功率損耗是開關器件性能評估的重要環節，也是很多示波器付費選配的高級功能。雖然很多實驗室配備了功率損耗測量環境，對設備和探頭也投入不菲，但如果工程師忽略了探頭之間的時間偏移，測試結果很可能會隨之失去意義。
2017-12-01 16:00:17
6072 
MOSFET/IGBT的開關損耗測試是電源調試中非常關鍵的環節，但很多工程師對開關損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上，PFC MOSFET的開關損耗更是只能依據口口相傳的經驗反復摸索，那么該如何量化評估呢?
2022-10-19 10:39:232250 MOS 管的開關損耗對ＭOS 管的選型和熱評估有著重要的作用，尤其是在高頻電路中，比如開關電源，逆變電路等。
2023-07-23 14:17:004991 
MOSFET功率損耗的詳細計算
2023-09-28 06:09:39
本文詳細分析計算開關損耗，并論述實際狀態下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程，從而使電子工程師知道哪個參數起主導作用并更加深入理解MOSFET。
MOSFET開關損耗
1 開通
2025-02-26 14:41:53
)與電源轉換技術來提高電源轉換效率之外，新式功率器件在高效能轉換器中所扮演的重要角色，亦不容忽視。其中，Power MOSFET 目前已廣泛應用于各種電源轉換器中。本文將簡述Power MOSFET 的特性
2025-03-24 15:03:44
到每個MOSFET的功率損耗。（3）將MOSFET的功率損耗，按一定的比例分配給開關損耗和導通損耗，不確定的話，平均分配開關損耗和導通損耗。（4）由MOSFET導通損耗和流過的有效值電流，計算最大允許
2017-11-15 08:14:38
的影響更明顯。（3）降低米勒電壓，也就是降低閾值開啟電壓同時提高跨導，也可以提高開關速度，降低開關損耗。但過低的閾值電壓會使MOSFET容易受到干擾誤導通，而跨導和工藝有關。
2017-03-06 15:19:01
-t4完全開通，只有導通電阻產生的導通損耗，沒有開關損耗。t1-t2、t2-t3二個階段，電流和電壓產生重疊交越區，因此產生開關損耗。同時，t1-t2和t2-t3二個階段工作于線性區，因此功率MOSFET
2017-02-24 15:05:54
在功率MOSFET的數據表中，列出了開通延時、開通上升時間，關斷延時和關斷下降時間，作者經常和許多研發的工程師保持技術的交流，在交流的過程中，發現有些工程師用這些參數來評估功率MOSFET的開關損耗
2016-12-16 16:53:16
功率開關管功耗的計算1) 開關管導通時的功耗測試：開通時間Ton(uS) 4.955 (時間測量以電壓波形為基準)開通時電流的最小值Ion-min(A) 0.222開通時電流的最大值Ion-max
2011-08-09 11:44:43
外部元器件而不是功率開關本身對集電極或漏極電流進行控制。 電源開關轉換期間的開關損耗就更復雜，既有本身的因素，也有相關元器件的影響。與損耗有關的波形只能通過電壓探頭接在漏源極(集射極)端的示波器觀察
2020-08-27 08:07:20
捕獲波形。開關器件分析開關損耗分析：測量開關器件的功率和能量損耗大小。理想狀態下，開關損耗=導通損耗(VDS=0V)+關斷損耗(IDS=0A)=0W。但實際情況并非那么令人滿意，開關電源的功率和能量損耗
2020-02-28 15:53:01
3、開關動態損耗?? 由于開關損耗是由開關的非理想狀態引起的，很難估算MOSFET 和二極管的開關損耗，器件從完全導通到完全關閉或從完全關閉到完全導通需要一定時間，也稱作死區時間，在這個過程中會產生
2021-12-29 07:52:21
一、開關損耗包括開通損耗和關斷損耗兩種。開通損耗是指功率管從截止到導通時所產生的功率損耗；關斷損耗是指功率管從導通到截止時所產生的功率損耗。二、開關損耗原理分析：(1)、非理想的開關管在開通時，開關
2021-10-29 07:10:32
