開電源開關(guān)轉(zhuǎn)換期間的開關(guān)損耗就更復(fù)雜，既有本身的因素，也有相關(guān)元器件的影響。
2019-07-22 14:16:09
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實際的印刷電路板中存在電路圖中沒有的成分，因此，比如開關(guān)節(jié)點中如果布局不當，會隨著開關(guān)而產(chǎn)生較大振鈴，可能導(dǎo)致無法正常工作或噪聲較多等問題。
2020-04-05 10:25:004211 
在導(dǎo)通數(shù)據(jù)中，原本2，742μJ的開關(guān)損耗變?yōu)?，690μJ，損耗減少了約38%。在關(guān)斷數(shù)據(jù)中也從2，039μJ降至1，462μJ，損耗減少了約30%。
2020-07-17 17:47:44949 
MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對開關(guān)損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上，PFC MOSFET的開關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗反復(fù)摸索，那么該如何量化評估呢?
2022-10-19 10:39:231504 MOS 管的開關(guān)損耗對ＭOS 管的選型和熱評估有著重要的作用，尤其是在高頻電路中，比如開關(guān)電源，逆變電路等。
2023-07-23 14:17:001217 
PCB布局的關(guān)鍵：開關(guān)節(jié)點走線尺寸滿足電流？|深圳比創(chuàng)達EMC（3）
2023-08-08 11:00:521005 貿(mào)澤電子備貨的TI LMG341xR050 GaN功率級與硅MOSFET相比擁有多種優(yōu)勢，包括超低輸入和輸出容值、可降低EMI的低開關(guān)節(jié)點振鈴，以及可將開關(guān)損耗降低多達80%的零反向恢復(fù)。
2020-04-13 14:58:561374 變化的環(huán)路中的寄生分量。布線中存在布線電感，通常每1mm有1nH左右的電感。另外，電容器中存在等效串聯(lián)電感ESL，MOSFET的各引腳間存在寄生電容。因此，如紅框內(nèi)的圖例所示，開關(guān)節(jié)點將產(chǎn)生100MHz
2018-11-29 14:47:35
變化的環(huán)路中的寄生分量。布線中存在布線電感，通常每1mm有1nH左右的電感。另外，電容器中存在等效串聯(lián)電感ESL，MOSFET的各引腳間存在寄生電容。因此，如紅框內(nèi)的圖例所示，開關(guān)節(jié)點將產(chǎn)生100MHz
2019-03-18 06:20:14
要提高開關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個方面：開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會在有損元器件中同時出現(xiàn)，下面將分別討論。 01與功率
2020-08-27 08:07:20
要提高開關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個方面：開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會在有損元器件中同時出現(xiàn)，下面將分別討論。 與功率
2023-03-16 16:37:04
要提高開關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個方面：開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會在有損元器件中同時出現(xiàn)。
2021-03-11 06:04:00
3、開關(guān)動態(tài)損耗?? 由于開關(guān)損耗是由開關(guān)的非理想狀態(tài)引起的，很難估算MOSFET 和二極管的開關(guān)損耗，器件從完全導(dǎo)通到完全關(guān)閉或從完全關(guān)閉到完全導(dǎo)通需要一定時間，也稱作死區(qū)時間，在這個過程中會產(chǎn)生
2021-12-29 07:52:21
和200MHz之間時，干擾會急劇增加。這就使得開關(guān)模式電源開發(fā)人員必須在高頻率范圍內(nèi)，在高效率和低干擾之間找到良好的折衷方案。圖1. 對開關(guān)模式電源進行開關(guān)轉(zhuǎn)換，在開關(guān)節(jié)點處施加輸入電壓。圖1顯示了快速...
