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英飛凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000V產品

CHANBAEK ? 來源:網絡整理 ? 2024-03-20 10:27 ? 次閱讀

英飛凌科技股份公司,作為全球領先的半導體公司,近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列,這一創新產品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,為設計人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。

該產品的推出,不僅是對市場需求的精準把握,更是英飛凌在半導體技術領域的深厚積累和創新能力的體現。CoolSiC? 2000V SiC MOSFET作為市面上第一款擊穿電壓達到2000V的碳化硅分立器件,其高電壓和開關頻率性能尤為突出,即使在嚴格的工作環境下,也能確保系統的可靠性不受影響。

而它采用的TO-247PLUS-4-HCC封裝,具有出色的電氣性能,爬電距離和電氣間隙分別為14mm和5.4mm,為產品在實際應用中的穩定工作提供了有力保障。此外,該半導體器件的較低開關損耗,使其特別適用于太陽能(如組串逆變器)、儲能系統和電動汽車充電等應用,有效提升了這些領域的能效表現。

英飛凌的這一創新產品,不僅滿足了市場對高功率密度、高電壓和高開關頻率的需求,更以其卓越的性能和可靠性,推動了太陽能、儲能系統和電動汽車充電等領域的快速發展。未來,隨著技術的不斷進步和市場的持續擴大,我們有理由相信,英飛凌將繼續以其創新的產品和解決方案,引領半導體行業的發展,為全球客戶提供更優質的服務和體驗。

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