在橋式電路中，國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET（如BASiC基本股份）替換超結(jié)（SJ）MOSFET具有顯著優(yōu)勢(shì)，但也需注意技術(shù)細(xì)節(jié)。傾佳電子楊茜從性能優(yōu)勢(shì)和技術(shù)注意事項(xiàng)兩方面進(jìn)行深度分析：

傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭：

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢(shì)！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管的必然趨勢(shì)！

傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢(shì)！

一、國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET替換超結(jié)MOSFET的優(yōu)勢(shì)

更低的導(dǎo)通損耗與高溫穩(wěn)定性

國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）在高溫下增幅更小。例如，在150°C時(shí)，SiC MOSFET（如B3M040065Z）的RDS(on)為55 mΩ，而超結(jié)MOSFET（如OSG60R033TT4ZF）則升至65.6 mΩ，差異達(dá)98.8%。這得益于SiC材料的高溫特性，可顯著降低導(dǎo)通損耗，尤其在橋式電路的高溫工作環(huán)境中優(yōu)勢(shì)明顯。

高頻開關(guān)性能優(yōu)化

國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET的開關(guān)速度更快（如開關(guān)延遲時(shí)間10 ns vs. 32.8 ns），反向恢復(fù)電荷（Qrr）極低（100 nC vs. 1.2 μC），大幅減少了開關(guān)過程中的交疊損耗和反向恢復(fù)損耗。在橋式電路中，高頻開關(guān)可縮小無源元件體積，提升功率密度。

更低的開關(guān)損耗與效率提升

由于總柵極電荷（Qg）更低（60 nC vs. 104 nC），國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)損耗和開關(guān)能量（Eon+Eoff）顯著降低。例如，在6.6 kW OBC應(yīng)用中，SiC總開關(guān)損耗為14.2 W，而超結(jié)MOSFET高達(dá)104 W，降幅達(dá)58.7%1。高頻應(yīng)用（如100 kHz以上）下，系統(tǒng)效率可提升1.3%-3%。

更高的耐壓與可靠性

國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET的阻斷電壓更高（650 V vs. 600 V），適用于高電壓波動(dòng)場(chǎng)景（如電動(dòng)汽車OBC的瞬態(tài)工況）。其雪崩魯棒性更強(qiáng)，可提升系統(tǒng)可靠性。

封裝兼容性與高頻抑制

TO-247-4封裝支持Kelvin源極連接，減少柵極振蕩，優(yōu)化高頻開關(guān)性能。此外，國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET的體二極管恢復(fù)時(shí)間僅11 ns（硅基為184 ns），進(jìn)一步降低橋式電路中的反向恢復(fù)損耗。

二、技術(shù)注意事項(xiàng)

驅(qū)動(dòng)電壓與負(fù)壓關(guān)斷

驅(qū)動(dòng)正壓要求：SiC MOSFET需更高驅(qū)動(dòng)電壓（+18 V）以降低RDS(on)，而硅基器件通常使用+12 V。若驅(qū)動(dòng)電壓不足，導(dǎo)通電阻可能增加20%-25%。

負(fù)壓關(guān)斷：推薦關(guān)斷時(shí)施加-3 V至-5 V負(fù)壓，以減少米勒效應(yīng)導(dǎo)致的誤開通風(fēng)險(xiǎn)，并降低關(guān)斷損耗（Eoff）35%-40%。

BASiC基本股份針對(duì)SiC碳化硅MOSFET多種應(yīng)用場(chǎng)景研發(fā)推出門極驅(qū)動(dòng)芯片，可適應(yīng)不同的功率器件和終端應(yīng)用。BASiC基本股份的門極驅(qū)動(dòng)芯片包括隔離驅(qū)動(dòng)芯片和低邊驅(qū)動(dòng)芯片，絕緣最大浪涌耐壓可達(dá)8000V，驅(qū)動(dòng)峰值電流高達(dá)正負(fù)15A，可支持耐壓1700V以內(nèi)功率器件的門極驅(qū)動(dòng)需求。