2021-10-28 09:43:36
一、開關(guān)損耗包括開通損耗和關(guān)斷損耗兩種。開通損耗是指功率管從截止到導(dǎo)通時所產(chǎn)生的功率損耗；關(guān)斷損耗是指功率管從導(dǎo)通到截止時所產(chǎn)生的功率損耗。二、開關(guān)損耗原理分析：(1)、非理想的開關(guān)管在開通時，開關(guān)
2021-10-29 07:10:32
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）組成的類型，也有僅以SiC-MOSFET組成的類型。與Si-IGBT功率模塊相比，開關(guān)損耗大大降低處理大電流的功率模塊中，Si的IGBT與FRD
2018-12-04 10:14:32
存在電路圖中沒有的成分，因此，比如開關(guān)節(jié)點中如果布局不當，會隨著開關(guān)而產(chǎn)生較大振鈴，可能導(dǎo)致無法正常工作或噪聲較多等問題。現(xiàn)在應(yīng)該明白關(guān)于PCB板布局經(jīng)常提到的“布線要短”的原因了。后續(xù)將介紹具體
2018-12-03 14:33:38
引腳間存在寄生電容。因此，如紅框內(nèi)的圖例所示，開關(guān)節(jié)點將產(chǎn)生100MHz～300MHz的振鈴。所產(chǎn)生的電流及電壓，可通過兩個公式求得。此振鈴會作為高頻開關(guān)噪聲帶來各種影響。雖然有采取相應(yīng)的措施，但由于
2021-12-29 19:00:19
，通常每1mm有1nH左右的電感。另外，電容器中存在等效串聯(lián)電感ESL，MOSFET的各引腳間存在寄生電容。因此，如紅框內(nèi)的圖例所示，開關(guān)節(jié)點將產(chǎn)生100MHz～300MHz的振鈴。所產(chǎn)生的電流及電壓
2021-03-15 10:35:11
如圖片所示，為什么MOS管的開關(guān)損耗（開通和關(guān)斷過程中）的損耗是這樣算的，那個72pF應(yīng)該是MOS的輸入電容，2.5A是開關(guān)電源限制的平均電流
2018-10-11 10:21:49
本帖最后由 小小的大太陽 于 2017-5-31 10:06 編輯
MOS管的導(dǎo)通損耗影響最大的就是Rds，而開關(guān)損耗好像不僅僅和開關(guān)的頻率有關(guān)，與MOS管的結(jié)電容，輸入電容，輸出電容都有關(guān)系吧？具體的關(guān)系是什么？有沒有具體計算開關(guān)損耗的公式？
2017-05-31 10:04:51
本文，使用一問一答的方式，解說STM32系統(tǒng)時鐘配置操作的一些關(guān)節(jié)點。不討論配置的過程、步驟，網(wǎng)上不缺絮絮叨叨的各種教程。一句話:過程高深,使用簡單.詳細代碼解釋下載
2021-08-11 07:17:18
時間trr快（可高速開關(guān)）?trr特性沒有溫度依賴性?低VF（第二代SBD）下面介紹這些特征在使用方面發(fā)揮的優(yōu)勢。大幅降低開關(guān)損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復(fù)時間trr。右側(cè)的圖表為
2019-03-27 06:20:11
工程師知道哪個參數(shù)起主導(dǎo)作用并更加深入理解MOSFET。1. 開通過程中MOSFET開關(guān)損耗2. 關(guān)斷過程中MOSFET開關(guān)損耗3. Coss產(chǎn)生的開關(guān)損耗4.Coss對開關(guān)過程的影響希望大家看了本文，都能深入理解功率MOSFET的開關(guān)損耗。
2021-01-30 13:20:31
波形振鈴，因為它會增大低側(cè)MOSFET的電壓應(yīng)力，并產(chǎn)生電磁干擾。圖1：同步降壓轉(zhuǎn)換器為了確定圖1中降壓轉(zhuǎn)換器的開關(guān)節(jié)點振鈴與其所產(chǎn)生電磁干擾之間的關(guān)系，我按照國家無線電干擾特別委員會(CISPR
2022-11-17 08:00:20
所增加，但其增加比例遠低于IGBT模塊。可以看出結(jié)論是：在30kHz條件下，總體損耗可降低約60%。這是前面提到的第二個優(yōu)勢。可見這正如想象的一樣，開關(guān)損耗小是由組成全SiC模塊的SiC元件特性所帶來的。關(guān)于
2018-11-27 16:37:30
一個高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達95%，而開關(guān)電源的損耗大部分來自開關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測量開關(guān)器件的損耗，對于效率分析是非常關(guān)鍵的。那我們該如何準確測量開關(guān)損耗呢？一、開關(guān)損耗