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）組成的類型，也有僅以SiC-MOSFET組成的類型。與Si-IGBT功率模塊相比，開關損耗大大降低處理大電流的功率模塊中，Si的IGBT與FRD
2018-12-04 10:14:32
如圖片所示，為什么MOS管的開關損耗（開通和關斷過程中）的損耗是這樣算的，那個72pF應該是MOS的輸入電容，2.5A是開關電源限制的平均電流
2018-10-11 10:21:49
計算，實測截圖如圖3所示。 3、MOS管和PFCMOS管的實測演示視頻 MOS管損耗測試對于器件評估非常關鍵，通過示波器的電源分析軟件，可以快速有效的對器件的功率損耗進行評估，ZDS3000/4000系列示波器免費標配電源分析軟件。
2018-11-09 11:43:12
本帖最后由 小小的大太陽 于 2017-5-31 10:06 編輯
MOS管的導通損耗影響最大的就是Rds，而開關損耗好像不僅僅和開關的頻率有關，與MOS管的結電容，輸入電容，輸出電容都有關系吧？具體的關系是什么？有沒有具體計算開關損耗的公式？
2017-05-31 10:04:51
電導率調制，向漂移層內注入作為少數載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數載流子的積聚，在Turn-off時會產生尾電流，從而造成極大的開關損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
本帖最后由 張飛電子學院魯肅 于 2021-1-30 13:21 編輯
本文詳細分析計算功率MOSFET開關損耗，并論述實際狀態下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程，從而使電子
2021-01-30 13:20:31
減少開關損耗。 圖2全部絕對最大電流和功率數值都是真實的數據 圖3MOSFET在施加功率脈沖情況下的熱阻實際上，我們可以把MOSFET選型分成四個步驟。 選好額定電流后，還必須計算導通損耗。在實際情況
2019-09-04 07:00:00
DMOS結構SiC-MOSFET的全SiC功率模塊BSM180D12P2C101、以及采用第三代溝槽結構MOSFET的BSM180D12P3C007的開關損耗比較結果。相比IGBT，第二代的開關損耗
2018-11-27 16:37:30
4開關損耗測試結果圖六、總結開關損耗測試對于器件評估非常關鍵，通過專業的電源分析插件，可以快速有效的對器件的功率損耗進行評估，相對于手動分析來說，更加簡單方便。對于MOSFET來說，I2R的導通損耗計算公式是最好的選擇。
2021-11-18 07:00:00
壞該開關器件。 由于硬開關存在以上缺點，限制了開關器件工作頻率的提高，在軟開關技術出來之前，功率開關器件的開關損耗是很大的。為了彌補硬開關工作的不足，提出了軟開關技術。 軟開關技術的原理 所謂
2019-08-27 07:00:00
MOSFET的功率損耗。（3）將MOSFET的功率損耗，按一定的比例分配給開關損耗和導通損耗，不確定的話，平均分配開關損耗和導通損耗。（4）由MOSFET導通損耗和流過的有效值電流，計算最大允許的導通電
2019-04-04 06:30:00
如何更加深入理解MOSFET開關損耗？Coss產生開關損耗與對開關過程有什么影響？
2021-04-07 06:01:07
過程詳述于圖1）。 同步整流器的功耗 除最輕負載以外，各種情況下同步整流器MOSFET的漏-源電壓在打開和關閉過程中都會被續流二極管鉗位。因此，同步整流器幾乎沒有開關損耗，它的功率消耗很容易計算
2021-01-11 16:14:25
算法，可根據負載功率因子在不同扇區內靈活放置零電壓矢量，與傳統的連續調制SVPWM相比，在增加開關頻率的同時減小了開關電流。仿真結果也表明這種方法有著最小的開關損耗。
2019-10-12 07:36:22
分析和計算開關損耗，并討論功率MOSFET導通過程和自然零電壓關斷過程的實際過程，以便電子工程師了解哪個參數起主導作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET開關損耗1，通過過程中的MOSFET開關損耗功率M...
