瑞薩電子宣布開發(fā)出了導通電阻僅為150mΩ（柵源間電壓為10V時的標稱值）的600V耐壓超結(jié)（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，將從2012年9月開始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓
2012-06-26 11:01:02
1252 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出具備低導通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車用功率MOSFET，適用于汽油和柴油發(fā)動機壓電噴射系統(tǒng)。
2012-08-15 11:25:081422 IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業(yè)應(yīng)用提供基準導通電阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有極低的導通電阻，有助于提升系統(tǒng)效率，還可讓設(shè)計人員在多個MOSFET并聯(lián)使用時減少產(chǎn)品的組件數(shù)量。
2013-01-22 13:27:211206 ? 1、超級結(jié)構(gòu) 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導通電阻隨電壓
2023-10-07 09:57:362784 
瑞薩電子日前發(fā)售了八款封裝尺寸僅為2mm×2mm的功率MOSFET。其中兩款產(chǎn)品“在封裝尺寸為2mm見方的產(chǎn)品中，實現(xiàn)了業(yè)界最高水平的低導通電阻”。
2012-04-13 09:19:341361 日前發(fā)布的MOSFET導通電阻比市場上排名第二的產(chǎn)品低43%，降低壓降并減小傳導損耗，從而實現(xiàn)更高功率密度。
2020-08-17 11:53:14846 SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報價設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
是選擇小于1的電荷比QGD/QGS1。防止C dv/dt感應(yīng)導通的其他因素包括低驅(qū)動漏極阻抗(同步MOSFET Q2的導通電阻RDS(on) 及其封裝，在抑制C dv/dt導通方面具備同等的重要性
2019-05-13 14:11:31
系列為例，介紹trr的高速化帶來的優(yōu)勢。高速trr SJ-MOSFET： PrestoMOS FN系列PrestoMOS是具備SJ-MOSFET的高耐壓、低導通電阻及低柵極總電荷量特征、且進一步實現(xiàn)了
2018-11-28 14:27:08
VDS由流過的電流ID與導通電阻的乘積來確定。為什么這個區(qū)被定義為可變電阻區(qū)呢？功率MOSFET數(shù)據(jù)表中定義的導通電阻都有一定的條件，特別是VGS，當VGS不同時，溝道的飽和程度不同，因此不同的VGS
2016-12-21 11:39:07
上面原理圖是 用51單片機控制mosfet（NPN）開關(guān)的單相全波整流電路，整流橋采用的是IN4007二極管。焊接完畢后變壓器上電，mosfet始終處于導通狀態(tài)，無論單片機輸出什么信號，即便是把
2019-01-23 11:17:05
XC8102采用小型封裝USP-4 (1.2 x 1.6 x 0.6mm)，XC8102 系列是內(nèi)置P 溝道MOS FET、帶保護電路的低導通電阻線路開關(guān)用電路，輸入電壓范圍1.2V～6.0V,當
2021-04-19 07:57:47
，正常加載持續(xù)老化48小時通過 - 控制器短路試驗：A，B，C三相各短路30次全通過 - 控制器堵轉(zhuǎn)試驗：100次通過 產(chǎn)品特征 - 低導通電阻，低柵極電荷 - 高散熱能力；高結(jié)溫下，大電流持續(xù)導通能力
2020-08-12 16:08:24
。圖1：正向偏置SOA安全工作區(qū)（1）SOA曲線左上方的邊界斜線，受漏源極的導通電阻RDS（ON）限制。因為在一定的VGS的電壓下，功率MOSFET都有一個確定的RDS（ON），因此：VDS = ID
2016-10-31 13:39:12
功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃щ娐罚?）：等效電路（2）：說明功率 MOSFET 正向?qū)〞r可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅(qū)動電壓的大小有關(guān)，驅(qū)動電壓升高，該電阻
2021-09-05 07:00:00
