女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

Toshiba推出小巧輕薄型共漏極MOSFET,具有極低導通電阻,適合快速充電設備

文傳商訊 ? 來源:文傳商訊 ? 作者:文傳商訊 ? 2023-05-19 10:20 ? 次閱讀

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation(以下簡稱“Toshiba”)推出了“SSM14N956L”,這是一款額定電流為20A的12V共漏極N溝道MOSFET,用于鋰離子(Li-ion)電池組(例如移動設備電池組)的電池保護電路中。今天開始發貨。

鋰離子電池組依靠高度穩健的保護電路來減少充電和放電時產生的熱量并提高安全性。這些電路必須具有低功耗和高密度封裝的特性,需要能夠提供低導通電阻的小巧輕薄型MOSFET。

SSM14N956L采用Toshiba的微工藝,已經發布的SSM10N954L也是如此。這就確保了低功率損耗(由于行業領先的[1]低導通電阻特性)和低待機功率(通過行業領先的[1]低柵源漏電流特性實現)。這些品質有助于延長電池的工作時間。新產品還采用了全新的小型薄型封裝TCSPED-302701(2.74mm x 3.0mm,t = 0.085mm (typ.))。

Toshiba將繼續開發MOSFET產品,用于鋰離子電池組供電設備中的保護電路。

應用

·使用鋰離子電池組的消費類電子產品和辦公及個人設備,包括智能手機、平板電腦、移動電源、可穿戴設備、游戲機、電動牙刷、小型數碼相機、數碼單反相機等。

特性

·行業領先的[1]低導通電阻:RSS(ON)=1.1mΩ (typ.) @VGS=3.8V

·行業領先的[1]低柵源漏電流:IGSS=±1μA (max) @VGS=±8V

·小巧輕薄型TCSPED-302701封裝:2.74mm x 3.0mm,t=0.085mm (typ.)

·共漏極結構,可輕松用于電池保護電路中

注意:
[1]:在具有相同評級的產品中。截至2023年5月的數據,基于Toshiba的調查結果。

主要規格

(除非另有說明,Ta=25°C)
部件編號 SSM14N956L SSM10N954L[2]
配置 N溝道共漏極
絕對
最大
額定值
源極電壓VSSS(V) 12
柵極電壓VGSS(V) ±8
拉電流(直流)IS(A) 20.0 13.5
電氣
特性
柵極漏電流IGSS
max (μA)
@VGS= ±8V ±1
源極
導通電阻RSS(ON)
typ. (mΩ)
@VGS=4.5V 1.00 2.1
@VGS=3.8V 1.10 2.2
@VGS=3.1V 1.25 2.4
@VGS=2.5V 1.60 3.1
封裝 名稱 TCSPED-302701 TCSPAC-153001
典型尺寸(mm) 2.74x3,
t=0.085
1.49x2.98,
t=0.11
抽樣檢查和供貨情況 在線購買 在線購買

注意:
[2]已發布產品。

*公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。
*本文檔中的信息(包括產品價格和規格、服務內容和聯系信息)在發布之日是最新的。但如有更改,恕不另行通知。

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 電阻
    +關注

    關注

    87

    文章

    5606

    瀏覽量

    174326
  • MOSFET
    +關注

    關注

    150

    文章

    8252

    瀏覽量

    218477
  • 電池
    +關注

    關注

    84

    文章

    10984

    瀏覽量

    133973
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    MOSFET通電阻參數解讀

    通電阻(RDSON)指的是在規定的測試條件下,使MOSFET處于完全通狀態時(工作在線性區),
    的頭像 發表于 05-26 15:09 ?464次閱讀
    <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>導</b><b class='flag-5'>通電阻</b>參數解讀

    CSD87313DMS 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET、雙 SON 3mm x 3mm、5.5mOhm數據手冊

    CSD87313DMS 是一款 30V 、雙 N 通道器件,專為 USB Type-C/PD 和電池保護而設計。這款 SON 3.3mm × 3.3mm 器件具有低源
    的頭像 發表于 04-16 09:55 ?246次閱讀
    CSD87313DMS 30V、N 通道 NexFET? 功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b>、雙<b class='flag-5'>共</b><b class='flag-5'>漏</b> SON 3mm x 3mm、5.5mOhm數據手冊

