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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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新品 | 采用IGBT7的CIPOS? Maxi 10-20A 1200V IPM
新品采用IGBT7的CIPOSMaxi10-20A1200VIPM高性能CIPOSMaxi轉(zhuǎn)模封裝IPMIM12BxxxC1系列基于新型1200VTRE...
儲能點(diǎn)焊機(jī)設(shè)備安裝注意事項(xiàng)
斯特科技精密儲能系列點(diǎn)焊機(jī)是目前先進(jìn)水平高性能儲能點(diǎn)焊機(jī),采用高性能CPU控制,原裝進(jìn)口IGBT放電控制模塊,進(jìn)口薄膜電容,藍(lán)光LCD大液晶屏顯示,焊接...
安世半導(dǎo)體650V IGBT網(wǎng)絡(luò)研討會前瞻
IGBT是中高壓應(yīng)用的主要器件。為滿足越來越多的對穩(wěn)健、高效和具有成本效益的電源解決方案日益旺盛的需求,Nexperia IGBT采用先進(jìn)的載流子儲存溝...
2024-12-09 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體Nexperia 721 0
2025被廣泛視為SiC碳化硅在電力電子應(yīng)用中全面替代IGBT的元年
2025年被廣泛視為碳化硅(SiC)器件在電力電子應(yīng)用中全面替代IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的元年,在于國產(chǎn)SiC(碳化硅)單管和模塊價(jià)格首次低于進(jìn)口...
森國科隆重推出IGBT分立器件新品,兼具功率MOSFET易于驅(qū)動、控制簡單、開關(guān)頻率高和功率雙極型晶體管(BJT)低飽和壓降、大電流運(yùn)輸能力及低損耗的優(yōu)點(diǎn)。
適用于IGBT驅(qū)動器應(yīng)用的2W DC-DC轉(zhuǎn)換器輸出電壓引腳
MINMAX MAEU02-HI 系列是全新系列的隔離式 2W DC-DC 轉(zhuǎn)換器模塊,采用 SIP-7 封裝,具有額定 5700VDC 的高 I/O ...
2022-08-29 標(biāo)簽:驅(qū)動器DC-DC轉(zhuǎn)換器IGBT 705 0
東芝在其新款I(lǐng)GBT中引入了最新的工藝。優(yōu)化的溝槽結(jié)構(gòu)確保了行業(yè)領(lǐng)先[2]的0.35mJ(典型值)[3]的低開關(guān)損耗(關(guān)斷損耗),與東芝當(dāng)前產(chǎn)品GT50...
意法半導(dǎo)體STGAP3S系列電隔離柵極驅(qū)動器概述
意法半導(dǎo)體的STGAP3S系列碳化硅(SiC)和 IGBT功率開關(guān)柵極驅(qū)動器集成了意法半導(dǎo)體最新的穩(wěn)健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護(hù)功能和靈活的米勒鉗位架構(gòu)。
2025-01-09 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體IGBT柵極驅(qū)動器 702 0
新款600 V單管IGBT,可在電源應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)出色效率
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia (安世半導(dǎo)體)今日宣布,將憑借600 V器件系列進(jìn)軍絕緣柵雙極晶體管(IGBT)市場,而30A NG...
功率密度提升80%的服務(wù)器電源供應(yīng)器是如何打造的?
隨著數(shù)據(jù)中心持續(xù)為網(wǎng)絡(luò)搜索、視頻通話和信息存儲等服務(wù)提供支持,處理能力需要變得更快、更強(qiáng)大,電力需求也隨之增長。在不增加體積或影響系統(tǒng)效率的情況下,如何...
2023-06-05 標(biāo)簽:MOSFET功率轉(zhuǎn)換器IGBT 696 0
瑞薩電子功率半導(dǎo)體專用 300 毫米晶圓甲府工廠開始運(yùn)營
來源:Renesas Electronics 在甲府工廠開幕式上,瑞薩電子承諾擴(kuò)大其功率半導(dǎo)體產(chǎn)能,以支持電動汽車不斷增長的需求 開幕式上:左二為瑞薩電...
Microchip 推出全新IGBT 7元件組合,滿足高增長市場需求
近日,Microchip Technology公司宣布推出其最新的IGBT 7元件組合,該系列產(chǎn)品專為支持多種電力拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)而設(shè)計(jì),涵蓋了廣泛的電流和電壓范圍。
碳化硅(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常見問題Q&A
碳化硅(SiC)MOSFET作為替代傳統(tǒng)硅基IGBT的新一代功率器件,在電動汽車、可再生能源、高頻電源等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢,隨著國產(chǎn)碳化硅MOSFET技...
長周期認(rèn)證下的IGBT封裝:先發(fā)企業(yè)的優(yōu)勢與后來者的困境
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)功率模塊是現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的核心組件,廣泛應(yīng)用于新能源發(fā)電、電動汽車、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。然而,IGBT功率模塊的封裝技術(shù)卻面...
瑞薩電子推出用于驅(qū)動EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET——RAJ2930004AGM
瑞薩電子推出一款全新柵極驅(qū)動IC——RAJ2930004AGM,用于驅(qū)動電動汽車(EV)逆變器的IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC(碳化硅)MOSF...
安森美推出第七代IGBT智能功率模塊,助力降低供暖和制冷能耗
智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi,美國納斯達(dá)克股票代號:ON),宣布推出采用了新的場截止第7代(FS7)絕緣柵雙極晶體管(IGBT)...
CMT8602X系列隔離式柵極驅(qū)動器,工業(yè)自動化的進(jìn)階密鑰
CMT8602X作為一種采用開關(guān)鍵控(On-Off Keying, OOK)調(diào)制技術(shù)來傳遞數(shù)據(jù)信息的特殊“射頻芯片”,還具有著一流的傳播延遲和脈寬失真度...
示波器探頭在半導(dǎo)體器件動態(tài)測量的應(yīng)用
在能源問題日益突出的現(xiàn)代,以IGBT為代表的功率半 導(dǎo)體器件以其優(yōu)良的能效轉(zhuǎn)換性能廣發(fā)應(yīng)用于功率電子領(lǐng)域。正確的IGBT測試技術(shù),不僅能準(zhǔn)確的測量IGB...
投資近5億,林眾電子研發(fā)及智能質(zhì)造中心正式啟用
來源:上海林眾電子科技有限公司 2024年11月11日,上海林眾電子科技有限公司(以下簡稱林眾電子)研發(fā)及智能質(zhì)造中心正式啟用。其位于上海市松江區(qū),占地...
2024-11-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT功率半導(dǎo)體 678 0
安世半導(dǎo)體650V IGBT網(wǎng)絡(luò)研討會精彩回顧
為滿足越來越多的對穩(wěn)健、高效和具有成本效益的電源解決方案日益旺盛的需求,Nexperia IGBT采用先進(jìn)的載流子儲存溝柵場截止(FS)工藝,為工業(yè)應(yīng)用...
2025-01-06 標(biāo)簽:封裝IGBT安世半導(dǎo)體 677 0
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