一、功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃щ娐?）等效電路：2）說明：功率 MOSFET 正向?qū)〞r可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅(qū)動電壓的大小有關(guān)，驅(qū)動電壓升高，該電阻
2021-08-29 18:34:54
MOSFET和開關(guān)頻率不太高的中壓功率MOSFET。如果需要低的導通電阻，只有增大的晶片面積，晶片的面積受到封裝尺寸的限制，因此不適合于一些高功率密度的應(yīng)用。平面型高壓的功率MOSFET管的耐壓主要通過厚的低
2016-10-10 10:58:30
R60xxMNx系列不僅保持了ROHM獨有的PrestoMOS高速trr性能，還大大降低了導通電阻和Qg。在搭載變頻器的空調(diào)等電機驅(qū)動應(yīng)用案例中，與使用IGBT的情況相比，輕負載時的功率損耗可減少約56
2018-12-04 10:23:36
TrenchFET? IV是TrenchFET功率MOSFET家族中的最新一代產(chǎn)品。與TrenchFET III相比，TrenchFET IV的導通電阻(RDS(ON))和柵極電荷(QG, QGD
2013-12-31 11:45:20
轉(zhuǎn)換，負載開關(guān)，電機控制，背光，電池保護，電池充電器，音頻電路和汽車。推薦產(chǎn)品：BSS138DW-7-F；BSS138-7-FDiodes其它相關(guān)產(chǎn)品請點擊此處前往特征：低導通電阻低柵極閾值電壓輸入
2019-05-13 11:07:19
第二代。非常有助于改善包括電源在內(nèi)的PFC等各種功率轉(zhuǎn)換電路的效率。低噪聲 EN系列以往的超級結(jié)MOSFET具有導通電阻低、開關(guān)速度快的特點，但存在因其高速性而噪聲較大的課題。EN系列是結(jié)合了平面
2018-12-05 10:00:15
本帖最后由 luna 于 2011-3-3 15:02 編輯
高性能音頻和增強了的噪音抑制性能Fairchild二通道單刀雙擲,低導通電阻的音頻開關(guān)已經(jīng)開發(fā)了通過減少音頻爆破音的可能性來加強語音體驗。它們包括了最近的特性,具體地說是擁有終端電阻,提供緩慢開啟時間和允許負電壓信號的能力。
2011-03-02 23:11:29
DirectFET2功率環(huán)保封裝 由于采用COOLiRFET硅技術(shù), 40V AUIRF8736M2與上一代設(shè)備相比，導通電阻（Rds（on））改善了40%,從而可以將傳導損耗降到最低。雙面冷卻的中罐式
2018-09-28 15:57:04
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導通電阻
2010-05-06 08:55:20
可對導通損耗、整個器件和產(chǎn)品的性能產(chǎn)生重要影響。此外，由于這種最新技術(shù)的器件導通電阻尤其低，需要采用低電阻封裝，避免器件的應(yīng)用受封裝特性限制。如今，多數(shù)廠商的30V MOSFET器件技術(shù)，其芯片導通阻抗
2018-12-07 10:21:41
概述：CN2305是上海如韻電子出品的一款P溝道增強型功率MOSFET，它采用先進工藝，提供較低的導通電阻，低柵極電荷和低工作電壓，柵極電壓可低至2.5V。CN2305適合用于電池保護，或PWM開關(guān)中的應(yīng)用。
2021-04-13 06:46:20
有助于在應(yīng)用程序中節(jié)省空間。 這些MOSFET具有出色的高速開關(guān)和低導通電阻。查看詳情<<<特性：低RDS(on)降低功耗；低壓驅(qū)動；提供大電流Vds-漏源極
2021-02-02 09:55:16
忽略輸入開關(guān)的導通電阻。AD7980的Rin典型值是400Ω，遠大于外部電阻Rext，輸入開關(guān)導通電阻為何能忽略？如果考慮Rin，又該如何計算？另外Vstep為什么這樣計算？
2018-08-06 07:49:37
公司也有生產(chǎn)，但是ROHM在推進獨自開發(fā)。此次內(nèi)置的SJ MOSFET不僅實現(xiàn)了650V的高耐壓，還實現(xiàn)了低導通電阻與低柵極電荷，開關(guān)速度也非常快。這將大大改善開關(guān)即MOSFET的導通損耗與開關(guān)損耗。這
2019-04-29 01:41:22
MOSFET模型仿真驗證Id_Vds有效性MOSFET模型導通電壓Vgs(th)驗證MOSFET模型導通電阻測試驗證與體二極管I-V特性測試電路搭建MOSFET模型體二極管正向電流與正向電壓關(guān)系I_V性能仿真驗證
2017-04-12 20:43:49
，SiC MOSFET可在更寬的范圍內(nèi)保持低導通電阻。此外，可以看到，與150℃時的Si MOSFET特性相比，SiC、Si-MOSFET的特性曲線斜率均放緩，因而導通電阻增加。但是