2021-10-29 08:43:49
的動態特性: 1、器件在不同溫度的特性 2、短路特性和短路關斷 3.柵極驅動特性 4.關斷時過電壓特性 5.二極管回復特性 6.開關損耗測試等二、測試平臺搭建 泰克推出了IGBT Town功率器件支持
2021-05-20 11:17:57
功率MOSFET的Coss會產生開關損耗，在正常的硬開關過程中，關斷時VDS的電壓上升，電流ID對Coss充電，儲存能量。在MOSFET開通的過程中，由于VDS具有一定的電壓，那么Coss中儲能
2017-03-28 11:17:44
在這篇博文中，我們將介紹在無負載、標稱負載和全負載條件下測試開關特點的各個步驟。 在開始前，應確保所有開關的啟動、關閉、占空比和死區時間都符合預期，如MOSFETs和IGBTs。泰克示波器包括一種
2016-08-31 15:36:31
我們將介紹測試電源開關損耗和傳導損耗的各個步驟。 記住，經過電源開關和磁性器件的開關損耗和傳導損耗對系統整體損耗有著巨大影響，正因如此，應盡可能精確地使這些損耗達到最小，這一點至關重要。 首先，記住
2016-09-02 14:39:38
損耗通過等式2表示：在等式3中加上總開關損耗的結果：注意，在圖1中，t2比第三個時段（t3）短得多。因此，在這些等式中，你可以估算在t3時段中的損耗。在一個時段這些有限的過渡時間會出現兩次：MOSFET
2018-08-30 15:47:38
在本文中，我將討論直流/直流穩壓器部件的開關損耗，從第1部分中的圖3（此處為圖1）開始：VDS和ID曲線隨時間變化的圖像。圖1：開關損耗讓我們先來看看在集成高側MOSFET中的開關損耗。在每個開關
2018-06-05 09:39:43
功率器件損耗主要分為哪幾類？什么叫柵極電荷？開關損耗和柵極電荷有什么關系？
2021-06-18 08:54:19
今天開始看電源界神作《開關電源設計》（第3版），發現第9頁有個名詞，叫“交流開關損耗”，不明白是什么意思，有沒有哪位大蝦知道它的意思啊？謝謝了！！
2013-05-28 16:29:18
）”一詞所表達的，電路的優先事項一定需要用最大公約數來實現優化。對此，將在Tech Web的基礎知識“SiC功率元器件”中進行解說。另外，您還可以通過ROHM官網下載并使用本次議題的基礎，即Application Note“利用驅動器源極引腳改善開關損耗（PDF）”。
2020-07-01 13:52:06
圖1：開關損耗讓我們先來看看在集成高側MOSFET中的開關損耗。在每個開關周期開始時，驅動器開始向集成MOSFET的柵極供應電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個時段（圖
2022-11-16 08:00:15
在t1時刻進行開啟，來達到DUT零電流的關斷，從而減小關斷損耗。軟開關與硬開關器件功耗對比如圖為采用零電壓開啟和零電流關斷的功率器件與采用硬開關方式的開關損耗對比情況。軟開啟能夠大幅降低功率器件的開啟
2019-08-29 10:11:06
根據開關器件的物理模型,分析了開關器件在Boost 電路中的損耗,并計算了Boost PWM 和PFC 兩種不同電路的開關損耗,給出了開關器件的功耗分布。最后對一臺3kW的Boost 型PFC 整流電源進
2009-10-17 11:06:06
72
在升壓變換器中利用新型MOSFET減少開關損耗
摘要：升壓變換器通常應用在彩色監視器中。為提高開關電源的效率，設計
2009-07-20 16:03:00873 
理解功率MOSFET的開關損耗
本文詳細分析計算開關損耗，并論述實際狀態下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程，從而使電子工程師知道哪個參數起主導作用并
2009-10-25 15:30:593521 MOSFET才導通，因此同步MOSFET是0電壓導通ZVS，而其關斷是自然的0電壓關斷ZVS，因此同步MOSFET在整個開關周期是0電壓的開關ZVS，開關損耗非常小，幾乎可以忽略不計，所以同步MOSFET只有RDS(ON)所產生的導通損耗，選取時只需要考慮RDS（ON）而不需要考慮Crss的值。
2012-04-12 11:04:2362678 
隨著人們需要改善功率效率，延長電池供電的設備的工作時間，分析功率損耗及優化電源效率的能力比以前變得更加關鍵。效率中一個關鍵因素是開關器件的損耗。本應用指南將概括介紹這些測量，以及使用示波器和探頭進行
2015-10-27 16:31:331288 為了有效解決金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）在通信設備直流-48 V緩啟動應用電路中出現的開關損耗失效問題，通過對MOSFET 柵極電荷、極間電容的闡述和導通過程的解剖，定位了MOSFET 開關損耗的來源，進而為緩啟動電路設計優化，減少MOSFET的開關損耗提供了技術依據。
