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破局時(shí)刻:大陸首款55A/-200V/50mΩ高壓MOSFET問(wèn)世-VBP2205N

焦點(diǎn)訊 ? 來(lái)源:焦點(diǎn)訊 ? 作者:焦點(diǎn)訊 ? 2025-05-29 17:44 ? 次閱讀

大陸首款55A/-200V/50mΩ高壓MOSFET問(wèn)世——國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體的200V高壓革命為國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程注入了強(qiáng)勁動(dòng)力!

微碧半導(dǎo)體(VBsemi)正式發(fā)布VBP2205N——中國(guó)大陸首款-200V/50mΩ高壓MOSFET。這款采用TO-247封裝的P溝道功率器件,以55A連續(xù)電流承載能力和超低導(dǎo)通電阻,填補(bǔ)了國(guó)產(chǎn)高壓MOSFET在工業(yè)電源新能源汽車電子領(lǐng)域的空白,標(biāo)志著中國(guó)功率半導(dǎo)體正式邁入“高壓低損”技術(shù)第一梯隊(duì)。

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技術(shù)硬實(shí)力:為何VBP2205N是行業(yè)里程碑?

1. 參數(shù)對(duì)標(biāo)國(guó)際巨頭,國(guó)產(chǎn)首次超越

電壓與電流:-200V耐壓/-55A電流,直接對(duì)標(biāo)國(guó)際整流器IR IRFP9240(-200V/12A)和IXYS IXTH48P20P(-200V/48A),但RDS(on)低至50mΩ(@VGS=10V),比競(jìng)品平均低15%-20%。

能效突破:55.2mΩ@10 V驅(qū)動(dòng)電壓,適配低電壓控制場(chǎng)景,減少外圍電路復(fù)雜度。

獨(dú)創(chuàng)“雙阱溝槽”工藝(Dual-Trench Tech)

技術(shù)亮點(diǎn):通過(guò)三維溝槽柵極設(shè)計(jì),將載流子遷移率提升30%,降低導(dǎo)通損耗;

集成肖特基二極管,反向恢復(fù)電荷(Qrr)僅35nC,比傳統(tǒng)平面MOSFET減少60%,消除高頻應(yīng)用中的電壓振鈴。

實(shí)測(cè)數(shù)據(jù):在光伏逆變器測(cè)試中,VBP2205N的開(kāi)關(guān)損耗比同類產(chǎn)品降低22%,系統(tǒng)效率提升1.8%。

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3. 極端環(huán)境可靠性

工業(yè)級(jí)魯棒性:

工作溫度范圍-55℃~150℃,通過(guò)1000小時(shí)高溫高濕(85℃/85%RH)測(cè)試;

雪崩耐量(EAS)達(dá)300mJ,適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)等突發(fā)負(fù)載場(chǎng)景。

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應(yīng)用場(chǎng)景:重新定義高壓電源設(shè)計(jì)

1.新能源發(fā)電系統(tǒng)

光伏MPPT控制器50mΩ導(dǎo)通電阻可減少3%的功率損耗,單板年發(fā)電量提升約5kWh。

儲(chǔ)能PCS:支持20kHz高頻切換,兼容SiC混合拓?fù)洹?/p>

2.工業(yè)自動(dòng)化

伺服驅(qū)動(dòng)器:-200V耐壓直接替代IGBT模塊,成本降低40%;

PLC電源模塊靜態(tài)功耗<0.1W,滿足歐盟ERP Tier 2能效標(biāo)準(zhǔn)。

3.電動(dòng)汽車配套

OBC(車載充電機(jī)):55A電流支持11kW快充架構(gòu);

高壓DCDC轉(zhuǎn)換器與SiC二極管組合,效率突破98%。

量產(chǎn)與供應(yīng)鏈:國(guó)產(chǎn)化的關(guān)鍵一躍

產(chǎn)能規(guī)劃:VBsemi已實(shí)現(xiàn)大批量量產(chǎn),良率超97.9%;

價(jià)格策略:比進(jìn)口型號(hào)低,但性能參數(shù)全面領(lǐng)先。

行業(yè)評(píng)價(jià):VBP2205N的發(fā)布,意味著中國(guó)企業(yè)在高壓MOSFET領(lǐng)域終于擁有了‘定價(jià)權(quán)’。

VBsemi的野望:從替代者到規(guī)則制定者

技術(shù)路線圖:2026年推出300V/20mΩ產(chǎn)品,挑戰(zhàn)國(guó)外頂尖品牌技術(shù)水平;

用戶實(shí)測(cè):性能與口碑雙贏

首批工程樣品已獲客戶驗(yàn)證:

某頭部光伏企業(yè):在1500V組串逆變器中替換進(jìn)口型號(hào),整機(jī)效率從98.1%提升至98.9%;

工業(yè)機(jī)器人廠商:電機(jī)啟停響應(yīng)時(shí)間縮短至0.5ms,過(guò)熱報(bào)警率歸零。

中國(guó)功率半導(dǎo)體的“高電壓宣言”

從依賴進(jìn)口到自主研發(fā),VBP2205N不僅是參數(shù)表的勝利,更是國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈技術(shù)自信的體現(xiàn)。功率半導(dǎo)體沒(méi)有‘差不多’——要么征服電壓,要么被電壓淘汰。

(即刻申請(qǐng)樣品:關(guān)注VBsemi官網(wǎng)或微信公眾號(hào)回復(fù)“VBP2205N”)

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審核編輯 黃宇

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