2018-12-03 14:29:26
與IGBT相比，SiC MOSFET具備更快的開關(guān)速度、更高的電流密度以及更低的導通電阻，非常適用于電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動汽車、家用電器等高功率應(yīng)用。但是，在實際應(yīng)用中，工程師需要考慮SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
說明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見的結(jié)構(gòu)。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低導通電阻，近年來超級結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導通電阻與Vgs的關(guān)系。導通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
面積小（可實現(xiàn)小型封裝），而且體二極管的恢復損耗非常小。 主要應(yīng)用于工業(yè)機器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。 2. 標準化導通電阻 SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚
2023-02-07 16:40:49
電導率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時會產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00
電導率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時會產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
導通電阻，提供出色的開關(guān)性能，并在雪崩和換向模式下承受高能量脈沖。 這些器件非常適合于高效開關(guān)模式電源，基于半橋拓撲的有源功率因數(shù)校正。推薦產(chǎn)品：TSD5N65M；TSU5N65M；TSD5N50MR
2020-04-30 15:13:55
電壓。導通電阻表示功率MOSFET完全開后的電阻，和上述的線性區(qū)工作狀態(tài)并不相同。功率MOSFET的內(nèi)部二極管導通的反向工作狀態(tài)，因為其S、D極的電壓為二極管的壓降，因此并沒有線性區(qū)的過程，也就
2017-04-06 14:57:20
層對總的導通電阻起主導作用，要想保證高壓的功率MOSFET具有足夠的擊穿電壓，同時，降低導通電阻，最直觀的方法就是：在器件關(guān)斷時，讓低摻雜的外延層保證要求的耐壓等級，同時，在器件導通時，形成一個高摻雜
2017-08-09 17:45:55
1.低導通電阻 卓越的溝槽工藝與封裝技術(shù)相結(jié)合實現(xiàn)了低的導通電阻。這有助于提升您應(yīng)用中的產(chǎn)品性能。 2.小型封裝產(chǎn)品陣容3.封裝類型[tr=transparent]Toshiba Package
2018-05-15 22:37:38
為了保證Kelvin阻值測量的精度，需要考慮哪幾項重要的因素？精確測量功率MOSFET的導通電阻解析
2021-04-14 06:06:38
狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換，并且具有更低的導通電阻。例如，900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片內(nèi)提供與 Si MOSFET 相同的導通電阻（圖 1）。圖 1：SiC MOSFET（右側(cè)）與硅
2017-12-18 13:58:36
電氣技師和電子制造工程師用接地導通電阻測試儀驗證電器和消費產(chǎn)品（由交流電壓供電）上的裸露金屬是否適當?shù)剡B接到了其機殼底座。當電器內(nèi)部發(fā)生故障電流時，如果電器沒有適當?shù)剡B接到已接地的機殼底座，就存在
2017-09-30 09:38:49
、BD82054QVZ以及BD82055QVZ）。這幾款單通道高側(cè)開關(guān)IC采用N溝道功率MOSFET，具備低導通電阻（典型值63m?，VIN=5V），輸入電壓范圍2.7V~5.5V，非常適用于通用串行總線（USB
2019-04-10 06:20:03
電源型產(chǎn)品，皆有提供。 BD9E100FJ-LB、BD9E101FJ-LB是ROHM推出的內(nèi)置低導通電阻功率MOSFET的同步整流降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器，具有非常寬的輸入電壓范圍。采用電流控制模式，具有高速
