:14:272252

車規級功率模塊封裝的現狀,SiC MOSFET器件封裝的技術需求

1、SiC MOSFET器件封裝的技術需求 2、車規級功率模塊封裝的現狀 3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝 4、未來模塊封裝發展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419

英飛凌推出首款采用OptiMOS 7技術的15 V溝槽功率MOSFET

英飛凌推出業內首款采用全新 OptiMOS 7 技術的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術經過系統和應用優化,主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363

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