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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

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      電動汽車市場的增長不僅僅是數量的增加，更在于市場的多元化。從低成本、低排放車輛的需求趨勢來看，亞太地區的電動汽車市場有望穩步擴張；而北美和歐洲地區，政府...

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      揚杰科技再創輝煌，其“高壓大功率IGBT”產品成功入選省重點推廣應用的新技術新產品目錄。這一突破性的成就彰顯了揚杰科技在電力電子領域的領先地位。

      2024-01-15 標簽：芯片IGBT揚杰科技 803 0

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      2025-04-24 標簽：光伏IGBT慕尼黑上海電子展 802 0

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      電力電子系統技術之所以快速發展，功率模組乃是公認的主要推動力，尤其在節約能源、功率控制動態范圍、減少雜訊、減輕重量和縮減體積方面，表現更是出色。功率半導...

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      當前，高功率工業設備及家用電器領域正面臨著前所未有的效率挑戰。變頻空調的廣泛應用以及工業設備對低功耗大型電源的迫切需要，使市場對于高效能開關器件的需求日...

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