2019-04-01 22:19:17
需要具備非常先進的技術(shù)能力才能實現(xiàn)。此外，內(nèi)置MOSFET的導通電阻很低，僅為150mΩ，有利于提高效率。 BD9G341AEFJ的轉(zhuǎn)換方式是被稱為“二極管整流”或“異步整流”的降壓方式。高邊
2018-10-19 16:47:06
非常先進的技術(shù)能力才能實現(xiàn)。此外，內(nèi)置MOSFET的導通電阻很低，僅為150mΩ，有利于提高效率。BD9G341AEFJ的轉(zhuǎn)換方式是被稱為“二極管整流”或“異步整流”的降壓方式。高邊MOSFET為內(nèi)置
2018-12-04 10:10:43
系列Hybrid MOS是同時具備超級結(jié)MOSFET（以下簡稱“SJ MOSFET”）的高速開關(guān)和低電流時的低導通電阻、IGBT的高耐壓和大電流時的低導通電阻這些優(yōu)異特性的新結(jié)構(gòu)MOSFET。下面為
2018-11-28 14:25:36
所示。Q1為放電管，使用N溝道增強型MOSFET,實際的工作中，根據(jù)不同的應(yīng)用，會使用多個功率MOSFET并聯(lián)工作，以減小導通電阻，增強散熱性能。RS為電池等效內(nèi)阻，LP為電池引線電感。 正常工作
2018-09-30 16:14:38
×1.0mm / 2W）用4540規(guī)格實現(xiàn)與SOP8型封裝（5060規(guī)格：5.0×6.0×1.75mm）同樣高的封裝功率（安裝面積減少約40％，高度減小約40％）2） 由于其中采用了新開發(fā)的低導通電阻芯片，獲得了大的電流額定值ID=6A Max.（MP6K62）:
2018-08-24 16:56:26
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
和低導通電阻之間取得平衡。在多負載電源系統(tǒng)中，這種情況會變得更加復雜。圖 1—降壓同步開關(guān)穩(wěn)壓器原理圖DC/DC 開關(guān)電源因其高效率而廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代許多電子系統(tǒng)中。例如，同時擁有一個高側(cè) FET和低側(cè)
2019-11-30 18:41:39
”這個參數(shù)的影響。下面以“升降壓轉(zhuǎn)換器的傳遞函數(shù)導出示例 其2”的ton≠ton’ 的升降壓轉(zhuǎn)換器為基礎(chǔ)，按照同樣步驟來推導。右側(cè)電路圖在上次給出的升降壓轉(zhuǎn)換器簡圖上標出了作為開關(guān)的MOSFET的導通電阻
2018-11-30 11:48:22
使用MOSFET設(shè)計開關(guān)電源時，大部分人都會考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個好的設(shè)計方案。更細致的，MOSFET還應(yīng)考慮本身寄...
2021-10-28 06:56:14
求推薦一款導通電阻毫歐級別的常閉型固態(tài)繼電器，或者其他的導通電阻很小的也行,不想用電磁繼電器，要求就是常態(tài)下是閉合，給電才導通
2021-01-09 09:50:06
如何將阻斷高電壓的低摻雜、高電阻率區(qū)域和導電通道的高摻雜、低電阻率分開解決。如除導通時低摻雜的高耐壓外延層對導通電阻只能起增大作用外并無其他用途。這樣，是否可以將導電通道以高摻雜較低電阻率實現(xiàn)，而在MOS
2018-11-01 15:01:12
測量MOS管的導通電阻除了在選定開關(guān)時有用，還在哪些方面有重要的意義？
2012-05-17 10:44:16
提高，導通電阻隨之以2.4-2.6次方增長，其增長速度使MOSFET制造者和應(yīng)用者不得不以數(shù)十倍的幅度降低額定電流，以 折中額定電流、導通電阻和成本之間的矛盾。即便如此，高壓MOSFET在額定結(jié)溫下
2020-03-31 17:08:29
記得作者2002年做研發(fā)的時候，在熱插撥的應(yīng)用中就開始關(guān)注到這個問題，那時候很難找到相關(guān)的資料，最后在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中根據(jù)相關(guān)的圖表找到導通電阻RDS(ON)的這個違背常理的特性，然后
2016-09-26 15:28:01
，基本上變化不大，導通壓降為ID的電流和導通電阻的乘積，這也是完全導通區(qū)。基于MOSFET的漏極導通特性曲線可以直觀的理解MOSFET開通時，跨越關(guān)斷區(qū)、恒流區(qū)（放大區(qū)）和可變電阻區(qū)的過程。恒流區(qū)有
2016-11-29 14:36:06
最大的連續(xù)漏極電流ID的計算公式： 其中，RDS(ON)_TJ(max)為在最大工作結(jié)溫TJ下，功率MOSFET的導通電阻；通常，硅片允許的最大工作結(jié)溫為150℃。熱阻RqJC的測量可以參見文章：功率
