視頻簡介:目前,市場對低能耗和節能型電子產品的需求極大,從而符合及超越政府及行業標準組織的節能要求。功率MOSFET由于開關損耗低,已經成為主要開關器件的標準選擇。功率MOSFET在高速開關、高擊穿電壓、大電流及低功率損耗方面提供極佳性能。它們在高速、高頻工作方面極為出色。功率MSOFET廣泛用于開關穩壓器,如AC-DC或DC-DC轉換器及電機控制器。這視頻討論功率MOSFET,特別是安森美半導體先進的纖薄ATPAK封裝功率MOSFET。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
開關
+關注
關注
19文章
3268瀏覽量
94706 -
MOSFET
+關注
關注
149文章
8185瀏覽量
218142 -
安森美半導體
+關注
關注
17文章
565瀏覽量
61476
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
功率器件開關功耗測試詳細步驟 HD3示波器輕松搞定MOSFET開關損耗測試
功率器件(MOSFET/IGBT) 是開關電源最核心的器件同時也是最容易損壞的器件之一。
發表于 05-14 09:03
?178次閱讀

麥科信光隔離探頭在碳化硅(SiC)MOSFET動態測試中的應用
測試結果的準確性。
采用麥科信光隔離探頭MOIP200P的SiC MOSFET動態測試結果
客戶反饋
在SiC MOSFET的納秒級開關動
發表于 04-08 16:00
MOSFET與IGBT的區別
(零電壓轉換) 拓撲中的開關損耗,并對電路和器件特性相關的三個主要功率開關損耗—導通損耗、傳導損耗和關斷損耗進行描述。此外,還通過舉例說明
發表于 03-25 13:43
圣邦微電子推出超小封裝MOSFET器件SGMNQ32430
圣邦微電子推出 SGMNQ32430,一款 30V,功率型,3.1mΩ 超低導通電阻,單通道 N 型,采用 TDFN-2×2-6BL 及 PDFN-3.3×3.3-8L 超小封裝的 MOSFE
安世半導體CCPAK1212封裝再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現
基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia(安世半導體)近日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產品均采用創新型銅夾片CCPAK1212
高壓MOSFET功率器件4A-500V N溝道MOSFET半導體提供平面條紋和DMOS技術
4A-500V N溝道功率器件MOSFET采用先進技術N溝道模式,提供平面條紋和DMOS技術。實現最低的導通電阻和卓越開關性能。4N50通常

新型OptiMOS 7 MOSFET改進汽車應用中的導通電阻、設計穩健性和開關效率
,在40 V 產品組合中新增了采用穩健且無鉛封裝的器件,并且推出了80 V和100 V型號的OptiMOS? 7 MOSFET。這些
發表于 06-18 17:51
?840次閱讀

功率 MOSFET、其電氣特性定義
依賴性該特性是用于設計在預定工作電流Id的情況下在什么柵極驅動電壓下影響V_DS(on)區域(導通電阻區域)的特性曲線。對于功率MOSFET,根據柵極驅動工作電流生產10V驅動元件、4V驅動元件、4V
發表于 06-11 15:19
功率MOSFET的主要特點
、電機驅動等領域中扮演著至關重要的角色。與雙極型功率器件相比,功率MOSFET憑借其獨特的特性,如電壓控制、高輸入阻抗、快速開關速度等,成為
評論