UCC27324-Q1 高速雙 MOSFET 驅動器可向容性負載提供大峰值電流。這些驅動器采用一種本質上將擊穿電流降至最低的設計,在 MOSFET 開關轉換期間,在米勒高原區域提供 4 A 的電流。獨特的雙極和 MOSFET 混合并聯輸出級還允許在低電源電壓下實現高效的電流源和吸收。
該器件采用標準 SOIC-8 (D) 封裝。
*附件:ucc27324-q1.pdf
特性
- 適用于汽車應用
- 行業標準引腳排列
- Miller Plateau 地區的 ±4 A 高電流驅動能力
- 即使在低電源電壓下也能實現高效的恒流源
- TTL 和 CMOS 兼容輸入,不受電源電壓的影響
- 1.8nF 負載時,典型上升時間為 20ns,典型下降時間為 15ns
- 典型傳播延遲時間為 25 ns(輸入下降時)和 35 ns(輸入上升時)
- 電源電壓為 4 V 至 15 V
- 電源電流:0.3 mA
- 雙輸出可并聯以獲得更高的驅動電流
- 額定溫度范圍為 T J = –40°C 至 125°C
- TrueDrive? 輸出架構采用雙極和 CMOS 晶體管并聯
參數
方框圖
一、產品概述
1. 基本信息
2. 主要特點
- ?汽車級認證?:適用于汽車應用
- ?高電流驅動?:在Miller平臺區域提供±A的驅動電流
- ?雙輸出?:兩個獨立的輸出通道,可并聯以增加驅動電流
- ?輸入兼容?:TTL和CMOS兼容輸入,獨立于電源電壓
- ?快速開關?:ns典型上升時間和ns典型下降時間(.nF負載)
- ?寬供電范圍?:V至V供電電壓
- ?熱增強封裝?:標準SOIC-封裝,提高長期可靠性
二、引腳配置與功能
1. 引腳配置
- ?OUTA/OUTB?:驅動輸出A/B,提供高達A的驅動電流
- ?INA/INB?:輸入A/B,控制相應驅動器的開關
- ?GND?:公共地,應緊密連接到被驅動功率MOSFET的源極
- ?VDD?:供電電壓輸入
- ?NC?:無連接引腳,應接地
2. 功能描述
- ?OUTA/OUTB?:輸出端,用于驅動外部N溝道MOSFET的柵極
- ?INA/INB?:輸入端,接收控制信號以開關相應的輸出
- ?GND?:提供公共參考地,確保電路穩定
- ?VDD?:為驅動器供電
- ?NC?:無電氣功能,設計用于接地以防止浮動
三、電氣特性
1. 絕對最大額定值
- ?供電電壓?:4V至6V
- ?輸出電流?:DC 0.3A,脈沖4.5A
- ?結溫?:-°C至°C
2. 推薦操作條件
- ?供電電壓?:4V至5V
3. 電氣特性
- ?靜態工作電流?:典型值μA至μA(根據輸入狀態)
- ?輸出電阻?:高電平輸出電阻0.6Ω至.Ω,低電平輸出電阻0.Ω
- ?輸入閾值?:高電平輸入閾值1.6V至.V,低電平輸入閾值1.8V至.V
4. 開關特性
- ?上升時間?:ns至ns(1.8nF負載)
- ?下降時間?:ns至ns(1.8nF負載)
- ?傳播延遲?:輸入上升時5ns至0ns,輸入下降時ns至ns
四、應用與實現
1. 應用信息
2. 典型應用
- 提供了在PWM控制器和功率MOSFET之間的典型應用電路圖
3. 設計考慮
- ?并聯輸出?:A和B驅動器可并聯以增加驅動電流
- ?傳播延遲?:根據系統開關頻率選擇合適的驅動器
- ?電源旁路?:推薦使用兩個電源旁路電容以減少噪聲
五、布局與熱考慮
1. 布局指南
- ?驅動靠近MOSFET?:減少寄生電感和噪聲
- ?電源旁路電容?:靠近VDD和GND放置旁路電容
- ?地平面?:使用地平面提供噪聲屏蔽和散熱路徑
2. 熱考慮
- ?熱阻?:提供了不同封裝下的熱阻信息
- ?散熱設計?:選擇合適的封裝以滿足熱設計要求
六、封裝與訂購信息
1. 封裝選項
- ? SOIC- (D) ?:標準引腳小外形集成電路封裝
2. 訂購信息
- 提供了訂購信息,包括狀態、材料類型、封裝尺寸、載帶和卷盤信息、RoHS狀態等
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