國產(chǎn)碳化硅MOSFET“最低導(dǎo)通電阻和最低比導(dǎo)通電阻”宣傳噱頭背后隱藏的真相與潛在危害分析：

為了謀求短期利益博取融資或者投資，中長期損害終端客戶利益和行業(yè)名聲，最終也會導(dǎo)致投資者血本無歸。

一、國產(chǎn)碳化硅MOSFET參數(shù)競賽背后的技術(shù)真相

柵氧減薄與可靠性犧牲
部分國產(chǎn)碳化硅MOSFET廠家通過過度減薄柵氧化層厚度（如從50nm降至30nm以下）降低導(dǎo)通電阻RDS(on)?及比導(dǎo)通電阻Rds(on)SP，但此舉顯著削弱柵氧可靠性。部分國產(chǎn)碳化硅MOSFET在HTGB測試中僅能承受+19V電壓（高質(zhì)量國產(chǎn)碳化硅MOSFET可承受+22V/3000H），且TDDB壽命僅103小時（高質(zhì)量國產(chǎn)碳化硅MOSFET為10?小時）。柵氧減薄導(dǎo)致電場強(qiáng)度超過臨界值（>4MV/cm），加速缺陷積累，引發(fā)閾值電壓漂移甚至擊穿。

實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證縮水
部分國產(chǎn)碳化硅MOSFET廠家跳過長期可靠性測試（如HTGB、TDDB），僅通過少量實(shí)驗(yàn)即量產(chǎn)（Page 9）。高質(zhì)量國產(chǎn)碳化硅MOSFET通過3000+組DOE優(yōu)化結(jié)構(gòu). 而部分國產(chǎn)碳化硅MOSFET廠家僅完成100組實(shí)驗(yàn)，工藝穩(wěn)定性不足，導(dǎo)致器件在高溫、高電場下失效風(fēng)險(xiǎn)激增。

誤導(dǎo)性參數(shù)標(biāo)定
部分國產(chǎn)碳化硅MOSFET廠家宣稱“最低比導(dǎo)通電阻”，實(shí)則為實(shí)驗(yàn)室極限值，未考慮實(shí)際工況（如結(jié)溫波動、開關(guān)應(yīng)力）。部分國產(chǎn)碳化硅MOSFET可能僅在常溫（25°C）下有效，高溫性能大幅退化。

二、短期利益驅(qū)動的危害

系統(tǒng)失效風(fēng)險(xiǎn)

批量故障：減薄柵氧的器件在車規(guī)級應(yīng)用中易因長期高溫工作引發(fā)閾值電壓漂移，導(dǎo)致電機(jī)控制器失效，典型案例為2024年某車企因碳化硅模塊批量故障召回。

安全隱患：儲能變流器（PCS）中器件失效可能引發(fā)直流母線短路，造成火災(zāi)風(fēng)險(xiǎn)。

全生命周期成本飆升

維護(hù)成本：低可靠性國產(chǎn)碳化硅MOSFET器件壽命僅1-2年（競品TDDB壽命103小時≈41天連續(xù)工作），而高可靠性產(chǎn)品壽命超10年，頻繁更換導(dǎo)致運(yùn)維成本增加3-5倍。

隱性損失：工商業(yè)儲能系統(tǒng)因故障停機(jī)單次損失可達(dá)數(shù)十萬元，遠(yuǎn)超器件采購成本。

行業(yè)生態(tài)破壞

劣幣驅(qū)逐良幣：低價低質(zhì)國產(chǎn)碳化硅MOSFET產(chǎn)品擠壓高可靠性廠商生存空間，高品質(zhì)碳化硅MOSFET企業(yè)被迫轉(zhuǎn)向低端市場，抑制技術(shù)創(chuàng)新。

標(biāo)準(zhǔn)滯后：行業(yè)缺乏強(qiáng)制可靠性測試（如HTGB+22V/3000H），企業(yè)自行定義寬松條件，形成“虛假達(dá)標(biāo)”亂象。

三、破局路徑：從“參數(shù)競賽”到“質(zhì)量競爭”

技術(shù)層面

可靠性優(yōu)先設(shè)計(jì)：采用科學(xué)模型（如E模型、1/E模型）優(yōu)化柵氧厚度，平衡RDS(on)?與壽命，如將柵氧厚度控制在50nm，確保電場強(qiáng)度<4MV/cm。

全流程驗(yàn)證：強(qiáng)制國產(chǎn)碳化硅MOSFET廠商HTGB+TDDB組合測試，公開DOE報(bào)告與失效分析數(shù)據(jù)，接受第三方檢測。

市場層面

客戶教育：推動從“價格導(dǎo)向”轉(zhuǎn)向“全生命周期成本”評估.

標(biāo)準(zhǔn)制定：建立車規(guī)級（AQG324）、電網(wǎng)級強(qiáng)制認(rèn)證，要求公開加速因子與壽命預(yù)測模型。

政策層面

產(chǎn)能引導(dǎo)：限制低端產(chǎn)能擴(kuò)張，定向補(bǔ)貼高可靠性技術(shù)。

懲罰機(jī)制：對虛標(biāo)參數(shù)、隱瞞失效數(shù)據(jù)的企業(yè)納入失信名單，推動行業(yè)洗牌。

結(jié)論

國產(chǎn)碳化硅MOSFET“最低(比)導(dǎo)通電阻”宣傳的背后，本質(zhì)是犧牲可靠性換取短期參數(shù)優(yōu)勢的技術(shù)短視行為。其危害不僅限于產(chǎn)品失效，更會扭曲市場機(jī)制、阻礙產(chǎn)業(yè)升級。唯有通過技術(shù)深耕、標(biāo)準(zhǔn)完善、生態(tài)重構(gòu)，才能推動行業(yè)從“虛假繁榮”走向“高質(zhì)量發(fā)展”，真正支撐新能源、電動汽車等戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)的崛起。

審核編輯 黃宇