2021-11-18 07:00:00
“軟開關(guān)”是與“硬開關(guān)”相對應(yīng)的。硬開關(guān)是指在功率開關(guān)的開通和關(guān)斷過程中，電壓和電流的變化比較大，產(chǎn)生開關(guān)損耗和噪聲也較大，開關(guān)損耗隨著開關(guān)頻率的提高而增加，導(dǎo)致電路效率下降；開關(guān)噪聲給電路帶來嚴重
2019-08-27 07:00:00
保持電源電壓VDD不變，當VGS電壓減小到0時，這個階段結(jié)束，VGS電壓的變化公式和模式1相同。在關(guān)斷過程中，t6~t7和t7~t8二個階段電流和電壓產(chǎn)生重疊交越區(qū)，因此產(chǎn)生開關(guān)損耗。關(guān)斷損耗可以用下面
2017-03-06 15:19:01
完全開通，只有導(dǎo)通電阻產(chǎn)生的導(dǎo)通損耗，沒有開關(guān)損耗。t1-t2、t2-t3二個階段，電流和電壓產(chǎn)生重疊交越區(qū)，因此產(chǎn)生開關(guān)損耗。同時，t1-t2和t2-t3二個階段工作于線性區(qū)，因此功率MOSFET
2017-02-24 15:05:54
開關(guān)與開關(guān)轉(zhuǎn)換器的電感交匯的節(jié)點被稱為開關(guān)節(jié)點。寄生電感和電容通常會產(chǎn)生互感，并導(dǎo)致開關(guān)節(jié)點上的電壓在200 MHz+ 的范圍內(nèi)振蕩。如果該振鈴的振幅大于低側(cè)開關(guān)額定電壓的最大絕對值，將會損壞開關(guān)。此外
2008-09-25 08:45:25
MOSFET的驅(qū)動電流，減緩該MOSFET的接通時間，同時有助于降低開關(guān)節(jié)點振鈴噪音。注意：減慢高側(cè)MOSFET的關(guān)閉時間會增大開關(guān)損耗。在低電磁輻射和高側(cè)MOSFET的開關(guān)損耗之間選用RHO時，需要
2018-08-31 19:55:41
如何更加深入理解MOSFET開關(guān)損耗？Coss產(chǎn)生開關(guān)損耗與對開關(guān)過程有什么影響？
2021-04-07 06:01:07
算法，可根據(jù)負載功率因子在不同扇區(qū)內(nèi)靈活放置零電壓矢量，與傳統(tǒng)的連續(xù)調(diào)制SVPWM相比，在增加開關(guān)頻率的同時減小了開關(guān)電流。仿真結(jié)果也表明這種方法有著最小的開關(guān)損耗。
2019-10-12 07:36:22
控制同步降壓轉(zhuǎn)換器中的開關(guān)節(jié)點振鈴
2018-09-26 10:47:49
采用TI最新的GaN技術(shù)設(shè)計，圖1a所示的功率級開關(guān)節(jié)點波形真的引人矚目。其在120V / ns轉(zhuǎn)換速率下，從0V升到480V，并具有小于50V的過沖。 圖1：TI 600V半橋功率級——開關(guān)波形
2022-11-15 06:43:06
所有功率級設(shè)計者期望在開關(guān)節(jié)點看到完美的方波波形。快速上升/下降邊降低了開關(guān)損耗，而低過沖和振鈴最小化功率FET上的電壓應(yīng)力。采用TI最新的GaN技術(shù)設(shè)計，圖1a所示的功率級開關(guān)節(jié)點波形真的引人矚目
2019-08-26 04:45:13
的限制。以此超低功耗單片機MSP430為核心，結(jié)合無線收發(fā)模塊nRF24E1，對無線傳感器網(wǎng)絡(luò)的普通節(jié)點和網(wǎng)關(guān)節(jié)點進行了設(shè)計。
2019-10-18 07:28:32
不當，則會對電源發(fā)射，效率和元件應(yīng)力產(chǎn)生不利影響。在Analog Design Journal的文章“ 控制同步降壓轉(zhuǎn)換器中的開關(guān)節(jié)點振鈴”中，Robert Taylor和我研究了幾種減少開關(guān)節(jié)點振鈴
2018-09-26 10:43:37
歡迎回到直流/直流轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表系列。鑒于在上一篇文章中我介紹了系統(tǒng)效率方面的內(nèi)容，在本文中，我將討論直流/直流穩(wěn)壓器部件的開關(guān)損耗，從第1部分中的圖3（此處為圖1）開始：VDS和ID曲線隨時間變化
2018-08-30 15:47:38
信號的消隱時間限制。轉(zhuǎn)換器的最高最小導(dǎo)通時間通常發(fā)生在最小負載條件下，對此有三個原因。較重負載條件下，電路中有直流降，增加了工作接通時間。開關(guān)節(jié)點的上升時間和下降時間。死區(qū)時間期間（從低側(cè)MOSFET
