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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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電機(jī)控制中IGBT驅(qū)動(dòng)為什么需要隔離?
在探討電機(jī)控制中IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)驅(qū)動(dòng)為何需要隔離的問題時(shí),我們首先要了解IGBT的基本工作原理及其在電機(jī)控制中的應(yīng)用,進(jìn)而分析隔離技術(shù)在其...
中國(guó)電力電子廠商創(chuàng)新之路:采用國(guó)產(chǎn)SiC模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊
國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)模塊取代進(jìn)口IGBT模塊,是當(dāng)前電力電子系統(tǒng)創(chuàng)新升級(jí)的核心路徑。這一趨勢(shì)不僅是技術(shù)迭代的必然結(jié)果,更是政策引導(dǎo)、供應(yīng)鏈安全需求與產(chǎn)業(yè)...
歐盟提出力爭(zhēng)在2030年前將碳排放水平降低62%。也就是說,要在7年時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。顯然,全球朝著可再生能源邁進(jìn)已成必然趨勢(shì),全世界都在探索如何利用...
125KW工商業(yè)儲(chǔ)能變流器SiC模塊取代老舊IGBT模塊方案的技術(shù)優(yōu)勢(shì)
傾佳電子楊茜分析在125kW工商業(yè)儲(chǔ)能變流器(PCS)應(yīng)用中,國(guó)產(chǎn)SiC(碳化硅)模塊全面取代傳統(tǒng)老舊IGBT模塊的技術(shù)優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在以下方面: ? 傾...
2025-02-11 標(biāo)簽:IGBTSiC儲(chǔ)能變流器 372 0
逆變焊機(jī)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊全面取代IGBT模塊的損耗計(jì)算
傾佳電子楊茜以NB500系列輸入功率29KVA的逆變焊機(jī)應(yīng)用為例做國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊BMF80R12RA3和英飛凌高頻IGBT模塊FF150R12KS...
SiC碳化硅MOSFET模塊革掉IGBT模塊來(lái)顛覆電鍍電源和高頻電源行業(yè)
SiC MOSFET模塊(BMF80R12RA3和BMF160R12RA3)能夠替代傳統(tǒng)IGBT模塊并顛覆電鍍電源和高頻電源行業(yè),主要原因在于: SiC...
近日,浙江翠展微電子有限公司迎來(lái)了一場(chǎng)技術(shù)盛宴——“技術(shù)賦能·智創(chuàng)未來(lái)”主題沙龍。
通用變頻器中SiC(碳化硅)功率模塊替代傳統(tǒng)IGBT模塊改變工業(yè)能效格局
結(jié)合國(guó)家節(jié)能改造政策,SiC(碳化硅)功率模塊替代傳統(tǒng)IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊在電機(jī)通用變頻器中的應(yīng)用潛力巨大,其影響將深刻改變工業(yè)能效格局。...
新品 | 儲(chǔ)能用1200V 500A NPC2 三電平IGBT EasyPACK? 3B模塊
新品儲(chǔ)能用1200V500ANPC2三電平IGBTEasyPACK3B模塊1200V500ANPC2三電平模塊,采用EasyPACK3B封裝和最新開發(fā)的...
大功率IGBT模塊你了解多少?結(jié)構(gòu)特性是什么?主要應(yīng)用在哪里?
一、核心定義與結(jié)構(gòu)特性 大功率IGBT模塊是以絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)為核心,集成續(xù)流二極管(FWD)的復(fù)合功率器件,通過多層封裝技術(shù)實(shí)現(xiàn)高電壓、...
新型IGBT和SiC功率模塊用于高電壓應(yīng)用的新功率模塊
近日,英飛凌、三菱和Navitas分別推出了多款新型功率模塊,旨在提升電動(dòng)汽車及工業(yè)應(yīng)用的效率和可靠性。這些優(yōu)化的模塊不僅能夠降低能量損失,還能在極端環(huán)...
中國(guó)電力電子客戶不再迷信外資品牌的IGBT模塊和SiC模塊
中國(guó)電力電子客戶逐漸擺脫對(duì)國(guó)外IGBT模塊(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC功率模塊供應(yīng)商的依賴,轉(zhuǎn)向國(guó)產(chǎn)替代產(chǎn)品IGBT模塊和SiC模塊,這一轉(zhuǎn)變是技術(shù)、...
國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性
國(guó)產(chǎn)SiC模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性 ——傾佳電子楊茜 BASiC基本半導(dǎo)體一級(jí)代理傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率...
SiC賦能IGBT:突破硅基極限,開啟高壓高效新時(shí)代
自1982年由通用電氣(GE)首次展示以來(lái),基于硅材料的絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在過去四十余年間經(jīng)歷了顯著進(jìn)化。雖然GE最早實(shí)現(xiàn)了IGBT的商業(yè)化...
詳解IGBT晶圓在伺服馬達(dá)領(lǐng)域的應(yīng)用
IGBT廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中,特別是在需要高效快速開關(guān)的場(chǎng)合。它常用于放大器和脈沖寬度調(diào)制(PWM)應(yīng)用中,通過控制電流的通斷來(lái)處理復(fù)雜的波形。
硅基時(shí)代的黃昏:為何SiC MOSFET全面淘汰IGBT?
革命性替代:為何SiC MOSFET全面淘汰IGBT? —— 當(dāng)效率差距跨越臨界點(diǎn),IGBT被淘汰便是唯一結(jié)局 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模...
英飛凌為電動(dòng)汽車推出“強(qiáng)力而節(jié)能”的IGBT和RC-IGBT器件
英飛凌科技股份公司推出新一代產(chǎn)品,以滿足市場(chǎng)對(duì)高壓車用IGBT芯片日益增長(zhǎng)的需求。 ? 這些產(chǎn)品包括專為400 V和800 V系統(tǒng)設(shè)計(jì)的EDT3(第三代...
2025-04-30 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車英飛凌IGBT 312 0
1安培輸出電流的IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路光耦合器-ICPL-155E
IGBT的柵極電壓可通過不同的驅(qū)動(dòng)電路來(lái)產(chǎn)生。這些驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的優(yōu)劣對(duì)IGBT構(gòu)成的系統(tǒng)長(zhǎng)期運(yùn)行可靠性產(chǎn)生直接影響。為了確保IGBT的完全飽和以及較小化...
新潔能逆導(dǎo)型IGBT NCE15ER135LP概述
本文推薦一款新潔能生產(chǎn)的逆導(dǎo)型IGBT:NCE15ER135LP。這是一款1350V、TO-3P封裝、100℃下額定電流15A的產(chǎn)品。
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