【2023 年 5 月 12 日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE 代碼:IFX / OTCQX 代碼:IFNNY)推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌最新一代面向汽車應用的功率 MOSFET,OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無引腳、堅固的功率封裝。該系列產品采用了 300 毫米薄晶圓技術和創新的封裝,相比于其它采用微型封裝的器件,具有顯著的性能優勢。這使得全新 MOSFET 成為所有的標準和未來車用 40V MOSFET 應用的理想選擇,如電動助力轉向系統、制動系統、斷開開關和新區域架構。OptiMOS 7 系列產品還可用于電池管理、電子保險絲盒以及 DC-DC 和 BLDC 驅動器。
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英飛凌科技汽車 MOSFET 產品線高級副總裁 Axel Hahn 表示:“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標桿。該系列采用領先的技術,能在緊湊的設計中提供優異的效率和功率。這些半導體器件具有卓越的功率密度和能效,同時具有業界最低的導通電阻。”
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全新 OptiMOS 系列產品降低了開關損耗,并提高了安全工作區(SOA)的魯棒性和高雪崩電流能力。因此,它們有助于未來高效汽車應用的設計。該器件系列采用多種堅固的車規級功率封裝方式,包括 TDSON-8、HSOF-5、HSOF-8 和頂部冷卻封裝。得益于緊湊的外形,該系列可在提高系統效率的同時大幅降低空間需求。此外,新產品可以改善冷卻,同時降低了系統成本。借助這些器件,設計人員能夠輕松設計出質量卓著的產品和應用。
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供貨情況
OptiMOS 40 V 系列已經投產,首批產品可于 2023 年 8 月開始訂購。更多信息請訪問 www.infineon.com/optimos7。
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如需進一步了解英飛凌在提高能源效率方面做出的貢獻,請訪問:www.infineon.com/green-energy。
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英飛凌推出面向汽車應用的新型 OptiMOS? 7 40V MOSFET系列,改進導通電阻、提升開關效率和設計魯棒性
- 英飛凌(136807)
- MOSFET(209668)
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英飛凌面向汽車電子推出創新型H-PSOF封裝
英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)近日推出一種創新型封裝技術,為純電動汽車和混合動力汽車等要求苛刻的汽車電子應用帶來更大的電流承受能力和更高效率
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英飛凌OptiMOS?源極底置功率MOSFET系列新添PQFN封裝的40 V裝置
OptiMOS SD 40 V低電壓功率 MOSFET 提供兩種版本:標準版和中央柵極版。中央柵極版針對多部裝置并聯作業進行了優化。
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中國上海, 2023 年 2 月 3 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布推出采用新型L-TOGL?(大型晶體管輪廓鷗翼式引腳)封裝的車載40V N溝道功率MOSFET
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英飛凌推出首款采用OptiMOS? 7技術15 V PQFN封裝的溝槽功率MOSFET
:IFNNY)順應系統層面的發展趨勢,推出業界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務器、計算、數據中心和人工智能應用上提升DC-DC轉換率
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。前端降壓轉換器 (TPS65320-Q1) 能夠支持 4.5V 冷啟動情況。主要特色寬輸入電壓范圍:6.0V - 40V,可承受啟動/停止和負載突降情況單片高壓開關穩壓器包含一個 40V 集成開關、一個
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一
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開關控制器的 MOSFET 選擇是一個復雜的過程哦,來教你怎么選擇MOSFET
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開關電源芯片 FDC6324L 內置負載開關 降低導通電阻 減少成本
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開關的導通電阻對傳遞函數的影響
”這個參數的影響。下面以“升降壓轉換器的傳遞函數導出示例 其2”的ton≠ton’ 的升降壓轉換器為基礎,按照同樣步驟來推導。右側電路圖在上次給出的升降壓轉換器簡圖上標出了作為開關的MOSFET的導通電阻
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提升開關電源效率和可靠性:半橋諧振LLC+CoolMOS開關管
電源當中,而這種拓撲在提升效率的同時也對MOSFET提出了新的要求。不同于硬開關拓撲,軟開關LLC諧振拓撲,不僅僅對MOSFET的導通電阻(導通損耗),Qg(開關損耗)有要求,同時對于如何能夠有效的實現軟
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汽車類40V至1kV輸入反激式參考設計包括BOM及框圖
