首先,我們掏出一個(gè)T0-220封裝的MOS管,讓我們先來看一下這顆MOS生前的模樣。
還有背面也看一下。
接著,我們需要準(zhǔn)備作案(開蓋)工具。電烙鐵、焊錫絲、鑷子、尖嘴鉗。
將mos的背部燙熱,然后渡一層錫上去。一般渡1CM左右的錫就夠了。上完錫之后,鑷子夾住MOS背部基板,尖嘴鉗置于MOS下方,嘴尖朝管腳方向,咔嚓一剪!!!
手起刀落,完事。MOS走的很安詳。
通過觀察MOS的中間部分,入行久的工程師可以知道用的是哪種晶圓、什么工藝、通過它的面積大小也可以知道很多東西。
需要更加深入的信息,就需要化學(xué)開蓋了,且化學(xué)開蓋優(yōu)于物理開蓋。
因?yàn)槿缟喜襟E,很容易對(duì)芯片造成磨損,且會(huì)有環(huán)氧樹脂殘留。
審核編輯 黃昊宇
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
150文章
8583瀏覽量
220369 -
功率MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
352瀏覽量
22508 -
拆解
+關(guān)注
關(guān)注
82文章
610瀏覽量
115614
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
功率半導(dǎo)體器件——理論及應(yīng)用
MOSFET與IGBT的選擇對(duì)比:中低壓功率系統(tǒng)的權(quán)衡

接近物理極限!10kV SiC MOSFET新進(jìn)展

初級(jí)元器件知識(shí)之功率MOSFET
互補(bǔ)MOSFET脈沖變壓器的隔離驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
Decap開蓋檢測(cè)方法及案例分析

SiC碳化硅MOSFET功率器件雙脈沖測(cè)試方法介紹

Si IGBT和SiC MOSFET混合器件特性解析

MOSFET并聯(lián)在高功率設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

功率MOSFET的選型法則
功率MOSFET的開通和關(guān)斷過程原理
功率MOSFET故障分析
成功并聯(lián)功率MOSFET的技巧

評(píng)論