2019-08-09 04:45:05
信號的消隱時間限制。轉(zhuǎn)換器的最高最小導(dǎo)通時間通常發(fā)生在最小負載條件下，對此有三個原因。較重負載條件下，電路中有直流降，增加了工作接通時間。開關(guān)節(jié)點的上升時間和下降時間。死區(qū)時間期間（從低側(cè)MOSFET
2019-07-26 04:45:15
流檢測信號的消隱時間限制。轉(zhuǎn)換器的最高最小導(dǎo)通時間通常發(fā)生在最小負載條件下，對此有三個原因。 較重負載條件下，電路中有直流降，增加了工作接通時間。 開關(guān)節(jié)點的上升時間和下降時間。死區(qū)時間期間（從低側(cè)
2018-10-10 15:13:39
在本文中，我將討論直流/直流穩(wěn)壓器部件的開關(guān)損耗，從第1部分中的圖3（此處為圖1）開始：VDS和ID曲線隨時間變化的圖像。圖1：開關(guān)損耗讓我們先來看看在集成高側(cè)MOSFET中的開關(guān)損耗。在每個開關(guān)
2018-06-05 09:39:43
今天開始看電源界神作《開關(guān)電源設(shè)計》（第3版），發(fā)現(xiàn)第9頁有個名詞，叫“交流開關(guān)損耗”，不明白是什么意思，有沒有哪位大蝦知道它的意思啊？謝謝了！！
2013-05-28 16:29:18
了通過消除封裝電感LSOURCE的影響可提高開關(guān)速度并大大改善開關(guān)損耗。這雖然是事實，但考慮到穩(wěn)定性和整個電路工作時，伴隨著開關(guān)速度的提高，也產(chǎn)生了一些需要探討的問題。就像“權(quán)衡（Trade-off
2020-07-01 13:52:06
明顯超出 VIN，而下降沿的開關(guān)節(jié)點電壓明顯低于接地端 (GND)。振蕩幅值取決于部分電感在回路內(nèi)的分布，回路的有效交流電阻會抑制隨后產(chǎn)生的振鈴。這不僅為 MOSFET 和柵極驅(qū)動器提供電壓應(yīng)力，還會
2020-11-03 07:54:52
圖1：開關(guān)損耗讓我們先來看看在集成高側(cè)MOSFET中的開關(guān)損耗。在每個開關(guān)周期開始時，驅(qū)動器開始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個時段（圖
2022-11-16 08:00:15
MOS門極功率開關(guān)元件的開關(guān)損耗受工作電壓、電流、溫度以及門極驅(qū)動電阻等因素影響，在測量時主要以這些物理量為參變量。但測量的非理想因素對測量結(jié)果影響是值得注意的，
2009-04-08 15:21:32
32 理解功率MOSFET的開關(guān)損耗
本文詳細分析計算開關(guān)損耗，并論述實際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知道哪個參數(shù)起主導(dǎo)作用并
2009-10-25 15:30:593320 MOSFET才導(dǎo)通，因此同步MOSFET是0電壓導(dǎo)通ZVS，而其關(guān)斷是自然的0電壓關(guān)斷ZVS，因此同步MOSFET在整個開關(guān)周期是0電壓的開關(guān)ZVS，開關(guān)損耗非常小，幾乎可以忽略不計，所以同步MOSFET只有RDS(ON)所產(chǎn)生的導(dǎo)通損耗，選取時只需要考慮RDS（ON）而不需要考慮Crss的值。
2012-04-12 11:04:2359180 
為了有效解決金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開關(guān)損耗失效問題，通過對MOSFET 柵極電荷、極間電容的闡述和導(dǎo)通過程的解剖，定位了MOSFET 開關(guān)損耗的來源，進而為緩啟動電路設(shè)計優(yōu)化，減少MOSFET的開關(guān)損耗提供了技術(shù)依據(jù)。
2016-01-04 14:59:0538 FPGA平臺實現(xiàn)最小開關(guān)損耗的SVPWM算法
2016-04-13 16:12:1110 基于DSP的最小開關(guān)損耗SVPWM算法實現(xiàn)。
2016-04-18 09:47:497 使用示波器測量電源開關(guān)損耗。
2016-05-05 09:49:380 德州儀器（TI）近日推出了兩款36-V, 2.1-MHz同步降壓穩(wěn)壓器，可消除開關(guān)節(jié)點的振鈴，以減少電磁干擾（EMI）、提高功率密度，并確保在高壓降條件下正常運行。此次推出的2.5-A LM53625-Q1和3.5-A LM53635-Q1穩(wěn)壓器可用于多種高壓DC/DC降壓應(yīng)用。