    LT8619SSN溝道增強功率MOSFET規格書

    電子發燒友網站提供《LT8619SSN溝道增強功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
    發表于 03-25 18:22 ?0次下載

    LT8816SLB雙通道N溝道增強功率MOSFET規格書

    電子發燒友網站提供《LT8816SLB雙通道N溝道增強功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
    發表于 03-25 17:33 ?0次下載

    LT8814SL雙通道N溝道增強功率MOSFET規格書

    電子發燒友網站提供《LT8814SL雙通道N溝道增強功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
    發表于 03-25 17:30 ?0次下載

    國產碳化硅MOSFET“最低比通電阻”宣傳噱頭背后隱藏的真相

    國產碳化硅MOSFET“最低通電阻和最低比通電阻”宣傳噱頭背后隱藏的真相與潛在危害分析: 為了謀求短期利益博取融資或者投資,中長期損害終
    的頭像 發表于 03-17 16:40 ?317次閱讀
    國產碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>“最低比<b class='flag-5'>導</b><b class='flag-5'>通電阻</b>”宣傳噱頭背后隱藏的真相

    ROHM推出超低通電阻和超寬SOA范圍的Nch功率MOSFET

    全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向企業級高性能服務器和AI服務器電源,開發出實現了業界超低通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。
    的頭像 發表于 03-13 15:08 ?509次閱讀
    ROHM<b class='flag-5'>推出</b>超低<b class='flag-5'>導</b><b class='flag-5'>通電阻</b>和超寬SOA范圍的Nch功率<b class='flag-5'>MOSFET</b>

    LT8810SSYN溝道增強功率MOSFET規格書

    電子發燒友網站提供《LT8810SSYN溝道增強功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
    發表于 03-07 09:35 ?0次下載

    MOSFET開關損耗和主導參數

    開關過程中柵極電荷特性 開通過程中,從t0時刻起,柵源極間電容開始充電,柵電壓開始上升,柵極電壓為 其中:,VGS為PWM柵極驅動器的輸出電壓,Ron為PWM柵極驅動器內部串聯通電阻,Ciss為
    發表于 02-26 14:41

    上海貝嶺150V SGT MOSFET系列產品介紹

    具有極低通電阻和較高的源間擊穿電壓Vdss;采用屏蔽柵極結構,器件獲得優良的開關性能,使得150V SGT系統產品具有極低的開關損耗。
    的頭像 發表于 01-03 10:19 ?920次閱讀
    上海貝嶺150V SGT <b class='flag-5'>MOSFET</b>系列產品介紹

    銳駿新款超低通MOSRUH4040M、80M更適用于新產品研發

    MOSFET系列 RUH4080M-B RUH4080M-B是一款高性能的N溝道 MOSFET,采用先進SGT(屏蔽柵極槽)技術,具有通電阻
    發表于 10-14 09:40

    銳駿半導體發布全新超低通電阻MOSFET

    近日,銳駿半導體正式推出了兩款全新的超低通電阻MOSFET產品,為市場帶來了更加高效的解決方案。
    的頭像 發表于 10-08 15:15 ?621次閱讀

    Toshiba東芝TPN3R704PL MOSFET硅N溝道MOS產品規格書

    最大限度地減少功耗,這對于對電源敏感的應用(如DC-DC轉換器)至關重要。低通電阻 (RDS(ON)): TPH3R704PC 的典型通電阻
    發表于 09-14 09:11 ?0次下載

    MOSFET通電壓的測量方法

    MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)是一種廣泛應用于電子設備中的半導體器件。MOSFET通電壓,也稱為閾值電壓(Vth),是
    的頭像 發表于 08-01 09:19 ?1954次閱讀

    MOSFET的基本結構與工作原理

    ,這些材料在生產方便性和可靠性上都更具有優勢。不妨礙對MOSFET結構和基本工作原理的理解,在此仍認為其是金屬材料。和結場效應晶體管一樣,在MOSFET中載流子也是從源
    發表于 06-13 10:07