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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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LM74720-Q1 具有有源整流和負(fù)載突降保護(hù)功能的汽車級低 IQ 理想二極管控制器數(shù)據(jù)手冊
LM74720-Q1 理想二極管控制器可驅(qū)動(dòng)和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET,以模擬具有電源路徑開/關(guān)控制和過壓保護(hù)功能的理想二極管整流器。3V...
ISO5852S-Q1 汽車5.7kVrms 2.5A/5A單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊
ISO5852S-Q1 器件的電壓為 5.7kV ~RMS~ ,用于 IGBT 和 MOSFET 的增強(qiáng)型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,具有分離輸出 OUTH 和 ...
UCC27444-Q1 具有 -5V 輸入能力的汽車類 4A 雙通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊
UCC27444-Q1 是一款雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,可有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 GaN 功率開關(guān)。UCC27444-Q1 的典型峰值驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度為...
2025-05-16 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)電源開關(guān) 151 0
UCC27211A-Q1 具有 8V UVLO 和負(fù)電壓處理能力的汽車類 4A、120V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊
UCC27211A-Q1 器件驅(qū)動(dòng)器基于流行的 UCC27201 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器;但是,該設(shè)備提供了幾項(xiàng)重要的性能改進(jìn)。 峰值輸出上拉和下拉...
2025-05-19 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器整流二極管 151 0
ISO5452 5.7kVrms,2.5A/5A單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,帶分割輸出數(shù)據(jù)手冊
ISO5452 是一款 5.7kV RMS 增強(qiáng)型隔離式柵驅(qū)動(dòng)器,適用于具有分離輸出、OUTH 和 OUTL 的 IGBT 和 MOSFET,可提供 2...
TPS28225-Q1 具有 4V UVLO 的汽車類 4A、27V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊
TPS28225-Q1 是一款高速驅(qū)動(dòng)器,適用于具有自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間控制的 N 溝道互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET。該驅(qū)動(dòng)器經(jīng)過優(yōu)化,適用于各種大電流、單相和...
2025-05-20 標(biāo)簽:二極管MOSFET驅(qū)動(dòng)器 149 0
LM7480-Q1系列 3V 至 65V 汽車級理想二極管控制器,背靠背驅(qū)動(dòng) NFET數(shù)據(jù)手冊
LM7480x-Q1 理想二極管控制器可驅(qū)動(dòng)和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET,以模擬具有電源路徑開/關(guān)控制和過壓保護(hù)功能的理想二極管整流器。3V...
LM74721-Q1 汽車級 TVS less 低 IQ 反接電池保護(hù) 理想二極管控制器 有源整流數(shù)據(jù)手冊
LM74721-Q1 理想二極管控制器可驅(qū)動(dòng)和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET,以模擬具有電源路徑開/關(guān)控制和過壓保護(hù)功能的理想二極管整流器。3V...
TPS22998 5.5V、10A、4mΩ 導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS22998 是一款單通道負(fù)載開關(guān),可提供可配置的上升時(shí)間,以最大限度地減少浪涌電流。該器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET,可在 0.2 V 至 ...
2025-05-08 標(biāo)簽:MOSFET封裝負(fù)載開關(guān) 149 0
ISO5852S-EP 5.7kVrms,2.5A/5A 增強(qiáng)型 1 通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊
ISO5852S-EP 器件的電壓為 5.7kV ~RMS~ 、增強(qiáng)型隔離柵極 用于具有分離輸出、OUTH 和 OUTL 的 IGBT 和 MOSFET...
LM5051系列 -6V 至 -100V 690uA IQ 或運(yùn)算 FET 控制器數(shù)據(jù)手冊
LM5051 低側(cè) OR-ing FET 控制器與外部 MOSFET 配合使用 與電源串聯(lián)時(shí)用作理想二極管整流器。這個(gè) OR-ing 控制器 允許 MO...
UCC21717-Q1 用于 SiC/IGBT 的汽車類 10A 拉/灌單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊
UCC21717-Q1 是一款電隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)高達(dá) 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT。它具有先進(jìn)的集成保護(hù)、一流...
UCC27284 具有 5V UVLO 和使能的 3A、120V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊
UCC27284 是一款堅(jiān)固耐用的 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器,最大開關(guān)節(jié)點(diǎn) (HS) 額定電壓為 100 V。它允許在基于半橋或同步降壓配置的拓?fù)?..
2025-05-16 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器電源電壓 148 0
UCC27301A-Q1 汽車級 120V 4A 半橋驅(qū)動(dòng)器,具有 8V UVLO、使能和互鎖功能數(shù)據(jù)手冊
UCC27301A-Q1 是一款堅(jiān)固耐用的柵極驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)半橋或同步降壓配置中的兩個(gè) N 溝道 MOSFET,絕對最大自舉電壓為 120V。其 ...
LM5109B-Q1 具有 8V UVLO 和高抗噪能力的汽車類 1A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊
LM5109B-Q1 是一款高性價(jià)比的高壓柵極驅(qū)動(dòng)器,旨在驅(qū)動(dòng) 高側(cè)和低側(cè) N 溝道 MOSFET,采用同步降壓或半橋配置。 浮動(dòng)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá)...
基于氮化鎵的碳化硅功率MOSFET高頻諧振柵極驅(qū)動(dòng)器
對于碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件而言,優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)尤為重要。此類轉(zhuǎn)換器的快速開關(guān)需仔細(xì)考量寄生參數(shù)、過沖/欠沖現(xiàn)象以及...
2025-05-08 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器氮化鎵 147 0
TPS22996 具有可調(diào)上升時(shí)間的 2 通道、5.5V、4A、14mΩ 導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS22996 產(chǎn)品系列由兩個(gè)器件組成:TPS22996 和 TPS22996N。每個(gè)器件都是一個(gè)具有受控導(dǎo)通功能的雙通道負(fù)載開關(guān)。該器件包含兩個(gè) N...
2025-05-07 標(biāo)簽:MOSFET接口負(fù)載開關(guān) 147 0
當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢壘結(jié)所構(gòu)成:雙極結(jié)型晶體管(BJT)包含兩個(gè)背靠背的PN 結(jié),MOSFET也是如此。結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFE...
TPS22915 具有輸出放電的 5.5V、2A、39mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS22914/15 是一個(gè)小而低的 R ~上~ ,具有受控轉(zhuǎn)換速率的單通道負(fù)載開關(guān)。該器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET,可在 1.05 V 至 ...
2025-05-12 標(biāo)簽:MOSFET電阻器負(fù)載開關(guān) 146 0
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