2016-08-15 14:31:59
的應(yīng)用，因此通常采用同步的BUCK變換器，續(xù)流回路用MOSFET取代二極管，MOSFET導通電阻低，其導通壓降：即導通電阻和電流乘積小于二極管的壓降，因此功率損耗低，提高系統(tǒng)的效率。圖3：電流取樣電阻放置
2016-07-20 14:07:04
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導通電阻
2023-04-11 15:29:18
低功耗的、以極快的反向恢復時間（trr）為特點的ROHM獨創(chuàng)的功率MOSFET。＜提高設(shè)計靈活度的關(guān)鍵＞開關(guān)速度的高速化與誤開啟現(xiàn)象、噪聲干擾是相悖的，用戶在電路設(shè)計時需要通過調(diào)整柵極電阻來進行優(yōu)化
2020-03-12 10:08:31
低功耗的、以極快的反向恢復時間（trr）為特點的ROHM獨創(chuàng)的功率MOSFET。＜提高設(shè)計靈活度的關(guān)鍵＞開關(guān)速度的高速化與誤開啟現(xiàn)象、噪聲干擾是相悖的，用戶在電路設(shè)計時需要通過調(diào)整柵極電阻來進行優(yōu)化
2020-03-12 10:08:47
所需的功率。在正常工作期間，耗盡型 MOSFET 由于其低靜態(tài)電流而消耗的功率最小。這種方法的主要優(yōu)點是理論上啟動序列后的功耗為零，從而提高了整體效率。此外，它在PCB上占用的面積更小，可實現(xiàn)寬輸入
2023-02-21 15:46:31
我有2個很快的問題。1。AMUX和AMUX定序器的導通電阻和電容是多少？2。SAR和Delta DigMA ADC的采樣電阻和電容是多少？
2019-09-10 15:18:05
請問有人知道MOS管作為開關(guān)如何仿真在開啟與中斷狀態(tài)下，不同頻率點的導通電阻嗎？我想仿真上圖的SW在Vsw不同狀態(tài)下MOS管的導通電阻，用了下面的testbench 使用sp仿真，結(jié)果查看ZM的實部，但是出來的結(jié)果如下所示：結(jié)果都很小并且打開和關(guān)斷阻抗大小是相反的，請問有人知道這個是出了什么問題嗎
2021-06-25 07:59:24
，Si-MOSFET在這個比較中，導通電阻與耐壓略遜于IGBT和SiC-MOSFET，但在低～中功率條件下，高速工作表現(xiàn)更佳。平面MOSFET與超級結(jié)MOSFETSi-MOSFET根據(jù)制造工藝可分為平面
2018-11-28 14:28:53
MOSFET的結(jié)構(gòu)高壓的功率MOSFET的外延層對總的導通電阻起主導作用，要想保證高壓的功率MOSFET具有足夠的擊穿電壓，同時，降低導通電阻，最直觀的方法就是：在器件關(guān)斷時，讓低摻雜的外延層保證要求的耐壓
2018-10-17 16:43:26
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。這些
2021-07-08 09:35:56
不能降低高壓MOSFET的導通電阻，所剩的思路就是如何將阻斷高電壓的低摻雜、高電阻率區(qū)域和導電通道的高摻雜、低電阻率分開解決。如除 導通時低摻雜的高耐壓外延層對導通電阻只能起增大作用外并無其他
2023-02-27 11:52:38
%。特性方面的定位是標準特性。低噪聲SJ-MOSFET：EN系列SJ-MOSFET具有“導通電阻低，開關(guān)速度快”的特征，但存在其高速性導致噪聲比平面型大的課題。為改善這個問題開發(fā)了EN系列。該系列產(chǎn)品融合了
2018-12-03 14:27:05
因為功率MOSFET的導通電阻和耐壓有以下的關(guān)系，即Rds(on)∞BVds2.4～2.7所在總芯片面積相等的情況下，如把幾個低壓MOSFET串聯(lián)連接，比1個高耐壓MOSFET的導通電阻低。
2010-05-25 08:16:05
170 自1976年開發(fā)出功率MOSFET以來，由于半導體工藝技術(shù)的發(fā)展，它的性能不斷提高：如高壓功率MOSFET其工作電壓可達1000V；低導通電阻MOSFET其阻值僅lOmΩ；工作頻率范圍從直流到達數(shù)
2010-06-07 08:22:4840 Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011090 Toshiba推出低功率柵極驅(qū)動光耦合器
Toshiba推出了一系列的超低功耗光耦合隔離器，設(shè)計用來驅(qū)動需要輸出電流高達±6.0A的IGBT和功率MOSFET。新的驅(qū)動器IC光耦合器TLP358系
2010-01-20 08:37:03696 導通電阻,導通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么?