) 或電動汽車 (EV) 牽引逆變器系統。40V 最低輸入電壓支持來自牽引電機的可再生制動的功能安全測試。該參考設計實現了一款碳化硅 (SiC) MOSFET,該器件具有用于降低開關損耗的高阻斷
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英飛凌40V和60V MOSFET
,英飛凌成功完成了全新40V 和 60V MOSFET的開發工作。 與OptiMOS?3技術直接比較,結果表明,新一代MOSFET不僅可極大地降低通態電阻RDS(on),還可大幅改進開關特性。 阻斷電壓為
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B1M080120HC是一款碳化硅 MOSFET 具有導通電阻低,開關損耗小的特點,可降低器件損耗,提升系統效率,更適合應用于高頻電路。降低器件損耗,提升系統 EMI 表現。在新能源汽車電機控制器
2021-11-10 09:10:42
Diodes 集成功率MOSFET
轉換,負載開關,電機控制,背光,電池保護,電池充電器,音頻電路和汽車。推薦產品:BSS138DW-7-F;BSS138-7-FDiodes其它相關產品請點擊此處前往特征:低導通電阻低柵極閾值電壓輸入
2019-05-13 11:07:19
EN系列可保持低導通電阻與開關速度,改善噪聲性能
第二代。非常有助于改善包括電源在內的PFC等各種功率轉換電路的效率。低噪聲 EN系列以往的超級結MOSFET具有導通電阻低、開關速度快的特點,但存在因其高速性而噪聲較大的課題。EN系列是結合了平面
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`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業界最低導通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關鍵詞】:功率損耗,導通電阻
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IR新型DirectFET MOSFET
國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR)近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET-IRF6648。該器件的最大導通電阻為7.0 mΩ(VGS
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降低高壓MOSFET導通電阻的原理與方法
的矛盾。 即便如此,高壓MOSFET在額定結溫下的導通電阻產生的導通壓降仍居高不下,耐壓500V以上的MOSFET 的額定結溫、額定電流條件下的導通電壓很高,耐壓800V以上的導通電壓高得驚人,導
2023-02-27 11:52:38
高性能功率半導體封裝在汽車通孔的應用
是將一系列元件組合在電路中,電流必須不受限制地流過封裝,熱量必須導入冷卻系統。因此,系統的魯棒性取決于整個鏈條中最薄弱的環節。如果一只典型MOSFET的導通電阻RDS(ON)約為8毫歐,那么比這個
2019-05-13 14:11:51
高耐壓超級結MOSFET的種類與特征
%。特性方面的定位是標準特性。低噪聲SJ-MOSFET:EN系列SJ-MOSFET具有“導通電阻低,開關速度快”的特征,但存在其高速性導致噪聲比平面型大的課題。為改善這個問題開發了EN系列。該系列產品融合了
2018-12-03 14:27:05
英飛凌欲借新一代超結MOSFET樹立硬開關應用基準
英飛凌欲借新一代超結MOSFET樹立硬開關應用基準
英飛凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET產品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP兩個產品系列的優勢,可降低設
2009-06-23 21:17:44
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德州儀器推出面向高電流DC/DC應用的功率MOSFET,可以
德州儀器推出面向高電流DC/DC應用的功率MOSFET,可以顯著降低上表面熱阻
采用創新封裝手段的DualCool NexFET功率 MOSFET在標準封裝尺寸下將散熱效率提升80%、允許電流提高5
2010-01-15 08:39:05
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英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件
英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件
英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件,進一步擴大OptiMOSTM產品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統
2010-01-26 09:22:57
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英飛凌推出25V OptiMOS調壓MOSFET和DrMOS
英飛凌推出25V OptiMOS調壓MOSFET和DrMOS系列
為提高計算和電信產品的能效,英飛凌科技股份公司近日宣布,公司將在2010年應用電力電子會議和產品展示
2010-03-01 11:20:47
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IR推出一系列新型HEXFET功率MOSFET
IR推出一系列新型HEXFET功率MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET,其中包括能夠提供業界最低導通電阻 (RDS(on)) 的IRFH620
2010-03-12 10:28:39
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導通電阻,導通電阻的結構和作用是什么?
