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龍騰半導(dǎo)體推出超高壓950V超結(jié)SJ MOS平臺(tái)

龍騰半導(dǎo)體 ? 來源:龍騰半導(dǎo)體 ? 2025-06-03 15:56 ? 次閱讀

隨著高效能、緊湊型電源系統(tǒng)的需求日益增長,傳統(tǒng)平面MOSFET已逐漸難以滿足高壓低損耗的要求。龍騰半導(dǎo)體自主開發(fā)的超高壓950V超結(jié)SJ MOS平臺(tái),采用先進(jìn)的多次外延結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),在保證高耐壓的基礎(chǔ)上,有效減少器件內(nèi)部的寄生電容,進(jìn)一步優(yōu)化開關(guān)過程中的能量損失。與傳統(tǒng)的PN結(jié)結(jié)構(gòu)相比,這種新型結(jié)構(gòu)能夠有效減小漏電流,提高器件的熱穩(wěn)定性和抗電場(chǎng)能力,確保在高壓條件下的可靠性。滿足LED照明電源、適配器、模塊電源、植物照明電源等高壓中功率領(lǐng)域的需求。

龍騰 950V 超結(jié)MOS

采用多次外延工藝,通過精準(zhǔn)堆疊外延層并優(yōu)化摻雜分布,實(shí)現(xiàn)電荷平衡與電場(chǎng)均勻性的大幅提升,賦予產(chǎn)品三大核心優(yōu)勢(shì):

極低導(dǎo)通損耗

Rsp(比導(dǎo)通電阻)較國際競品降低22.3%,顯著減少導(dǎo)通損耗,可在植物照明電源中實(shí)現(xiàn)更高能效。

超快動(dòng)態(tài)性能

FOM(Qgd)優(yōu)化14.5%,開關(guān)損耗(Eon/Eoff)分別降低18.5%和43.1%,助力高頻電源設(shè)計(jì)簡化。

卓越可靠性

Trr(反向恢復(fù)時(shí)間)縮短13.6%,減少開關(guān)噪聲,提升系統(tǒng)穩(wěn)定性;同時(shí),多次外延工藝增強(qiáng)了器件耐壓能力,支持950V高壓場(chǎng)景下的長期穩(wěn)定運(yùn)行。

關(guān)鍵參數(shù) 龍騰G1
950V SJ
國際競品S
950V
提升幅度
Rsp 更優(yōu) 基準(zhǔn)值 ↓22.3%
FOM(Qgd) 更低 基準(zhǔn)值 ↓14.5%
Eon/
Eoff
更小 基準(zhǔn)值 ↓18.5%/
↓43.1%
Trr 更短 基準(zhǔn)值 ↓13.6%
注:數(shù)據(jù)基于龍騰實(shí)驗(yàn)室實(shí)測(cè),
實(shí)際性能因系統(tǒng)設(shè)計(jì)可能略有差異。

龍騰 SJ MOS 800V-950V推薦型號(hào)

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原文標(biāo)題:龍騰半導(dǎo)體MOS家族新增950V 超結(jié)MOS系列

文章出處:【微信號(hào):xa_lonten,微信公眾號(hào):龍騰半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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