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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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LM5106系列 具有 8V-UVLO 和可編程死區(qū)時(shí)間的 1.2A、1.8A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5106 是一款高壓柵極驅(qū)動(dòng)器,旨在驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè) 采用同步降壓或半橋配置的側(cè)面 N 溝道 MOSFET。浮動(dòng)高側(cè) 驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá) 100V 的電...
UCC37322 具有分離輸出、25ns 屬性延遲和啟用功能的 9A/9A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC2732x/UCC3732x 系列高速驅(qū)動(dòng)器采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳布局,可提供 9A 的峰值驅(qū)動(dòng)電流。這些驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)最大的 MOSFET,適用于由于...
2025-05-22 標(biāo)簽:電路MOSFET驅(qū)動(dòng)器 113 0
UCC27321 具有反相輸入的 9A/9A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC2732x/UCC3732x 系列高速驅(qū)動(dòng)器采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳布局,可提供 9A 的峰值驅(qū)動(dòng)電流。這些驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)最大的 MOSFET,適用于由于...
2025-05-22 標(biāo)簽:MOSFET封裝柵極驅(qū)動(dòng)器 112 0
UCC27324-Q1 汽車(chē)非反相 4A/4A 雙通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27324-Q1 高速雙 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器可向容性負(fù)載提供大峰值電流。這些驅(qū)動(dòng)器采用一種本質(zhì)上將擊穿電流降至最低的設(shè)計(jì),在 MOSFET 開(kāi)關(guān)...
UCC37321 具有反相輸入、分離輸出和使能功能的 9A/9A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC2732x/UCC3732x 系列高速驅(qū)動(dòng)器采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳布局,可提供 9A 的峰值驅(qū)動(dòng)電流。這些驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)最大的 MOSFET,適用于由于...
2025-05-22 標(biāo)簽:電路MOSFET驅(qū)動(dòng)器 111 0
TPS2410 0.8V 至 16.5V 1.2A IQ 290uA Igate 源 N+1 和 OR-ing 電源軌控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS241x 控制器與外部 N 溝道 MOSFET 配合使用,可仿真低正向電壓二極管的功能。該器件可用于將多個(gè)電源組合到 N+1 配置的公共總線上,或...
TPS2829 2A/2A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,帶 40V VDD數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS28xx 單通道高速 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器能夠向高電容負(fù)載提供高達(dá) 2A 的峰值電流。高開(kāi)關(guān)速度 (t~r~和 t ~f~ = 14 ns(典型值...
2025-05-22 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器BiCMOS 110 0
UCC27200-Q1 具有 8V UVLO 和 CMOS 輸入的汽車(chē)類 3A、120V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27200-Q1 高頻 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器包括一個(gè) 120V 自舉二極管以及具有獨(dú)立輸入的高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器,可實(shí)現(xiàn)最大的控制靈活性。這...
LM5109B 具有 8V UVLO 和高抗噪能力的 1A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5109B 器件是一款高性價(jià)比的高壓柵極驅(qū)動(dòng)器,旨在驅(qū)動(dòng) 同步降壓或半橋中的高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET 配置。浮動(dòng)的 高側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高...
2025-05-21 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET封裝 109 0
ME8701是一款X電容自動(dòng)放電芯片,兩端接入AC電壓后,會(huì)有極低的電流流進(jìn)芯片,可在230V AC輸入時(shí)將功率損耗降至5mW以下。當(dāng)AC斷電后,ME8...
TPS28226 具有 8V UVLO 的 4A、27V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,用于同步整流數(shù)據(jù)手冊(cè)
這是一款高速驅(qū)動(dòng)器,適用于具有自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間控制功能的 N 溝道互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET。該驅(qū)動(dòng)器經(jīng)過(guò)優(yōu)化,適用于各種大電流單相和多相 DC-DC 轉(zhuǎn)...
UC1709-SP系列 具有 40V VDD 和穩(wěn)壓 5V 輸出的航天級(jí) QMLV、1.5A/1.5A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UC3709 系列功率驅(qū)動(dòng)器是一種有效的低成本解決方案,可解決為功率 MOSFET 的電容柵極提供快速導(dǎo)通和關(guān)斷的問(wèn)題。這些器件采用高速肖特基工藝制成,...
ADN8833用于數(shù)字控制系統(tǒng)的超緊湊、1A熱電冷卻器(TEC)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)
ADN8833是一款集成1 A功率MOSFET的單芯片H橋TEC驅(qū)動(dòng)器。它包括提供線性驅(qū)動(dòng)器(LDR)輸出的線性功率級(jí),以及提供SW輸出的脈沖寬度調(diào)制(...
2025-05-09 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器TEC 100 0
TPS2815 2A/2A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,每個(gè)輸出具有兩個(gè) NAND 輸入數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS28xx 系列雙通道高速 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器能夠向高電容負(fù)載提供 2A 的峰值電流。這種性能是通過(guò)一種設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)的,該設(shè)計(jì)本身就將擊穿電流降至最低...
2025-05-22 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器峰值電流 98 0
UC1705-SP系列 具有 40V VDD 和輸出鎖存器的航天級(jí) QMLV、1.5A/1.5A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UC1705 系列功率驅(qū)動(dòng)器采用高速肖特基工藝制成,用于連接低級(jí)控制功能和高功率開(kāi)關(guān)器件,尤其是功率 MOSFET。這些器件也是電容式線路驅(qū)動(dòng)器的最佳選...
2025-05-22 標(biāo)簽:MOSFET鎖存器柵極驅(qū)動(dòng)器 96 0
瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)
隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展,進(jìn)一步推動(dòng)算力需求,服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%,通過(guò)降低能量損耗,來(lái)支撐高功率的GPU。為了抓住市場(chǎng)機(jī)遇,瑞能半導(dǎo)...
2025-05-22 標(biāo)簽:MOSFET服務(wù)器瑞能半導(dǎo)體 48 0
瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(2)
瑞能G3 超結(jié)MOSFET Analyzation 瑞能超結(jié)MOSFET “表現(xiàn)力”十足 可靠性表現(xiàn) ? ? 可靠性保障 ?瑞能?chē)?yán)謹(jǐn)執(zhí)行三批次可靠性測(cè)試...
2025-05-22 標(biāo)簽:MOSFET數(shù)據(jù)中心瑞能半導(dǎo)體 44 0
有源鉗位吸收器電路設(shè)計(jì)與數(shù)字實(shí)現(xiàn)方式
隨著MOSFET擊穿電壓額定值的增大,導(dǎo)通電阻也會(huì)增大。在這樣場(chǎng)景中如何消除同步整流器上的電壓尖峰和振鈴,另外有源-鉗位方案優(yōu)勢(shì)有哪些?
從事開(kāi)發(fā)近20年的工程師,談開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品設(shè)計(jì)要訣!
從2000年開(kāi)始進(jìn)入開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品行業(yè),一直從事開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā),對(duì)開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品的設(shè)計(jì),產(chǎn)品制造工藝以及應(yīng)用都有豐富的經(jīng)驗(yàn)。
2019-01-08 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源電源工程師 0 0
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