女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

功率器件MOSFET的物理開蓋手法

如何心事都虛化 ? 來源:如何心事都虛化 ? 作者:如何心事都虛化 ? 2022-07-05 16:14 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

首先,我們掏出一個(gè)T0-220封裝的MOS管,讓我們先來看一下這顆MOS生前的模樣。

pYYBAGLD8uSAPoj9AALT3FAStgU94.jpeg

還有背面也看一下。

poYBAGLD8uWAVh-xAAKKozAxHQo29.jpeg

接著,我們需要準(zhǔn)備作案(開蓋)工具。電烙鐵、焊錫絲、鑷子、尖嘴鉗。

pYYBAGLD8uiACFqkABSME05GwVY68.jpeg

將mos的背部燙熱,然后渡一層錫上去。一般渡1CM左右的錫就夠了。上完錫之后,鑷子夾住MOS背部基板,尖嘴鉗置于MOS下方,嘴尖朝管腳方向,咔嚓一剪!!!

poYBAGLD8uqAKdZ7ABfxHhNmriE48.jpeg

手起刀落,完事。MOS走的很安詳。

通過觀察MOS的中間部分,入行久的工程師可以知道用的是哪種晶圓、什么工藝、通過它的面積大小也可以知道很多東西。

需要更加深入的信息,就需要化學(xué)開蓋了,且化學(xué)開蓋優(yōu)于物理開蓋。

因?yàn)槿缟喜襟E,很容易對(duì)芯片造成磨損,且會(huì)有環(huán)氧樹脂殘留。

審核編輯 黃昊宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    150

    文章

    8583

    瀏覽量

    220369
  • 功率MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    352

    瀏覽量

    22508
  • 拆解
    +關(guān)注

    關(guān)注

    82

    文章

    610

    瀏覽量

    115614
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    功率半導(dǎo)體器件——理論及應(yīng)用

    本書較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性,有機(jī)地將功率器件的設(shè)計(jì)、器件中的
    發(fā)表于 07-11 14:49

    MOSFET與IGBT的選擇對(duì)比:中低壓功率系統(tǒng)的權(quán)衡

    功率電子系統(tǒng)中,MOSFET和IGBT是兩種常見的開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點(diǎn),適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)景。作為FAE,幫助客戶理解這些
    的頭像 發(fā)表于 07-07 10:23 ?644次閱讀
    <b class='flag-5'>MOSFET</b>與IGBT的選擇對(duì)比:中低壓<b class='flag-5'>功率</b>系統(tǒng)的權(quán)衡

    接近物理極限!10kV SiC MOSFET新進(jìn)展

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 最近在第37屆國際功率半導(dǎo)體器件和集成電路研討會(huì)(ISPSD?2025)上,瞻芯電子與浙江大學(xué)以大會(huì)全體報(bào)告的形式聯(lián)合發(fā)表了10kV等級(jí)SiC MOSFET的最新研究成果
    的頭像 發(fā)表于 06-10 00:09 ?5694次閱讀
    接近<b class='flag-5'>物理</b>極限!10kV SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>新進(jìn)展

    初級(jí)元器件知識(shí)之功率MOSFET

    什么是功率 MOSFET? 我們都懂得如何利用二極管來實(shí)現(xiàn)開關(guān),但是,我們只能對(duì)其進(jìn)行開關(guān)操作,而不能逐漸控制信號(hào)流。此外,二極管作為開關(guān)取決于信號(hào)流的方向;我們不能對(duì)其編程以通過或屏蔽一個(gè)信號(hào)
    發(fā)表于 06-03 15:39

    互補(bǔ)MOSFET脈沖變壓器的隔離驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

    引言 隨著電力半導(dǎo)體器件的發(fā)展[1-2],已經(jīng)出現(xiàn)了各種各樣的全控型器件,最常用的有適用于大功率場(chǎng)合的大功率晶體管(GTR)、適用于中小功率
    發(fā)表于 03-27 14:48

    Decap檢測(cè)方法及案例分析

    檢測(cè)(DecapsulationTest),即Decap,是一種在電子元器件檢測(cè)領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用的破壞性實(shí)驗(yàn)方法。這種檢測(cè)方式在芯片的失效分析、真?zhèn)舞b定等多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域發(fā)揮著不可或缺的作用,為保障
    的頭像 發(fā)表于 03-20 11:18 ?608次閱讀
    Decap<b class='flag-5'>開</b><b class='flag-5'>蓋</b>檢測(cè)方法及案例分析

    SiC碳化硅MOSFET功率器件雙脈沖測(cè)試方法介紹

    碳化硅革新電力電子,以下是關(guān)于碳化硅(SiC)MOSFET功率器件雙脈沖測(cè)試方法的詳細(xì)介紹,結(jié)合其技術(shù)原理、關(guān)鍵步驟與應(yīng)用價(jià)值,助力電力電子領(lǐng)域的革新。
    的頭像 發(fā)表于 02-05 14:34 ?787次閱讀
    SiC碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>雙脈沖測(cè)試方法介紹

    Si IGBT和SiC MOSFET混合器件特性解析

    大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯(lián)形成的混合器件實(shí)現(xiàn)了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的
    的頭像 發(fā)表于 01-21 11:03 ?1747次閱讀
    Si IGBT和SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>混合<b class='flag-5'>器件</b>特性解析

    SiC MOSFET分立器件及工業(yè)模塊介紹

    BASiC國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹
    發(fā)表于 01-16 14:32 ?1次下載

    MOSFET并聯(lián)在高功率設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

    在高功率電子設(shè)計(jì)中,為了滿足更大的電流需求和提升系統(tǒng)可靠性,常常需要將多個(gè)MOSFET器件并聯(lián)使用。然而,MOSFET的并聯(lián)應(yīng)用并非簡單的器件
    的頭像 發(fā)表于 12-04 01:07 ?943次閱讀
    <b class='flag-5'>MOSFET</b>并聯(lián)在高<b class='flag-5'>功率</b>設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

    功率MOSFET的選型法則

    功率MOSFET有二種類型:N溝道和P溝道,在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中選擇N管還是P管,要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來選擇,N溝道MOSFET選擇的型號(hào)多,成本低;P溝道MOSFET選擇的型號(hào)較少,成
    的頭像 發(fā)表于 10-30 15:24 ?988次閱讀

    功率MOSFET的開通和關(guān)斷過程原理

    功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)作為現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域中的核心器件,其開通和關(guān)斷過程原理對(duì)于理解其工作特性、設(shè)計(jì)高效電路以及確保系統(tǒng)穩(wěn)定性至關(guān)重要。以下將對(duì)功率
    的頭像 發(fā)表于 10-10 09:54 ?3276次閱讀

    功率MOSFET故障分析

    功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子系統(tǒng)中的關(guān)鍵元件,用于功率
    的頭像 發(fā)表于 10-08 18:29 ?1191次閱讀

    成功并聯(lián)功率MOSFET的技巧

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《成功并聯(lián)功率MOSFET的技巧.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 08-29 10:37 ?1次下載
    成功并聯(lián)<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的技巧

    功率器件的開關(guān)波形分析

    功率器件,特別是如功率MOSFET和IGBT等,在電力電子系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。它們的開關(guān)波形分析對(duì)于理解器件性能、優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)以及確
    的頭像 發(fā)表于 07-19 14:08 ?1583次閱讀