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浮思特 | 從IGBT到超結(jié)MOSFET:超結(jié)MOSFET成冰箱變頻技術(shù)新寵

深圳市浮思特科技有限公司 ? 2025-05-16 11:08 ? 次閱讀
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目前全球每年銷售約2.2億臺冰箱和冰柜,2024年市場規(guī)模約為750億美元。預(yù)計(jì)該市場將以6.27%的年復(fù)合增長率持續(xù)增長,到2032年將達(dá)到約1200億美元。當(dāng)前冰箱壓縮機(jī)驅(qū)動主要采用兩種硅基技術(shù):一種是IGBT,另一種是高壓(HV)MOSFET

在這兩種技術(shù)中,高壓MOSFET的采用正在加速,這主要得益于兩大趨勢。第一個趨勢是冰箱壓縮機(jī)系統(tǒng)的變頻化,通過采用變頻技術(shù)提高冰箱壓縮機(jī)的效率、性能和壽命。

對更高能效的需求

傳統(tǒng)壓縮機(jī)以固定速度運(yùn)行,通過不斷啟停來維持所需溫度。這種啟停循環(huán)會導(dǎo)致能源浪費(fèi)。相比之下,變頻壓縮機(jī)根據(jù)制冷需求調(diào)整速度,在需要較少制冷時以更低速度持續(xù)運(yùn)行,具有節(jié)能、溫度穩(wěn)定、降噪和延長壓縮機(jī)壽命等優(yōu)勢。這一趨勢推動了對高壓MOSFET等性能優(yōu)化的分立器件的需求,而非IGBT。第二個趨勢是對系統(tǒng)設(shè)計(jì)和元件選擇提出更嚴(yán)格的法規(guī)要求。

到2026年,中國將實(shí)施新的能效標(biāo)準(zhǔn),這將推動幾乎所有冰箱優(yōu)化設(shè)計(jì)以滿足該標(biāo)準(zhǔn),并增加變頻比例以提高能效??偠灾?yīng)商必須尋找更創(chuàng)新的方法來提高變頻階段的效率,尤其是在輕載運(yùn)行時。英飛凌的新型CoolMOS 8正是針對這一現(xiàn)代挑戰(zhàn),在成本競爭力和高性能之間取得平衡,以滿足低能耗的要求。

冰箱運(yùn)行模式

在冰箱的使用壽命中,主要有三種運(yùn)行模式。第一種是100%功率的快速降溫模式。冰箱從環(huán)境溫度開始啟動,壓縮機(jī)以最大功率運(yùn)行進(jìn)行降溫。這種情況在冰箱的使用壽命中只發(fā)生幾次,例如新冰箱首次通電或移動到新位置時。

第二種是約50%功率的額定負(fù)載運(yùn)行。當(dāng)冰箱門打開,人們存放或取用食物時,壓縮機(jī)以較高功率運(yùn)行以保持冷卻。這實(shí)際上取決于每個家庭的使用頻率,例如每天開門約10次,每次10秒。第三種是約20%功率的輕載運(yùn)行。

當(dāng)門關(guān)閉時,壓縮機(jī)以低功率運(yùn)行以維持溫度。這占使用壽命的絕大部分,約95%。因此,輕載時的效率對于冰箱運(yùn)行的節(jié)能最為關(guān)鍵。為了提高能效并獲得更高的能源之星評級,冰箱制造商更加重視提高輕載效率。

CoolMOS 8

英飛凌最新的600 V CoolMOS 8(CM8)在高壓超結(jié)MOSFET技術(shù)領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位,為技術(shù)和性價(jià)比樹立了新標(biāo)準(zhǔn)。該系列配備了集成快速體二極管,提供更低的反向恢復(fù)電荷,適用于硬開關(guān)電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用。通過.xT封裝互連技術(shù),熱阻改善了高達(dá)50%,與上一代PFD7系列相比,具有更好的熱性能。它滿足Class 2級別的ESD HBM分類,這是家電設(shè)計(jì)中必備的要求。

