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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：3073個 瀏覽：254593次 帖子：483個

      igbt資訊

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      2025-03-03 標簽：MOSFETIGBT功率半導體 768 0

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      注冊資本5000萬 長城汽車擬與魏建軍成立合資芯片公司芯動半導體

      10月21日晚間，長城汽車在港交所發布公告稱擬使用自有資金與魏建軍、穩晟科技(天津)有限公司(以下簡稱“穩晟科技”)共同出資設立芯動半導體科技有限公司(...

      2022-10-24 標簽：IGBT自動駕駛長城汽車 767 0

      華潤微可提供全套功率器件解決方案 滿足細分應用的需求

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      2022-08-24 標簽：IGBT功率器件華潤微 764 0

      青銅劍技術出席第二十屆IET交直流輸電國際會議

      日前，第二十屆IET交直流輸電國際會議（ACDC 2024）在上海召開，會議由英國工程技術學會IET（The Institution of Engine...

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      2023-08-31 標簽：gpuIGBTAI 761 0

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      據IHS iSuppli公司中國研究服務即將發表的一份報告，由于綠色能源與能源效率得到更多的重視，以及政府投資支持和嚴格的能源政策，2011-2015年...

      2011-08-13 標簽：綠色能源IGBT 760 0

      西門子IGBT系列模塊

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      2007-12-22 標簽：西門子IGBT 749 0

      東風首批自主碳化硅功率模塊下線

      這是納米碳化硅模塊燒結工藝，使用銅鍵合技術，高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板，熱電阻現有工程相比改善了10%以上，工作溫度可達175...

      2023-11-02 標簽：模塊IGBT碳化硅 749 0

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      新品1200A4500VIGBT模塊FZ1200R45HL4和FZ1200R45HL4_S7知名的IHVB4.5kV單開關IGBT模塊已采用我們最新一代...

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