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數明半導體推出全新600V/4A半橋門極驅動SiLM228x系列

數明半導體 ? 來源:數明半導體 ? 2025-05-30 16:39 ? 次閱讀

新品發布

持續精進、直擊高壓高功率應用痛點

賦能工業與新能源高效升級

在工業電機控制、新能源逆變以及開關電源等高壓高功率應用中,傳統門極驅動方案長期面臨三大技術瓶頸:在高壓環境下,抗干擾能力薄弱易引發誤觸發;驅動效率低下導致系統發熱與能效損耗;高邊 MOSFET/IGBT 驅動設計復雜,推高了研發與制造成本。針對這些行業痛點,數明半導體推出新一代 600V、4A/4A 半橋門極驅動 SiLM228x 系列——SiLM2285、SiLM2286、SiLM22868、SiLM22815 及SiLM22816,該系列產品憑借超強抗干擾、高效驅動、高邊直驅設計三大核心優勢,解決工業開關電源、電機拖動、新能源逆變及儲能設備中的驅動難題,實現對高壓、高功率MOSFET和IGBT器件的可靠驅動,助力高壓功率器件實現可靠且高效的運行。

技術突破

直擊痛點,性能全面升級

數明半導體SiLM228x系列具備卓越的抗負向瞬態電壓與dV/dt干擾能力,能夠有效地抑制高壓環境下的噪聲沖擊,避免因電磁干擾引發的誤觸發,保障系統在工業電機啟動、新能源逆變并網等瞬態工況下的穩定性。輸出驅動器集成高脈沖電流緩沖級,提供4A拉/灌電流,可驅動多功率MOSFET并聯,結合9ns超快開關速度與170ns的傳播延遲,顯著降低開關損耗,提升高頻應用下的轉換效率。此外,浮動通道設計支持600V高邊N溝道MOSFET/IGBT直接驅動,無需額外配備隔離電源,簡化高邊拓撲設計并降低系統成本。

功能亮點

靈活適配,安全可靠無憂

SiLM228x系列以寬電壓兼容性、高靈活性與多重保護機制為核心功能亮點,能夠很好地適配復雜工業環境的需求。其邏輯輸入兼容3.3V CMOS/LSTTL標準,輸入引腳支持10-20V寬范圍,可適配不同控制信號源,顯著提升系統兼容性; UVLO欠壓閉鎖功能支持多種保護閾值設置,能夠有效避免因電源波動而導致的器件損壞;30ns的高低邊匹配延時優化了驅動時序,避免半橋拓撲中上下管交叉導通的風險,保障了系統安全。此外,該系列支持-40℃至150℃寬溫工作范圍,并內置ESD防護電路,進一步增強了在惡劣環境下的可靠性,為工業自動化、綠色能源等場景提供了全周期的安全保障。

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圖1. SiLM2285,SiLM2286,SiLM22868

典型應用框圖

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圖2. SiLM22815,SiLM22816

典型應用框圖

應用價值

全場景賦能,驅動高效未來

SiLM228x系列門極驅動器以其高性能、高靈活性與高可靠性,為工業與新能源領域注入了新動能。在工業開關電源中,其超快開關速度與低傳播延遲能顯著提升功率密度,減輕散熱設計壓力;在電機拖動系統中,高效驅動能力與高邊直驅設計簡化了變頻器、伺服驅動器等復雜拓撲,降低了系統成本并提升能效;在新能源逆變與儲能領域,抗干擾與高可靠性設計保障了光伏逆變器、儲能PCS在惡劣電網環境下的穩定運行,助力清潔能源高效并網。此外,該系列還可廣泛應用于工業風機、傳動設備、半橋/全橋變換器等場景,通過“一站式”驅動解決方案,幫助工程師突破技術瓶頸,推動工業自動化與綠色能源產業向更高效、更安全、更智能的方向邁進。

產品特性

全新600V/4A半橋門極驅動SiLM228x系列

寬電壓耐受,驅動更可靠

1. 600V母線電壓支持:適配工業開關電源、電機驅動等高壓應用場景,穩定應對高電壓波動。

2. 20V VCC寬工作電壓范圍:兼容多種電源設計,保障MOSFET/IGBT驅動可靠穩定。

3. 10-20V輸入引腳寬范圍:增強信號兼容性,降低電壓波動致驅動失效風險。

高效驅動,降低系統損耗

1. 4A拉/灌電流輸出:滿足多功率MOSFET并聯需求,提升功率密度和驅動能力。

2. 9ns超快上升/下降時間:降低開關損耗,適配高頻開關場景。

3. 170ns開通/關斷傳播延遲:支持高開關頻率,提升電源轉換效率與動態響應。

精準時序控制,保障系統安全

1. 30ns高低邊匹配延時:優化半橋/全橋拓撲驅動時序,避免交叉導通風險。

2. 輸入同相位邏輯設計:簡化控制邏輯,降低設計復雜度,提升多通道協同效率。

多重保護,設計更靈活

1. 欠壓閉鎖(UVLO)功能:內置可定制保護閾值,防止低電壓誤觸發。

2. 封裝形式:可選SOP8與SOP14,適配不同PCB布局與功能需求。

產品選型

全新600V/4A半橋門極驅動SiLM228x系列

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原文標題:新品發布丨 全新600V/4A半橋門極驅動SiLM228x系列:持續精進、直擊高壓高功率應用痛點,賦能工業與新能源高效升級

文章出處:【微信號:數明半導體,微信公眾號:數明半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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