評估平臺

為了更好地評估不同技術(shù)在冰箱壓縮機(jī)驅(qū)動應(yīng)用中的性能,我們使用了圖1中英飛凌的參考板。這是一塊專為三相旋轉(zhuǎn)冰箱壓縮機(jī)設(shè)計(jì)的單層PCB,沒有散熱器。它采用IMD111T[5]運(yùn)行,這是一款內(nèi)置微控制器和三相柵極驅(qū)動器的智能驅(qū)動器。被測器件是六個分立功率開關(guān),可以是IGBT或高壓MOSFET。

wKgZO2gmqriAPu6bAAEShy2FVEk288.png圖1

圖2顯示了測試平臺的設(shè)置。輸入采用300 V直流電源。功率表分別用于測量輸入直流功率、輸出交流功率和輔助功率。熱電偶連接到低側(cè)中間相晶體管器件的殼體以監(jiān)測殼體溫度。被測器件的效率可以表示為η = 交流功率/(直流功率-輔助功率)×100%。

wKgZO2gmqsaAezm3AABsojCuwLQ624.png圖2

效率測量

評估中包括了幾種器件技術(shù):英飛凌的600 V/600 mΩ CM8 MOSFET、600 V/600 mΩ PFD7 MOSFET、600 V/6 A RCD2 IGBT,以及一款競爭對手的600 V/600 mΩ MOSFET。所有器件均采用相同的DPAK封裝,該封裝在此應(yīng)用中已被廣泛采用。冰箱驅(qū)動的典型開關(guān)頻率為4 kHz至6 kHz。因此,評估中采用了5 kHz三相SVPWM方案。電路板置于保持25°C環(huán)境溫度的封閉空間中。功率測試從輕載30W到滿載300W。效率曲線如圖3所示。

從測量中可以看出,MOSFET在整個負(fù)載范圍內(nèi)的效率均高于IGBT,從而在所有冰箱運(yùn)行模式下提供更好的節(jié)能效果。效率在100W時達(dá)到峰值,CM8在所有對比技術(shù)中以98.5%的峰值效率位居榜首。在輕載60W(20%負(fù)載)時,CM8效率為98.4%,而RCD2 IGBT僅為97.2%,CM8領(lǐng)先IGBT 1.2%。在10%負(fù)載時,CM8的優(yōu)勢更為明顯,領(lǐng)先IGBT 1.6%。在滿載時,CM8提供97.2%的效率,仍領(lǐng)先IGBT 1.2%。

與上一代PFD7相比,CM8在20%輕載時效率提升0.2%,在100%滿載時提升0.6%。CM8在整個負(fù)載范圍內(nèi)領(lǐng)先競爭高壓MOSFET 0.6%至1%。

wKgZO2gmqtaAYhkXAAB00_3fuJQ484.png圖3


圖4顯示了不同負(fù)載條件下的殼體溫度測量。可以看出,這很好地反映了效率測量結(jié)果,CM8在整個負(fù)載范圍內(nèi)的溫度讀數(shù)最低。這也意味著與其他技術(shù)相比,CM8在冰箱使用壽命期間的運(yùn)行更為可靠。

wKgZPGgmquSAQwdHAABmURuw3J0973.png圖4

我們還測試了3kHz和10kHz的額外開關(guān)頻率以展示CM8的能力,效率曲線如圖5所示?;旧?,頻率變化對輕載效率的影響更大,因?yàn)殚_關(guān)損耗更為突出。如果在輕載時能夠?qū)崿F(xiàn)頻率變化,將獲得更高的效率提升。

wKgZPGgmqu6ALGe6AACBwriY8fo676.png圖5

結(jié)論

本文研究并比較了幾種功率器件技術(shù)在冰箱壓縮機(jī)驅(qū)動應(yīng)用中的效率。通過這些測量,CM8被證明是最佳選擇,其在整個負(fù)載范圍內(nèi)的損耗最低,與IGBT解決方案相比效率提升1.2%至1.6%。采用CM8后,冰箱的能耗將大幅降低,并滿足更高能源之星評級的要求。

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