BASiC基本股份低邊驅(qū)動(dòng)芯片可以廣泛應(yīng)用于PFC、DCDC、同步整流，反激等領(lǐng)域的低邊功率器件的驅(qū)動(dòng)或在變壓器隔離驅(qū)動(dòng)中用于驅(qū)動(dòng)變壓器，適配系統(tǒng)功率從百瓦級(jí)到幾十千瓦不等。

BASiC基本股份推出正激 DCDC 開關(guān)電源芯片BTP1521xx，該芯片集成上電軟啟動(dòng)功能、過溫保護(hù)功能，輸出功率可達(dá)6W。芯片工作頻率通過OSC 腳設(shè)定，最高工作頻率可達(dá)1.5MHz，非常適合給隔離驅(qū)動(dòng)芯片副邊電源供電。

對(duì)于驅(qū)動(dòng)正負(fù)壓供電的需求，BASiC基本股份提供自研電源IC BTP1521F系列和配套的變壓器以及驅(qū)動(dòng)IC BTL27524或者隔離驅(qū)動(dòng)BTD5350系列。

米勒鉗位功能的應(yīng)用

在橋式電路中，高dv/dt易引發(fā)米勒效應(yīng)，導(dǎo)致對(duì)側(cè)MOSFET誤開通。需采用帶米勒鉗位功能的驅(qū)動(dòng)芯片（如基本半導(dǎo)體的BTD25350），通過低阻抗泄放回路抑制串?dāng)_電流，將門極電壓穩(wěn)定在安全范圍內(nèi)。

熱管理與封裝適配性

SiC MOSFET的熱阻可能略高（如0.6 K/W vs. 0.35 K/W），需優(yōu)化散熱設(shè)計(jì)（如增強(qiáng)PCB銅層厚度或使用散熱基板）。

TO-247-4封裝需注意Kelvin引腳布局，減少源極寄生電感對(duì)驅(qū)動(dòng)波形的影響。

寄生電感與布局優(yōu)化

高頻開關(guān)產(chǎn)生的電壓尖峰與寄生電感密切相關(guān)。需縮短驅(qū)動(dòng)路徑，減少PCB寄生電感，并采用低環(huán)路電感布局，避免長(zhǎng)引腳導(dǎo)致的振蕩和誤觸發(fā)。

驅(qū)動(dòng)芯片選型與兼容性

選擇支持高拉/灌電流（如4A/6A）的驅(qū)動(dòng)芯片，以滿足SiC MOSFET快速開關(guān)需求。對(duì)于驅(qū)動(dòng)正負(fù)壓供電的需求，BASiC基本股份提供自研電源IC BTP1521F系列和配套的變壓器以及驅(qū)動(dòng)IC BTL27524或者隔離驅(qū)動(dòng)BTD5350系列。

三、應(yīng)用場(chǎng)景與成本考量

適用場(chǎng)景：高頻（>50 kHz）、高溫（>100°C）或高可靠性要求的橋式電路，如車載OBC、5G電源、光伏逆變器等。

成本平衡：國(guó)產(chǎn)SiC器件單價(jià)（如BASiC基本股份）已經(jīng)低于替換規(guī)格的進(jìn)口超結(jié)MOSFET，售價(jià)與國(guó)產(chǎn)超結(jié)MOSFET價(jià)格相近，加上通過減少散熱需求、提升效率（降低系統(tǒng)總損耗30%-60%）和縮小無源元件體積，電源綜合成本具備更優(yōu)競(jìng)爭(zhēng)力。

總結(jié)

國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET（如BASiC基本股份）在橋式電路中替代超結(jié)MOSFET的核心優(yōu)勢(shì)在于高頻高效、高溫穩(wěn)定性和耐壓可靠性，但需通過優(yōu)化驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)（電壓、米勒鉗位）、熱管理和布局降低技術(shù)風(fēng)險(xiǎn)。隨著國(guó)產(chǎn)SiC器件的成熟（如BASiC基本股份），其在電力電子領(lǐng)域的滲透率將持續(xù)提升，加速全面取代超結(jié)MOSFET，助力大功率電源行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)。

審核編輯 黃宇