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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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意法半導(dǎo)體1350V新系列IGBT晶體管提高耐變性和能效
2023 年 9 月 11 日,中國 – 意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V,最高工作溫度拓寬到175°C,更高的額定值確保晶...
2023-09-19 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體IGBT晶體管 542 0
英飛凌 | SiC MOSFET用于電機(jī)驅(qū)動的優(yōu)勢在哪里
低電感電機(jī)有許多不同應(yīng)用,包括大氣隙電機(jī)、無槽電機(jī)和低泄露感應(yīng)電機(jī)。它們也可被用 在使用PCB定子而非繞組定子的新電機(jī)類型中。這些電機(jī)需要高開關(guān)頻率(5...
碳化硅MOSFET相對IGBT為什么可以壓榨更多應(yīng)用潛力?
碳化硅(SiC)MOSFET相較于傳統(tǒng)IGBT能夠釋放更多潛力的核心原因在于其材料特性與器件物理的革新,具體體現(xiàn)在高頻高效、高溫耐受、低損耗設(shè)計(jì)以及系統(tǒng)...
羅姆 | 有助于車載和工業(yè)設(shè)備降低功耗!內(nèi)置SiC二極管的IGBT
在現(xiàn)代社會,工廠的工業(yè)產(chǎn)品生產(chǎn)活動和廠房的運(yùn)轉(zhuǎn)等都會消耗大量的能源。然而,近年來,全球眾多國家和地區(qū)加快了實(shí)現(xiàn)碳中和的進(jìn)程,這就要求各行各業(yè)的企業(yè)付出超...
變頻器中IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)爆炸是電力電子設(shè)備中較為嚴(yán)重的故障之一,其成因復(fù)雜且危害性大。以下從設(shè)計(jì)、應(yīng)用、環(huán)境及維護(hù)等多維度分析可能導(dǎo)致IG...
薩科微注重產(chǎn)品的配套和生態(tài)化布局,爭取最大可能滿足客戶的需求
薩科微總經(jīng)理宋仕強(qiáng)(Huaqiangbei?Song?Shiqiang)先生說,薩科微SLKOR?的技術(shù)路線和新產(chǎn)品研發(fā)也按照互聯(lián)網(wǎng)的邏輯來布局。互聯(lián)網(wǎng)...
三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布,將于5月1日開始供應(yīng)其新型XB系列高壓絕緣柵雙極型晶體管(HVIGBT)模塊的樣品。該模塊是一款3.3kV/1500A的大容量功率...
揚(yáng)杰科技DGW40N120CTLQ IGBT模塊:高性能與可靠性的完美結(jié)合
?在現(xiàn)代電力電子應(yīng)用中,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為核心功率開關(guān)器件,其性能直接影響整個系統(tǒng)的效率和可靠性。揚(yáng)杰科技推出的DGW40N120CTL...
2025-06-26 標(biāo)簽:IGBT 511 0
安世半導(dǎo)體IGBT模塊賦能馬達(dá)驅(qū)動應(yīng)用
近年來,我國年工業(yè)生產(chǎn)總值不斷提高,但能耗比卻居高不下,高能耗比已成為制約我國經(jīng)濟(jì)發(fā)展的瓶頸,為此國家投入大量資金支持節(jié)能降耗項(xiàng)目,變頻調(diào)速技術(shù)已越來越...
2024-03-01 標(biāo)簽:變頻器IGBT馬達(dá)驅(qū)動 510 0
什么是IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組?特性是什么?主要應(yīng)用哪里?
IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組 一、核心器件定義 ? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管) ? 電力電子領(lǐng)域核心開關(guān)器件,通過柵極電壓...
新品 | 3300V,1200A IGBT4 IHV B模塊
3300V,1200AIGBT4IHVB模塊知名的IHVB3.3kV單開關(guān)IGBT模塊經(jīng)過了重大改進(jìn),以滿足牽引和工業(yè)應(yīng)用(如中壓傳動或HVDC)當(dāng)前和...
在光儲逆變器這一核心系統(tǒng)中,功率器件堪稱電能高效轉(zhuǎn)換與精準(zhǔn)控制的“核心樞紐”,其性能表現(xiàn)直接決定了光儲系統(tǒng)的整體效能、運(yùn)行穩(wěn)定性以及經(jīng)濟(jì)性。隨著全球能源...
? -共/創(chuàng)/共/享.同/芯/同/行- 2022年慕尼黑華南電子展圓滿落幕! ? 合作共贏 2022年11月15-17日,為期三天的“2022慕尼黑華南...
有助于車載和工業(yè)設(shè)備降低功耗!內(nèi)置SiC二極管的IGBT
在現(xiàn)代社會,工廠的工業(yè)產(chǎn)品生產(chǎn)活動和廠房的運(yùn)轉(zhuǎn)等都會消耗大量的能源。然而,近年來,全球眾多國家和地區(qū)加快了實(shí)現(xiàn)碳中和的進(jìn)程,這就要求各行各業(yè)的企業(yè)付出超...
在功率器件快速發(fā)展的當(dāng)下,如何實(shí)現(xiàn)更低的損耗、更強(qiáng)的可靠性與更寬的應(yīng)用覆蓋,成為行業(yè)關(guān)注焦點(diǎn)。龍騰半導(dǎo)體推出**1200V 50A Field Stop...
華潤微電子推出多領(lǐng)域應(yīng)用功率模塊新品
近日,西永微電園華潤微電子舉辦功率模塊新品發(fā)布會。發(fā)布了基于高壓超結(jié)MOS、IGBT、SiC的多種PIM模塊、車規(guī)主驅(qū)模塊及IPM模塊等系列新品主要應(yīng)用...
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