2016-01-04 14:59:0543 FPGA平臺實現最小開關損耗的SVPWM算法
2016-04-13 16:12:1110 基于DSP的最小開關損耗SVPWM算法實現。
2016-04-18 09:47:497 使用示波器測量電源開關損耗。
2016-05-05 09:49:380 MOS門極功率開關元件的開關損耗受工作電壓、電流、溫度以及門極驅動電阻等因素影響，在測量時主要以這些物理量為參變量。但測量的非理想因素對測量結果影響是值得注意的，比如常見的管腳引線電感。本文在理論分析和實驗數據基礎上闡述了各寄生電感對IGBT開關損耗測量結果的影響。
2017-09-08 16:06:5221 MOSFET/IGBT的開關損耗測試是電源調試中非常關鍵的環節，但很多工程師對開關損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上，PFC MOSFET的開關損耗更是只能依據口口相傳的經驗反復摸索，那么該如何量化評估呢？
2017-11-10 08:56:426789 1、CCM 模式開關損耗
CCM 模式與 DCM 模式的開關損耗有所不同。先講解復雜 CCM 模式，DCM 模式很簡單了。
2018-01-13 09:28:579815 
開關器件的功率損耗是開關器件評估的重要環節，也是許多示波器選配的高級分析功能。事實上，雖然很多實驗室配備了功率損耗程度測量環境，對設備和探頭也投入不菲，但是如果忽略了時間偏移，則所有的測試結果都將
2018-02-07 01:27:011177 
相比硅 IGBT，碳化硅 MOSFET 擁有更快的開關速度和更低的開關損耗。 碳化硅 MOSFET 應用于高開關頻率場合時其開關損耗隨著開關頻率的增加亦快速增長。 為進一步提升碳化硅 MOSFET
2018-10-08 08:00:0030 視頻簡介：目前，市場對低能耗和節能型電子產品的需求極大，從而符合及超越政府及行業標準組織的節能要求。功率MOSFET由于開關損耗低，已經成為主要開關器件的標準選擇。功率MOSFET在高速開關、高擊穿
2019-03-06 06:05:004099 
一個高質量的開關電源效率高達95％，而開關電源的損耗大部分來自開關器件（MOSFET和二極管），所以正確的測量開關器件的損耗，對于效率分析是非常關鍵的。那我們該如何準確測量開關損耗呢？
2019-06-26 15:49:45981 一個高質量的開關電源效率高達95%，而開關電源的損耗大部分來自開關器件（MOSFET和二極管），所以正確的測量開關器件的損耗，對于效率分析是非常關鍵的。那我們該如何準確測量開關損耗呢？
2019-06-27 10:22:082659 一個高質量的開關電源效率高達95%，而開關電源的損耗大部分來自開關器件（MOSFET和二極管），所以正確的測量開關器件的損耗，對于效率分析是非常關鍵的。
2019-07-31 16:54:536462 
根據開關器件的物理模型 ，分析了開關器件在 Boost 電路中的損耗 ，并計算了 Boost PWM 和 PFC 兩種不同電路的開關損耗 ，給出了開關器件的功耗分布。最后對一臺 3kW 的 Boost 型 PFC 整流電源進行了優化設計。
2019-08-08 08:00:0015 同步整流降壓轉換器的同步開關（高邊＋低邊）是對VIN和GND電壓進行切換（ON/OFF），該過渡時間的功率乘以開關頻率后的值即開關損耗。
2020-04-06 10:51:001143 
電子發燒友網為你提供如何正確評估功率MOSFET的開關損耗？資料下載的電子資料下載，更有其他相關的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-01 08:49:1511 功率MOSFET的開關損耗分析。
2021-04-16 14:17:0250 根據開關器件的物理模型 ，分析了開關器件在 Boost 電路中的損耗 ，并計算了 Boost PWM 和PFC 兩種不同電路的開關損耗 ，給出了開關器件的功耗分布。最后對一臺 3kW 的 Boost 型 PFC 整流電源進行了優化設計。
2021-05-11 11:01:2516 一、開關損耗包括開通損耗和關斷損耗兩種。開通損耗是指功率管從截止到導通時所產生的功率損耗；關斷損耗是指功率管從導通到截止時所產生的功率損耗。二、開關損耗原理分析：(1)、非理想的開關管在開通時，開關
2021-10-22 10:51:0611 分析和計算開關損耗，并討論功率MOSFET導通過程和自然零電壓關斷過程的實際過程，以便電子工程師了解哪個參數起主導作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET開關損耗1，通過過程中的MOSFET開關損耗功率M...
