英飛凌科技股份公司推出新一代產品，以滿足市場對高壓車用IGBT芯片日益增長的需求。

這些產品包括專為400 V和800 V系統設計的EDT3（第三代電力傳動系統）芯片，以及專為800 V系統定制的RC-IGBT芯片。這些器件可提高電力傳動系統的性能，特別適用于汽車應用。

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EDT3和RC-IGBT裸芯片專為提供高質量和可靠的性能而設計，使客戶能夠制造定制功率模塊。相較于EDT2，新一代EDT3有了顯著的進步，在高負載時總損耗降低了20%，同時保持了低負載時的效率。這一成就得益于最大限度降低芯片損耗和提高最高結溫的優化措施，從而平衡了高負載性能和低負載效率。因此，使用EDT3芯片的電動汽車可延長續航里程并降低能耗，從而提供更具可持續性和成本效益的駕駛體驗。

英飛凌車用高壓芯片和分立器件業務副總裁Robert Hermann表示：“作為領先的IGBT技術供應商，英飛凌致力于提供卓越的性能和可靠性。憑借我們對創新和碳減排的堅定承諾，我們的EDT3解決方案能夠幫助客戶在其應用中取得理想的結果。”

EDT3芯片組擁有750 V和1200 V兩種電壓級，可提供高輸出電流，非常適合純電動汽車、插電式混合動力電動汽車、增程式電動汽車等各種電動汽車的主逆變器應用。EDT3芯片組的芯片尺寸有所縮小，設計得到優化，有利于制造更小的模塊，從而降低系統總成本。此外，這些器件的最大虛擬結溫為185°C，最大集電極-發射極額定電壓高達750 V和1200 V，非常適合高性能應用，使汽車制造商能夠設計出更高效、更可靠的動力系統，從而延長續航里程并減少排放。

Leadrive創始人兼總經理、工程學博士Jie Shen表示：“作為Leadrive的主要IGBT芯片供應商和合作伙伴，英飛凌始終如一地為我們提供可帶來系統級優勢的創新解決方案。最新的EDT3芯片優化了損耗和損耗分布，支持更高的工作溫度，并提供多種金屬化選擇。這些特性不僅縮小了每安培硅片面積，還加快了先進封裝技術的應用。”

1200 V RC-IGBT在單個芯片上集成了IGBT和二極管功能，從而提高了性能，與單獨的IGBT和二極管芯片組解決方案相比，1200 V RC-IGBT可提供更高的電流密度。電流密度的提高、芯片尺寸的可擴展性以及組裝工作量的減少使這一進展轉化為系統成本效益。

英飛凌最新的EDT3 IGBT芯片技術現已集成到HybridPACK? Drive G2車用功率模塊中，為整個模塊產品組合帶來更高的性能和更強的功能。該模塊在750 V和1200 V電壓級內具有高達250 kW的功率范圍，并具有更強的易用性，以及集成新一代相電流傳感器、片上溫度傳感等新功能，有助于降低系統成本。

所有芯片器件均提供定制芯片布局，包括片上溫度和電流傳感器。此外，還可根據要求提供燒結、焊接、接合等金屬化選項。

來源：半導體芯科技

審核編輯 黃宇