2016-07-06 16:27:101333 所有功率級設(shè)計者期望在開關(guān)節(jié)點看到完美的方波波形。快速上升/下降邊降低了開關(guān)損耗，而低過沖和振鈴最小化功率FET上的電壓應(yīng)力。
2018-07-10 14:50:002917 
MOS門極功率開關(guān)元件的開關(guān)損耗受工作電壓、電流、溫度以及門極驅(qū)動電阻等因素影響，在測量時主要以這些物理量為參變量。但測量的非理想因素對測量結(jié)果影響是值得注意的，比如常見的管腳引線電感。本文在理論分析和實驗數(shù)據(jù)基礎(chǔ)上闡述了各寄生電感對IGBT開關(guān)損耗測量結(jié)果的影響。
2017-09-08 16:06:5221 基于Cortex_M3的多功能樓宇控制系統(tǒng)網(wǎng)關(guān)節(jié)點設(shè)計
2017-09-25 13:07:227 MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對開關(guān)損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上，PFC MOSFET的開關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗反復(fù)摸索，那么該如何量化評估呢？
2017-11-10 08:56:426345 1、CCM 模式開關(guān)損耗
CCM 模式與 DCM 模式的開關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式，DCM 模式很簡單了。
2018-01-13 09:28:578162 
一個高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達95％，而開關(guān)電源的損耗大部分來自開關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測量開關(guān)器件的損耗，對于效率分析是非常關(guān)鍵的。那我們該如何準確測量開關(guān)損耗呢？
2019-06-26 15:49:45721 一個高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達95%，而開關(guān)電源的損耗大部分來自開關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測量開關(guān)器件的損耗，對于效率分析是非常關(guān)鍵的。那我們該如何準確測量開關(guān)損耗呢？
2019-06-27 10:22:081926 圖1顯示了同步降壓轉(zhuǎn)換器的原理圖以及其開關(guān)節(jié)點波形。高側(cè)MOSFET的開關(guān)速度和高側(cè)/低側(cè)MOSFET與印刷電路板(PCB)雜散電感和電容都具有在開關(guān)節(jié)點波形達到峰值時振鈴的功能。而我們不需要開關(guān)節(jié)點波形振鈴，因為它會增大低側(cè)MOSFET的電壓應(yīng)力，并產(chǎn)生電磁干擾。
2019-08-23 16:45:282775 
一個高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達95%，而開關(guān)電源的損耗大部分來自開關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測量開關(guān)器件的損耗，對于效率分析是非常關(guān)鍵的。
2019-07-31 16:54:535929 
TI LMG341xR050 GaN功率級與硅MOSFET相比擁有多種優(yōu)勢，包括超低輸入和輸出容值、可降低EMI的低開關(guān)節(jié)點振鈴，以及可將開關(guān)損耗降低多達80%的零反向恢復(fù)。
2020-05-29 16:39:072547 功率MOSFET的開關(guān)損耗分析。
2021-04-16 14:17:0248 一、開關(guān)損耗包括開通損耗和關(guān)斷損耗兩種。開通損耗是指功率管從截止到導(dǎo)通時所產(chǎn)生的功率損耗；關(guān)斷損耗是指功率管從導(dǎo)通到截止時所產(chǎn)生的功率損耗。二、開關(guān)損耗原理分析：(1)、非理想的開關(guān)管在開通時，開關(guān)
2021-10-22 10:51:0611 和計算開關(guān)損耗，并討論功率MOSFET導(dǎo)通過程和自然零電壓關(guān)斷過程的實際過程，以便電子工程師了解哪個參數(shù)起主導(dǎo)作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET開關(guān)損耗1，通過過程中的MOSFET開關(guān)損耗功率M...
