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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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APSME 2025|抓機遇,促發展——共創功率半導體行業新篇章
功率半導體,又稱電力電子器件或功率電子器件,是電子產業鏈中最核心的一類器件之一,廣泛應用于工業控制、新能源發電和電能質量管理、汽車電子和汽車充電樁等領域...
IGBT是電源應用中相當常見的器件,可用于交流電的電機控制輸出。由安森美半導體所推出的TO247-4L IGBT將可為相關應用提供更高的效能與更佳的成本...
新品 | 900A 1700V Wave基板的EconoDUAL? 3 IGBT7 模塊
新品900A1700VWave基板的EconoDUAL3IGBT7模塊EconoDUAL3FF900R17ME7W_B11基板采用Wave波浪結構,針對...
來源:行家說-葉知秋 1月17日,據“涪陵高新區綜保區”報道,重慶新陵微電子有限公司正在緊鑼密鼓地安裝設備,預計2025年二季度將實現整線通線,進行試生...
2025-01-21 標簽:IGBT 659 0
新品 | 670V TRENCHSTOP? IGBT7 PR7帶反并聯二極管TO-247-3大爬電距離和電氣間隙封裝
670VTRENCHSTOPIGBT7PR7帶反并聯二極管TO-247-3大爬電距離和電氣間隙封裝該產品專門針對RAC/CAC和HVAC等升壓PFC電路...
近日,工業和信息化部辦公廳公布了2024年度質量提升與品牌建設典型案例名單,錦浪科技股份有限公司的“IGBT全工況檢測系統提升核心器件可靠性”成功入選質...
全力推進SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代IGBT模塊,實現電力電子產業升級和自主可控!
BASiC?基半股份一級代理商全力推進SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代IGBT模塊,實現電力電子產業升級和自主可控! 為什么在儲能變流器PCS應...
在儲能變流器(PCS)中,碳化硅(SiC)功率模塊全面取代傳統IGBT模塊的趨勢主要源于其顯著的技術優勢、成本效益以及系統級性能提升。SiC模塊在PCS...
IGBT 和 MOSFET 驅動器-延展型 SO-6 封裝,實現緊湊設計、快速開關和高壓
最新 IGBT 和 MOSFET 驅動器 器件峰值輸出電流高達?4 A 工作溫度高達?+125 °C,傳播延遲低至?200 ns Vishay 推出兩款...
森國科近期推出的650V/60A IGBT(型號:KG060N065LD-R),憑借其業界領先的低傳導損耗和高速開關性能,在電力電子領域引起了廣泛關注。
隨著全球電氣化技術的快速發展,對功率模塊的需求已經達到了前所未有的程度,相關產品的市場規模急劇擴大,幾乎超出了芯片制造商的產能提升速度。
瑞薩電子推出一款全新柵極驅動IC——RAJ2930004AGM
RAJ2930004AGM可與瑞薩IGBT產品以及其它制造商的IGBT和SiC MOSFET器件共同使用。
近日,無錫市委市政府召開無錫市場景創新大會,發布《2025年無錫市場景清單(第一批)》,包括30個場景機會和90個場景能力。無錫廣電計量申報的“MOSF...
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