導通電阻,導通電阻的結構和作用是什么?
傳統模擬開關的結構如圖1所示,它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯構成,可使正負信號傳輸,如果將不同VI
2010-03-23 09:27:47
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IR推出汽車專用MOSFET系列低導通電阻
IR推出汽車專用MOSFET系列低導通電阻
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:32
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英飛推出全新650V 高性能功率MOSFET系列
英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產品系列將現代超級結(SJ)器件的優勢(如低導通電阻和低容性開關損耗)與輕松控制的開關行為、及
2010-07-05 08:48:26
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IR推出堅固的新型平面MOSFET系列
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR)近日推出新的車用MOSFET系列,適合要求低導通電阻的一系列應用,包括傳統內燃機 (ICE) 平臺以及微型和混合動力汽車平臺上的重載應用。
2011-07-12 08:40:54
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英飛凌推出單P溝道40V汽車電源MOSFET產品:OptiMOS P2
英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產品系列。全新的40V OptiMOS P2產品為能效改進、碳減排和成本節約樹立了行業新標桿,從而進一步
2011-09-13 08:33:16
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英飛凌推出新型汽車電源管理40V P通道OptiMOS P2系列
英飛凌科技推出采用先進溝槽技術制程的最新單一P通道40V汽車電源MOSFET系列產品。新型40V OptiMOS P2產品為提升能源效率、減少CO2排放及節省成本設立新的基準
2011-09-28 19:35:41
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英飛凌科技推出汽車封裝無鉛功率MOSFET
英飛凌科技股份公司(FSE:IFX / OTCQX:IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無鉛功率MOSFET
2011-12-08 10:42:45
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Toshiba推車用低導通電阻功率MOSFET
東芝公司(Toshiba Corporation)推出了一種低導通電阻功率MOSFET,該產品也成為其專為汽車應用打造的TO-220SIS封裝系列中的最新成員。新產品“TK80A04K3L”還實現了低漏電電流和175℃的保證工作溫度。該產品不但非常適用于汽車應用,還適用于電機驅動器和開關穩壓器
2013-01-22 10:25:30
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e絡盟進一步擴充英飛凌CoolMOS與OptiMOS系列功率MOSFET
e絡盟日前宣布新增來自全球半導體和系統解決方案領先提供商英飛凌的CoolMOS?與OptiMOS?系列產品,進一步擴充其功率MOSFET產品組合。
2015-03-02 17:37:38
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英飛凌推出面向18?40kHz開關用途的低損耗IGBT
英飛凌科技于2016年10月17日推出了支持18kHz?40kHz開關頻率的低損耗1200V耐壓IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)“RC-E系列”(英文發布資料)。新產品在IGBT上集成續流用體二極管
2016-11-14 14:51:36
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英飛凌科聯合Schweizer開發出面向輕度混合動力汽車新技術
英飛凌聯合Schweizer電子股份公司成功開發出面向輕度混合動力汽車的新技術:芯片嵌入式功率MOSFET。
2019-05-14 16:58:30
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關于英飛凌OptiMOS實現這款90W車載充電器方案介紹
英飛凌革命性OptiMOS產品的P溝道功率MOSFET之一,在導通電阻的開關系統設計中,能經受極高的質量考驗以滿足高性能的需求;加入增強模式,可根據不同應用場景選擇Normal Level
2019-09-24 11:37:51
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英飛凌OptiMOS? 6 100 V系列通過技術革新,為高開關頻率應用樹立全新行業標桿
OptiMOS 6 100 V 系列 MOSFET采用新穎的設計理念, 具有更低的導通電阻和同類產品中更佳的優值系數 (FOM)。
2021-12-03 10:50:38
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英飛凌推出全新的OptiMOS?源極底置功率MOSFET
英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出了新一代OptiMOS? 源極底置(Source-Down,簡稱SD)功率MOSFET,為解決終端應用中的設計挑戰提供切實可行的解決方案。
2022-02-15 13:51:38
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什么是OptiMOS MOSFET?