2021-10-22 17:35:5953 歡迎回到直流/直流轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表系列。鑒于在上一篇文章中我介紹了系統(tǒng)效率方面的內(nèi)容，在本文中，我將討論直流/直流穩(wěn)壓器部件的開關(guān)損耗，從第1部分中的圖3（此處為圖1）開始：VDS和ID曲線隨時間變化
2022-01-21 17:01:12831 
，熱損耗極低。 開關(guān)設(shè)備極大程度上決定了SMPS的整體性能。開關(guān)器件的損耗可以說是開關(guān)電源中最為重要的一個損耗點，課件開關(guān)損耗測試是至關(guān)重要的。接下來普科科技PRBTEK就開關(guān)損耗測試方案中的探頭應(yīng)用進行介紹。 上圖使用MSO5配合THDP0200及TCP003
2021-11-23 15:07:571095 會隨之失去意義。接下來普科科技PRBTEK分享在開關(guān)損耗測量中的注意事項及影響因素。 一、開關(guān)損耗測量中應(yīng)考慮哪些問題？ 在實際的測量評估中，我們用一個通道測量電壓，另一個通道測量電流，然后軟件通過相乘得到功率曲線，再
2021-12-15 15:22:40416 
3、開關(guān)動態(tài)損耗?? 由于開關(guān)損耗是由開關(guān)的非理想狀態(tài)引起的，很難估算MOSFET 和二極管的開關(guān)損耗，器件從完全導(dǎo)通到完全關(guān)閉或從完全關(guān)閉到完全導(dǎo)通需要一定時間，也稱作死區(qū)時間，在這個過程中會產(chǎn)生
2022-01-07 11:10:270 大家好，這期我們再聊一下IGBT的開關(guān)損耗，我們都知道IGBT開關(guān)損耗產(chǎn)生的原因是開關(guān)暫態(tài)過程中的電壓、電流存在交疊部分，由于兩者都為正，這樣就會釋放功率，對外做功產(chǎn)生熱量。那為什么IGBT開關(guān)
2022-04-19 16:00:383400 方波波形開關(guān)節(jié)點大受歡迎
2022-11-02 08:16:080 開關(guān)過程中，穿越線性區(qū)（放大區(qū)）時，電流和電壓產(chǎn)生交疊，形成開關(guān)損耗。其中，米勒電容導(dǎo)致的米勒平臺時間，在開關(guān)損耗中占主導(dǎo)作用。
2023-01-17 10:21:00978 全SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關(guān)損耗、2）開關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢。
2023-02-08 13:43:22673 
MOSFET和IGBT等電源開關(guān)器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。需要盡可能地降低這種開關(guān)器件產(chǎn)生的開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗，但不同的應(yīng)用其降低損耗的方法也不盡相同。近年來，發(fā)現(xiàn)有一種方法可以改善
2023-02-09 10:19:18634 
在探討DC/DC轉(zhuǎn)換器的PCB板布局之前，需要了解實際的印刷電路板中存在寄生電容和寄生電感。它們的影響之大超出想象，即使電路沒錯，因布局而產(chǎn)生無法按預(yù)期工作的情況，往往是因為對它們的考慮不足。本次就“開關(guān)節(jié)點的振鈴”來驗證其主要原因。
2023-02-23 09:33:05761 
從某個外企的功率放大器的測試數(shù)據(jù)上獲得一個具體的感受：導(dǎo)通損耗60W開關(guān)損耗251。大概是1:4.5 下面是英飛凌的一個例子：可知，六個管子的總功耗是714W這跟我在項目用用的那個150A的模塊試驗測試得到的總功耗差不多。 導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗大概1:2