2021-10-22 17:35:5953 歡迎回到直流/直流轉換器數據表系列。鑒于在上一篇文章中我介紹了系統效率方面的內容，在本文中，我將討論直流/直流穩壓器部件的開關損耗，從第1部分中的圖3（此處為圖1）開始：VDS和ID曲線隨時間變化
2022-01-21 17:01:121297 
，熱損耗極低。 開關設備極大程度上決定了SMPS的整體性能。開關器件的損耗可以說是開關電源中最為重要的一個損耗點，課件開關損耗測試是至關重要的。接下來普科科技PRBTEK就開關損耗測試方案中的探頭應用進行介紹。 上圖使用MSO5配合THDP0200及TCP003
2021-11-23 15:07:571295 功率損耗是開關器件性能評估的重要環節，也是工程師在選配時重點關注的一項高級功能。雖然很多實驗室配備了功率損耗測量環境，對設備和探頭也投入不菲，但如果工程師忽略了探頭之間的時間偏移，測試結果很可能
2021-12-15 15:22:40879 
3、開關動態損耗?? 由于開關損耗是由開關的非理想狀態引起的，很難估算MOSFET 和二極管的開關損耗，器件從完全導通到完全關閉或從完全關閉到完全導通需要一定時間，也稱作死區時間，在這個過程中會產生
2022-01-07 11:10:271 如今的開關電源技術很大程度上依托于電源半導體開關器件，如MOSFET和IGBT。這些器件提供了快速開關速度，能夠耐受沒有規律的電壓峰值。同時在On或Off狀態下小號的功率非常小，實現了很高的轉化效率，熱損耗極低。
2022-06-20 10:05:362302 
功耗是傳導損耗和開關損耗的總和，傳導損耗也稱為靜態損耗。另一方面，開關損耗也稱為動態損耗。
2022-07-26 17:30:034057 
。此外，今天的開關元件沒有非常高的運行速度，不幸的是，在轉換過程中不可避免地會損失一些能量（幸運的是，隨著新電子元件的出現，這種能量越來越少）。讓我們看看如何使用“LTspice”仿真程序來確定 SiC MOSFET 的開關損耗率。
2022-08-05 08:05:0712438 
本文確定了以下方面的關鍵參數注意事項：比較IGBT和MOSFET的具體性能SMPS（開關電源）應用。在這兩種情況下都研究了開關損耗等參數硬開關和軟開關ZVS（零電壓切換）拓撲。三個主電源開關損耗：導
2022-09-14 16:54:121 開關過程中，穿越線性區（放大區）時，電流和電壓產生交疊，形成開關損耗。其中，米勒電容導致的米勒平臺時間，在開關損耗中占主導作用。
2023-01-17 10:21:001937 全SiC功率模塊與現有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關損耗、2）開關頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優勢。
2023-02-08 13:43:221235 
MOSFET和IGBT等電源開關器件被廣泛應用于各種電源應用和電源線路中。需要盡可能地降低這種開關器件產生的開關損耗和傳導損耗，但不同的應用其降低損耗的方法也不盡相同。近年來，發現有一種方法可以改善
2023-02-09 10:19:181332 
說明：IGBT 功率器件損耗與好多因素相關，比如工作電流，電壓，驅動電阻。在出設計之前評估電路的損耗有一定的必要性。在確定好功率器件的驅動參數后（驅動電阻大小，驅動電壓等），開關器件的損耗基本上
2023-02-22 14:05:5410 從某個外企的功率放大器的測試數據上獲得一個具體的感受：導通損耗60W開關損耗251。大概是1:4.5 下面是英飛凌的一個例子：可知，六個管子的總功耗是714W這跟我在項目用用的那個150A的模塊試驗測試得到的總功耗差不多。 導通損耗和開關損耗大概1:2
2023-02-23 09:26:4918 上一篇文章中探討了同步整流降壓轉換器的功率開關--輸出端MOSFET的傳導損耗。本文將探討開關節點產生的開關損耗。開關損耗：見文識意，開關損耗就是開關工作相關的損耗。在這里使用PSWH這個符號來表示。
2023-02-23 10:40:491291 