傳統(tǒng)模擬開關(guān)的結(jié)構(gòu)如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構(gòu)成，可使正負信號傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:474912 Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，這些功率MOSFET改善效率和具有快速開關(guān)速度，應(yīng)用工作電壓高達650V, 電流20A。新的TK系列器件適合用于各
2010-03-30 10:37:181448 IR推出汽車專用MOSFET系列低導通電阻
全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:32746 功率MOSFET具有導通電阻低、負載電流大的優(yōu)點，因而非常適合用作開關(guān)電源的整流組件
2011-01-13 10:57:001590 
瑞薩電子宣布推出新款低導通電阻MOSFET產(chǎn)品，包括經(jīng)過最佳化的μPA2766T1A，做為網(wǎng)路伺服器與儲存系統(tǒng)之電源供應(yīng)器內(nèi)的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:10939 MOSFET的導通電阻
2018-08-14 00:12:0012630 安森美半導體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術(shù)碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。此外，該SiC MOSFET具有低導通電阻
2020-06-15 14:19:403728 對于功率半導體來說，當導通電阻降低時短路耐受時間※2就會縮短，兩者之間存在著矛盾權(quán)衡關(guān)系，因此在降低SiC MOSFET的導通電阻時，如何兼顧短路耐受時間一直是一個挑戰(zhàn)。
2020-06-22 15:54:12771 對于MOSFET，歐姆電阻不僅僅只考慮溝道電阻，對于阻斷電壓在50V以上的器件中低摻雜中間區(qū)域的電阻起到?jīng)Q定作用。
2021-05-01 17:26:0014838 
在功率半導體器件中，MOSFET以高速、低開關(guān)損耗、低驅(qū)動損耗在各種功率變換，特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓領(lǐng)域，MOSFET沒有競 爭對手，但隨著MOS的耐壓提高，導通電阻隨之
2022-03-17 09:35:332873 )(統(tǒng)稱“東芝”)已經(jīng)開發(fā)了一種碳化硅(SiC)金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。該晶體管將嵌入式肖特基勢壘二極管(SBD)排列成方格狀(方格狀嵌入式SBD)，以實現(xiàn)低導通電阻和高可靠性。東芝
2022-12-12 18:01:531070 。“導通電阻”和“Qgd”是引起MOSFET功率損耗的兩項主要參數(shù)，但對于普通的MOSFET而言，由于導通電阻與芯片尺寸成反比，
2023-05-17 13:35:02471 
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（以下簡稱“Toshiba”）推出了“SSM14N956L”，這是一款額定電流為20A的12V
2023-05-19 10:20:07719 兩者因為其柵極都是在外延表面生長出來的平面結(jié)構(gòu)所以都統(tǒng)稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結(jié)構(gòu)是把柵極構(gòu)建在結(jié)構(gòu)內(nèi)部，挖出來的溝槽里面，叫做溝槽型MOSFET。針對兩種不同的結(jié)構(gòu)，對其導通電阻的構(gòu)成進行簡單的分析介紹。
2023-06-25 17:19:021461 
?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導通電阻、30V N溝道共漏MOSFET，適用于帶USB的設(shè)備和電池組保護。產(chǎn)品發(fā)貨即日起開始。
2023-11-08 16:22:22320 近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導通電阻達到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領(lǐng)域提供更為高效、可靠的功率半導體開關(guān)解決方案。
2024-01-04 14:37:57316
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