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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管),即以...
2018-07-11 標(biāo)簽:MOSFET 23.2萬(wàn) 0
mos管工作原理:它是利用VGS來(lái)控制“感應(yīng)電荷”的多少,以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況,然后達(dá)到控制漏極電流的目的。在制造管子時(shí),通過(guò)工...
boost升壓電路是一種常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)直流升壓電路,它通過(guò)開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通和關(guān)斷來(lái)控制電感儲(chǔ)存和釋放能量,從而使輸出電壓比輸入電壓高。
2019-09-04 標(biāo)簽:mosfet開(kāi)關(guān)電源電感 9.8萬(wàn) 0
MOS的概念、工作原理、分類以及相關(guān)應(yīng)用詳解
Hi,大家好。歡迎來(lái)到我們【半導(dǎo)體概念科普】系列文章,本系列會(huì)針對(duì)半導(dǎo)體重要且基礎(chǔ)的概念做一些科普,輔助一些技術(shù)報(bào)告/文章的閱讀和理解。 集成電路按照所...
對(duì)MOSFET與IGBT詳細(xì)的區(qū)別分析以及舉例說(shuō)明
本文將對(duì)一些參數(shù)進(jìn)行探討,如硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)ZVS (零電壓轉(zhuǎn)換) 拓?fù)渲械拈_(kāi)關(guān)損耗,并對(duì)電路和器件特性相關(guān)的三個(gè)主要功率開(kāi)關(guān)損耗—導(dǎo)通損耗、傳導(dǎo)損耗和關(guān)...
MOSFET的半橋驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)要領(lǐng)詳解
MOSFET憑開(kāi)關(guān)速度快、導(dǎo)通電阻低等優(yōu)點(diǎn)在開(kāi)關(guān)電源及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用中得到了廣泛應(yīng)用。要想使MOSFET在應(yīng)用中充分發(fā)揮其性能,就必須設(shè)計(jì)一個(gè)適合應(yīng)用的...
2016-10-09 標(biāo)簽:MOSFET半橋驅(qū)動(dòng)電路 6.6萬(wàn) 0
MOS管的構(gòu)造及MOS管種類和結(jié)構(gòu)
實(shí)際在MOS管生產(chǎn)的過(guò)程中襯底在出廠前就和源極連接,所以在符號(hào)的規(guī)則中,表示襯底的箭頭也必須和源極相連接,以區(qū)別漏極和源極。圖1-4-(c)是P溝道MO...
圖騰無(wú)橋PFC電路,自己第一次接觸,看了幾篇論文學(xué)習(xí)了一下其相關(guān)的知識(shí),簡(jiǎn)單總結(jié)一下分享出來(lái),希望對(duì)大家有所幫助。圖騰無(wú)橋是一種簡(jiǎn)單、效率高且成本低的功...
交流參數(shù)可分為輸出電阻和低頻互導(dǎo)2個(gè)參數(shù),輸出電阻一般在幾十千歐到幾百千歐之間,而低頻互導(dǎo)一般在十分之幾至幾毫西的范圍內(nèi),特殊的可達(dá)100mS,甚至更高。
2019-06-18 標(biāo)簽:MOSFETMOS管絕緣柵場(chǎng)效應(yīng) 5.4萬(wàn) 0
本文介紹并討論分析一下作者在研制開(kāi)關(guān)電源中使用的幾種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單可行的MOSFET管驅(qū)動(dòng)電路。##隔離的驅(qū)動(dòng)電路。
2015-04-01 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源驅(qū)動(dòng)電路 5.2萬(wàn) 1
如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓,而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS (根據(jù)擊穿電流其值不同),并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。
2017-11-02 標(biāo)簽:mosfet 5.0萬(wàn) 0
H橋到底是什么一個(gè)H橋驅(qū)動(dòng)掃盲教程詳細(xì)說(shuō)明
H橋是一個(gè)比較簡(jiǎn)單的電路,通常它會(huì)包含四個(gè)獨(dú)立控制的開(kāi)關(guān)元器件(例如 MOS-FET),它們通常用于驅(qū)動(dòng)電流較大的負(fù)載,比如電機(jī),至于為什么要叫H橋(H...
從轉(zhuǎn)移特性曲線可以看出:當(dāng)Vgs上升到Vth時(shí),MOS管開(kāi)始導(dǎo)通電流。
由于米勒電容阻止了Vgs的上升,從而也就阻止了Vds的下降,這樣就會(huì)使損耗的時(shí)間加長(zhǎng)。(Vgs上升,則導(dǎo)通電阻下降,從而Vds下降)
在電力電子技術(shù)領(lǐng)域,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一種被廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件。它結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的輸入阻抗高和雙極...
MAX16833高壓高亮度LED驅(qū)動(dòng)器的分步設(shè)計(jì)過(guò)程
本應(yīng)用筆記是系列筆記中的第一篇,詳細(xì)介紹了MAX16833高壓高亮度LED驅(qū)動(dòng)器的分步設(shè)計(jì)過(guò)程,以加快原型設(shè)計(jì)速度,增加一次通過(guò)成功的機(jī)會(huì)。MAX168...
2023-04-17 標(biāo)簽:LEDMOSFETLED驅(qū)動(dòng)器 4.4萬(wàn) 0
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