全SiC功率模塊與現有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優異性能。本文將對開關損耗進行介紹，開關損耗也可以說是傳統功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:28924 
MOSFET的柵極電荷（米勒電容）以及控制IC的驅動能力。本應用筆記將詳細分析導通開關損耗以及選擇開關P溝道MOSFET的標準。
2023-03-10 09:26:351163 
CCM 模式與 DCM 模式的開關損耗有所不同。先講解復雜 CCM 模式，DCM 模式很簡單了。
2023-07-17 16:51:2215768 
半導體動態測試參數是指在交流條件下對器件進行測試，是確保半導體性能、穩定性和可靠性的重要依據。動態測試參數主要有開關時間、開關損耗、反向恢復電流、開關電流、耗散功率等。
2023-10-10 15:23:38763 
使用SiC MOSFET時如何盡量降低電磁干擾和開關損耗
2023-11-23 09:08:341490 
電源開關損耗是電子電路中一個重要的性能指標，它反映了開關器件在開關過程中產生的能量損失。準確測量電源開關損耗對于優化電路設計、提高系統效率具有重要意義。本文將詳細介紹使用示波器測量電源開關損耗的步驟、方法和注意事項，旨在幫助讀者更好地理解和掌握這一測量技術。
2024-05-27 16:03:291659 原理、測試設備、測試步驟以及注意事項。 一、測試原理 開關電源紋波測試的目的是測量輸出電壓中的高頻波動。紋波主要來源于開關電源的開關動作，包括開關頻率、開關損耗、寄生參數等。紋波的大小與開關電源的設計、制造工藝以及使用
2024-06-10 10:04:002647 IGBT等功率電子器件在工作中，由于自身的功率損耗，將引起IGBT溫度升高。引起功率器件發熱的原因主要有兩個，一是功率器件導通時，產生的通態損耗。二是功率器件的開通與關斷過程中產生的開關損耗
2024-07-19 11:21:001183 
在電子測試與測量領域，是德科技（NYSE： KEYS）再次引領創新潮流，隆重推出其最新的InfiniiVision HD3系列示波器，該系列搭載了業界領先的14-bit模數轉換器（ADC），徹底改變
2024-09-05 15:45:191467 是德科技近日推出了一款革命性的精密示波器——InfiniiVision HD3系列，該系列集成了先進的14-bit模數轉換器（ADC），引領行業進入新紀元。HD3系列示波器以其卓越的信號分辨率
2024-09-10 16:47:04935 HD304MSO丨示波器 HD3系列擁有令人印象深刻的分辨率、高精度、深存儲器、兩個模擬通道和從200 MHz到1 GHz的所有新定制技術。 HD304MSO示波器提供14位ADC、4個模擬通道
2024-09-10 17:05:15662 MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化物半導體場效應晶體管）的開關損耗是電子工程中一個關鍵的性能參數，它直接影響到電路的效率、熱設計和可靠性。下面將詳細闡述MOSFET開關損耗的概念、組成以及影響因素。
2024-09-14 16:11:521483 安富利旗下全球電子元器件產品與解決方案分銷商e絡盟日前宣布開售 Keysight Technologies 的InfiniiVision HD3 系列示波器，以擴展其測試和測量設備產品組合。
2024-10-18 10:41:44754 在今年2024年9月4日是德科技推出了新一代14bit ADC示波器 -HD3系列，帶寬從200MHz-1GHz。HD3采用低噪聲前端技術，不僅在時域上展現了非常低的底噪，其在頻域下的噪聲特性也更加出色。
2024-10-23 14:28:39796 
是德科技·HD3示波器一、是德科技全新HD3示波器：用"顯微鏡級"精度重新定義信號是否對難以捕捉的微弱信號以及噪聲干擾導致的視野不清感到困擾？KeysightHD3系列示波器攜其
2025-03-11 09:56:04532 
基于LTSpice的GaN開關損耗的仿真
2025-03-13 15:44:49674 
在功率器件的世界里，開關損耗是一個繞不開的關鍵話題。
2025-05-07 13:55:18153
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