森國科推出650V/60A IGBT
森國科近期推出的650V/60A IGBT（型號(hào)：KG060N065LD-R），憑借其業(yè)界領(lǐng)先的低傳導(dǎo)損耗和高速開關(guān)性能，在電力電子領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注。
該IGBT采用了先進(jìn)的制造工藝和材料技術(shù)，確保了器件在應(yīng)用中的高可靠性。其低傳導(dǎo)損耗特性有助于減少能量浪費(fèi)，提高整體能效。同時(shí)，高速開關(guān)性能使得設(shè)備響應(yīng)更加迅速，進(jìn)一步提升了系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)性能。
值得一提的是，這款I(lǐng)GBT還具有出色的魯棒性，能夠在極端環(huán)境下保持穩(wěn)定的性能。這一特性有助于提升應(yīng)用設(shè)備在惡劣條件下的穩(wěn)定性和可靠性，從而延長設(shè)備的使用壽命，減少維護(hù)成本。
森國科的這款I(lǐng)GBT新品無疑為電力電子應(yīng)用提供了更加高效、可靠的解決方案，推動(dòng)了相關(guān)領(lǐng)域的持續(xù)發(fā)展。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
IGBT
+關(guān)注
關(guān)注
1277文章
4022瀏覽量
253335 -
高速開關(guān)
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
17瀏覽量
9229 -
森國科
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
38瀏覽量
398
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
東芝推出新型650V第3代SiC MOSFET
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092
微源半導(dǎo)體推出650V半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片LPD2106
輸入邏輯電平。LPD2106具有高可靠性和抗干擾能力，高壓耐壓達(dá)650V，開關(guān)節(jié)點(diǎn)動(dòng)態(tài)能力支持達(dá)50V/ns，瞬態(tài)耐壓能力達(dá)-60V (100ns）。LPD2106集成了完善的保護(hù)功能，集成了輸入最小
內(nèi)置650V MOSFET的高可靠性PSR AC-DC轉(zhuǎn)換器CN1812
內(nèi)置650V MOSFET的高可靠性PSR AC-DC轉(zhuǎn)換器CN1812
超結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析
隨著BASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級(jí)疊加價(jià)格低于進(jìn)口超結(jié)MOSFET，不少客戶已經(jīng)開始動(dòng)手用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET,電源客戶從超結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析。
為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件？
650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
高電流密度IGBT模塊LE2 200A/650V介紹
JL3I200V65RE2PN為650V /200A INPC三電平逆變模塊，采用溝槽柵場(chǎng)終止技術(shù)IGBT7芯片，帶熱敏電阻（NTC）和可選 PressFIT壓接針腳技術(shù)。
NSG6000 650V單通道半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片介紹
NSG6000是650V電壓功率MOSFET和IGBT半橋柵驅(qū)動(dòng)器。自帶死區(qū)保護(hù)、高低側(cè)互鎖功能，防止高低側(cè)直通。具有較強(qiáng)的VS負(fù)偏壓、負(fù)過沖耐受能力。輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。具有寬VCC范圍
芯達(dá)茂國產(chǎn)IGBT模塊，國產(chǎn)IBGT單管 全系列型號(hào)
)50A 650V TO-247-3L
XD060Q065AY1S3應(yīng)用：電源(UPS/移動(dòng)儲(chǔ)能/光伏逆變)60A 650V TO-247-3L
XD075H065CX1S3應(yīng)用：
發(fā)表于 12-19 15:03
BCA60A，BCB 60A(TO-3P)單向可控硅手冊(cè)
BCA60A，BCB 60A(TO-3P)單向可控硅●產(chǎn)品特征和主要用途BCA60A，BCB 60A(TO-3P)單向可控硅:具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的單面挖槽技術(shù)，臺(tái)面玻璃鈍化工藝；背面多層
發(fā)表于 12-16 11:09
?0次下載
新潔能650V Gen.7 IGBT系列產(chǎn)品介紹
新潔能650V Gen.7系列IGBT產(chǎn)品，基于微溝槽場(chǎng)截止技術(shù)，可大幅提高器件的元胞結(jié)構(gòu)密度。采用載流子存儲(chǔ)設(shè)計(jì)、多梯度緩沖層設(shè)計(jì)、超薄漂移區(qū)設(shè)計(jì)，大幅度提升器件的電流密度。同時(shí)優(yōu)化了器件的開關(guān)特性，為系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供更大的余量。
新品 | 650V高速半橋柵極驅(qū)動(dòng)器2ED2388S06F
新品650V高速半橋柵極驅(qū)動(dòng)器2ED2388S06F650V高速半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，具有典型的0.29A源電流和0.7A灌電流，采用DSO-8封裝，用于驅(qū)動(dòng)功率MOSFET和
陸芯科技推出650V60A GEN3 IGBT單管
陸芯科技正式推出650V60A GEN3的IGBT單管，產(chǎn)品型號(hào)為YGW60N65FMA1，產(chǎn)品采用LUXIN FS-Trench GEN3平臺(tái)TO247-3L封裝
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論