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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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隨著時代的發展,我國的工業機械也在不斷進步,應運而生的是交流變頻變壓電源產品,本款電源產品采用SPWM硬件調控技術,大功率IGBT驅動,輸出純凈的正弦波...
陸芯科技斬獲2024-2025電動車領域功率半導體年度明星產品獎
在剛剛落幕的CIAS 2025動力·能源與半導體大會上,陸芯科技憑借Hybrid-IGBT系列產品的卓越表現,一舉摘得【2024-2025功率半導體年度...
國產SiC模塊如何應對25年英飛凌富士IGBT模塊瘋狂的價格絞殺戰
進入2025年伊始,外資品牌IGBT模塊比如英飛凌,富士等大幅度降價超過30%來絞殺國產功率模塊,面對外資功率模的瘋狂價格絞殺,國產SiC碳化硅功率模塊...
瑞能半導體攜多款高性能功率器件解決方案亮相2025慕尼黑上海電子展
日前,瑞能半導體攜多款高性能功率器件解決方案亮相2025慕尼黑上海電子展(Electronica China 2025),全方位展示了在碳化硅、IGBT...
IGBT高溫漏電流和電壓阻斷能力固有缺陷是其被淘汰的根本原因
IGBT的高溫漏電流與電壓阻斷能力固有缺陷是其被新一代電力電子設備加速淘汰的根本原因 一、IGBT的高溫漏電流與電壓阻斷能力固有缺陷的本質 材料物理特性...
BTP1521P解決IGBT模塊升級SiC模塊的正負驅動電壓
SiC模塊在高頻高效、高溫耐受性、高電壓能力、系統經濟性以及應用場景適配性等方面的綜合優勢,使其成為電力電子應用中的首選,推動了IGBT模塊向SiC模塊...
第二十一屆上海國際汽車工業展覽會于2025年4月23日至5月2日在上海國家會展中心舉辦。作為全球汽車行業技術與市場的重要風向標,本屆車展吸引了眾多行業巨...
SC5016大功率IGBT測試系統 第三代半導體靜態參數檢測設備
SC5016大功率IGBT靜態參數測試系統是專為?碳化硅(SiC)/氮化鎵(GaN)功率器件?設計的全自動檢測平臺,支持±5000V/2000A(可擴展...
浮思特 | 從IGBT到超結MOSFET:超結MOSFET成冰箱變頻技術新寵
目前全球每年銷售約2.2億臺冰箱和冰柜,2024年市場規模約為750億美元。預計該市場將以6.27%的年復合增長率持續增長,到2032年將達到約1200...
從IGBT模塊大規模失效爆雷看國產SiC模塊可靠性實驗的重要性
深度分析:從IGBT模塊可靠性問題看國產SiC模塊可靠性實驗的重要性 某廠商IGBT模塊曾因可靠性問題導致國內光伏逆變器廠商損失數億元,這一案例凸顯了功...
汽車一直是碳化硅(SiC)的主要應用市場。在整個汽車半導體供需發生改變的情況下,碳化硅是否還會延續此前供不應求的市場行情?
三菱電機集團近日宣布與GE Vernova公司(美國馬薩諸塞州劍橋)簽署諒解備忘錄,強化雙方在高壓直流(HVDC)輸電系統用功率半導體領域的合作。該協議...
新品 | IGBT 7 EconoDUAL? 3系列拓展帶焊接針產品
新品TRENCHSTOPIGBT7EconoDUAL3產品系列拓展英飛凌在此發布TRENCHSTOPIGBT7EconoDUAL3系列產品拓展,帶焊接針...
分立晶體管是電子設計中最常見的元器件之一。該產品適用于眾多應用,從簡單的小信號晶體管到大型高功率器件,以及高頻/高功率器件。
4月,作為國內深耕于IGBT、MOS管的廠家代表,飛虹半導體成功參加了第104屆中國電子展(深圳)以及慕尼黑上海電子展,兩大行業盛會圓滿落幕。
中等功率驅動器的應用場景?包括各種工業生產領域中對電機運動精度和效率要求較高的場合,如機床加工、自動化生產線、物流運輸等。
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