OptiMOS 已經成為采用英飛凌獨特技術的中低耐壓 MOSFET 的商標,有多種耐壓、RDS(on)、封裝,適用于汽車和消費類應用。英飛凌在功率半導體領域的市場占有率位居全球第一,特別是在汽車
2022-08-19 15:05:05
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東芝新型高散熱封裝的車載40V N溝道功率MOSFET支持車載大電流設備
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布,推出采用新型L-TOGLTM(大型晶體管輪廓鷗翼式引腳)封裝的車載40V N溝道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB
2023-02-04 18:31:45
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EN系列:保持低導通電阻與開關速度,改善噪聲性能
超級結MOSFET是與平面MOSFET相比,導通電阻和柵極電荷(Qg)顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性,并已擴展為系列化產品,現已發展到第二代。
2023-02-10 09:41:07
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資料下載 | 低導通電阻 Nch 功率MOSFET(銅夾片型)產品參考資料
近日羅姆新推出“ RS6xxxx 系列/ RH6xxxx 系列 ”共13款Nch MOSFET產品(40V/60V/80V/100V/150V),備受各個廠家的青睞。本文將為各位工程師呈現該系列
2023-05-17 13:35:02
471


CMS4070M 40V N-Channel SGT MOSFET:高速開關和改進的dv/it能力
摘要:CMS4070M是一款40V N-Channel SGT MOSFET,采用SGT IV MOSFET技術。它具有快速開關和改進的dv/it能力,適用于MB/VGA、POL應用和DC-DC轉換器等領域。本文將介紹CMS4070M的特點、應用領域以及關鍵性能參數。
2023-06-08 14:28:28
663


英飛凌推出新一代面向汽車應用的OptiMOS 7 40V MOSFET系列
英飛凌科技汽車 MOSFET 產品線高級副總裁 Axel Hahn 表示:“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標桿。
2023-06-26 13:10:00
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英飛凌推出OptiMOS 7技術的40V車規MOSFET產品系列
采用OptiMOS 7 技術的40V車規MOSFET產品系列,進一步提升比導通電阻,減小RDSON*A,即在同樣的晶圓面積下實現更低的RDSON,或者說在更小的晶圓面積下實現相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12
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納芯微推出首款車規級40V/單通道90mΩ智能低邊開關NSE11409系列
納芯微推出首款車規級40V/單通道90mΩ智能低邊開關NSE11409系列
納芯微全新推出首款業界領先的NSE11409系列智能低邊開關芯片,該款芯片是專門針對驅動高可靠性負載應用而設計的,廣泛應用于驅動汽車和工業場景中的繼電器、執行閥、照明和加熱電阻絲等負載元件。
2022-10-27 13:42:50
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英飛凌推出先進的OptiMOS?功率MOSFET,進一步擴大采用PQFN 2x2 mm2封裝的MOSFET器件的產品陣容
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優化了用于高性能設計的成熟OptiMOS技術。新產品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝,具備先進的硅技術、穩定可靠的封裝與極低的熱阻(RthJC最大值為3.2 K/W)。
2023-10-13 16:25:12
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英飛凌推出首款采用OptiMOS 7技術的15 V溝槽功率MOSFET
英飛凌推出業內首款采用全新 OptiMOS 7 技術的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術經過系統和應用優化,主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49
363


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