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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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接近物理極限!10kV SiC MOSFET新進(jìn)展
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 最近在第37屆國際功率半導(dǎo)體器件和集成電路研討會(ISPSD?2025)上,瞻芯電子與浙江大學(xué)以大會全體報告的形式聯(lián)合發(fā)表了10k...
2025-06-10 標(biāo)簽:MOSFET 1063 0
1.8mΩ極低導(dǎo)阻!捷捷微電JMSL0303AU助力華為100W車充登頂功率密度巔峰!
近日,華為新品發(fā)布了100W全能充車載充電器,它體內(nèi)兩顆關(guān)鍵的VBUS開關(guān)管,正是來自我們捷捷微電的“超能戰(zhàn)士”——JMSL0303AU!為什么說它是“...
為什么要選擇采用TO-LL封裝的意法半導(dǎo)體SiC MOSFET
采用TO-LL封裝的意法半導(dǎo)體SiC MOSFET將第3代STPOWER SiC技術(shù)的固有特性與TO-LL封裝出色的散熱和電流性能集于一身。這些設(shè)計元素...
2025-06-09 標(biāo)簽:MOSFET服務(wù)器意法半導(dǎo)體 160 0
理想汽車自研SiC團隊成果:提高SiC MOSFET可靠性的方式
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)SiC在電動汽車上的大規(guī)模應(yīng)用,到目前為止已經(jīng)經(jīng)歷8年時間,行業(yè)已經(jīng)稱得上成熟。但作為一種半導(dǎo)體功率器件,由于SiC襯...
當(dāng)無葉風(fēng)扇送出柔風(fēng)時,內(nèi)部13萬轉(zhuǎn)無刷電機正被MOSFET精準(zhǔn)驅(qū)動;掃地機鉆進(jìn)7cm縫隙,7組電機協(xié)同完成毫米級貼邊清掃;電動牙刷以31,000次/分鐘...
近日,2025粵港澳大灣區(qū)車展在深圳國際會展中心(寶安)隆重開幕,在同期舉辦的2025未來汽車先行者大會上,基本半導(dǎo)體正式成為深圳全球新能源汽車高端零部...
2025-06-06 標(biāo)簽:新能源汽車MOSFET基本半導(dǎo)體 142 0
IGBT的工作原理/性能優(yōu)勢/應(yīng)用領(lǐng)域/技術(shù)趨勢/測試與選型要點——你知道多少?
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,融合了 MOSFET 的高輸入阻抗和 BJT(雙極型晶體管)的低導(dǎo)通壓降優(yōu)勢,在...
新品 | 采用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC? 2kV SiC MOSFET模塊
新品采用高性能DCB的EasyB系列CoolSiC2kVSiCMOSFET模塊英飛凌EasyDUAL和EasyPACK2B2kV、6mΩ半橋和三電平模塊...
數(shù)明半導(dǎo)體推出全新600V/4A半橋門極驅(qū)動SiLM228x系列
在工業(yè)電機控制、新能源逆變以及開關(guān)電源等高壓高功率應(yīng)用中,傳統(tǒng)門極驅(qū)動方案長期面臨三大技術(shù)瓶頸:在高壓環(huán)境下,抗干擾能力薄弱易引發(fā)誤觸發(fā);驅(qū)動效率低下導(dǎo)...
2025-05-30 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源IGBT 416 0
安森美PowerTrench MOSFET助力光伏逆變器設(shè)計
隨著全球?qū)稍偕茉葱枨蟮目焖僭鲩L,光伏系統(tǒng)的效率與可靠性成為行業(yè)關(guān)注的焦點。安森美(onsemi)提供多種MOSFET方案,助力光伏逆變器廠商實現(xiàn)更高...
破局時刻:大陸首款55A/-200V/50mΩ高壓MOSFET問世-VBP2205N
大陸首款55A/-200V/50mΩ高壓MOSFET問世——國產(chǎn)功率半導(dǎo)體的200V高壓革命為國產(chǎn)替代進(jìn)程注入了強勁動力! 微碧半導(dǎo)體(VBsemi)正...
2025-05-29 標(biāo)簽:MOSFET 156 0
新品 | 采用頂部散熱 Q-DPAK封裝的 CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET
新品采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET英飛凌采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VSiCMOS...
合科泰為您講解如何基于MOSFET的工作電壓與電流特性進(jìn)行選型,確認(rèn)最大工作電壓、耐久等級、評估瞬態(tài)電壓風(fēng)險;計算負(fù)載電流、選定額定電流與散熱設(shè)計、關(guān)注...
新品 | 采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET半橋產(chǎn)品
新品采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半橋產(chǎn)品英飛凌采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOS...
近日,某全球知名基礎(chǔ)設(shè)施解決方案服務(wù)商專家團隊一行蒞臨我司參觀交流。此次到訪聚焦于關(guān)鍵電源保障、智能制造等方向,雙方圍繞行業(yè)發(fā)展趨勢、產(chǎn)品應(yīng)用落地及合作...
碳化硅MOSFET全橋模塊在出口型高端逆變焊機中的應(yīng)用技術(shù)優(yōu)勢
傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET...
國產(chǎn)1700V SiC MOSFET在電力電子輔助電源中的全面進(jìn)口替代方案
隨著新能源、工業(yè)電源及電動汽車等領(lǐng)域的快速發(fā)展,輔助電源對高效率、高功率密度及高溫穩(wěn)定性的需求日益迫切。傳統(tǒng)的硅基器件已逐漸難以滿足嚴(yán)苛的性能要求,而碳...
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