2023-02-23 09:26:4915 上一篇文章中介紹了同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的開關(guān)節(jié)點產(chǎn)生的開關(guān)損耗。本文將探討開關(guān)節(jié)產(chǎn)生的死區(qū)時間損耗。死區(qū)時間損耗是指在死區(qū)時間中因低邊開關(guān)（MOSFET）體二極管的正向電壓和負載電流而產(chǎn)生的損耗。
2023-02-23 10:40:491600 
上一篇文章中探討了同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的功率開關(guān)--輸出端MOSFET的傳導(dǎo)損耗。本文將探討開關(guān)節(jié)點產(chǎn)生的開關(guān)損耗。開關(guān)損耗：見文識意，開關(guān)損耗就是開關(guān)工作相關(guān)的損耗。在這里使用PSWH這個符號來表示。
2023-02-23 10:40:49622 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對開關(guān)損耗進行介紹，開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:28493 
圖1所示為基于MAX1744/5控制器IC的簡化降壓轉(zhuǎn)換器，具有異步整流功能。由于二極管的關(guān)斷特性，主開關(guān)（Q1）的導(dǎo)通開關(guān)損耗取決于開關(guān)頻率、輸入環(huán)路的走線電感（由C1、Q1和D1組成）、主開關(guān)
2023-03-10 09:26:35556 
GaN FET具有低端子電容，因而可快速切換。然而，當GaN半橋在高di / dt條件下切換時，功率環(huán)電感在高壓總線和開關(guān)節(jié)點處引入振鈴/過沖。這限制了GaN FET的快速切換功能。
2023-04-10 09:14:40324 
引言：降壓轉(zhuǎn)換器IC的開關(guān)節(jié)點容易產(chǎn)生很多高次諧波噪聲，緩沖電路作為除去這些高次諧波噪聲的手段之一，本節(jié)簡述如何使用RC緩沖電路去除開關(guān)節(jié)點諧波噪聲。
2023-06-28 15:56:561413 
CCM 模式與 DCM 模式的開關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式，DCM 模式很簡單了。
2023-07-17 16:51:224674 
開關(guān)穩(wěn)壓器或功率變換器電路的開關(guān)節(jié)點是關(guān)鍵的傳導(dǎo)路徑，在進行PCB布局時需要特別注意。該電路節(jié)點將一個或多個功率半導(dǎo)體開關(guān)（例如MOSFET或二極管）連接到磁能存儲設(shè)備（例如電感或變壓器繞組
2023-08-02 15:19:33368 
PCB布局的關(guān)鍵：盡量縮短開關(guān)節(jié)點走線長度？|深圳比創(chuàng)達EMC（2）
2023-08-07 11:20:23655 
（指MOS上升時間和下降時間變短）提高以后，電磁干擾EMI隨之增加。同步降壓DC-DC中，高速開關(guān)的場效應(yīng)管在開關(guān)節(jié)點會有巨大的電壓過沖和振鈴，振鈴的大小與高側(cè)MOS的開關(guān)速度以及布局和FET的封裝的雜散電感有關(guān)，我們必須選擇正確的電路和布局設(shè)計方法，以將這種振鈴維持在同步FET最大絕對額定值以下。
2023-08-30 16:28:071010 
同步buck電路的mos自舉驅(qū)動可以降低mos的開關(guān)損耗嗎？ 同步buck電路的MOS自舉驅(qū)動可以降低MOS的開關(guān)損耗 同步Buck電路是一種常見的DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器，它具有高效、穩(wěn)定、可靠的特點
2023-10-25 11:45:14522 使用SiC MOSFET時如何盡量降低電磁干擾和開關(guān)損耗
2023-11-23 09:08:34333 
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