國產(chǎn)SiC單管替代進(jìn)口IGBT單管在125kW儲能變流器逆變損耗計(jì)算對比以及國產(chǎn)SiC單管替代進(jìn)口IGBT單管趨勢分析：

一、關(guān)鍵參數(shù)提取與對比

以下為BASiC基本股份(BASiC Semiconductor) 國產(chǎn)SiC MOSFET（B3M013C120Z）與進(jìn)口英飛凌IGBT（IKQ140N120CH7）在125kW儲能變流器中的關(guān)鍵參數(shù)對比（基于數(shù)據(jù)手冊典型值）：

參數(shù)SiC MOSFET IGBT

導(dǎo)通電阻/飽和電壓

RDS(on)?=13.5mΩ（25°C）
RDS(on)?=24mΩ（175°C）

VCESat?=1.7V（25°C）
VCESat?=2.15V（175°C）

開關(guān)能量（單次）Eon?=520μJ, off?=1110μJ（800V, 60A）

Eon?=8.84mJ, Eoff?=3.38mJ（600V, 140A）

反向恢復(fù)電荷Qrr?=350nC（25°C）Qrr?=3.82μC（25°C）

熱阻（結(jié)-殼）Rth(j?c)?=0.20K/W Rth(j?c)?=0.16K/W（IGBT）

二、125kW儲能變流器逆變損耗仿真

假設(shè)條件：

直流母線電壓 VDC?=800V，輸出功率 P=125kW，開關(guān)頻率 fsw?=50kHz。

系統(tǒng)效率需求 >98%，環(huán)境溫度 Tj?=175°C。

1. 導(dǎo)通損耗計(jì)算

SiC MOSFET：

Pcond,SiC?=Irms2??RDS(on)?=(156.25)2?0.024=585W

IGBT：

Pcond,IGBT?=Iavg??VCESat?=156.25?2.15=336W

2. 開關(guān)損耗計(jì)算

SiC MOSFET：

Psw,SiC?=(Eon?+Eoff?)?fsw?=(520+1110)?10?6?50000=81.5W

IGBT：

Psw,IGBT?=(Eon?+Eoff?)?fsw?=(8.84+3.38)?10?3?50000=611W

3. 反向恢復(fù)損耗計(jì)算

SiC MOSFET：反向恢復(fù)損耗可忽略（SiC無體二極管拖尾效應(yīng)）。

IGBT：

Prr?=Qrr??VDC??fsw?=3.82?10?6?800?50000=153W

4. 總損耗對比

損耗類型SiC MOSFET IGBT

導(dǎo)通損耗585 W 336 W

開關(guān)損耗81.5 W 611 W

反向恢復(fù)損耗0 W 153 W

總損耗666.5 W 1,100 W

系統(tǒng)效率99.47% 99.12%

三、國產(chǎn)SiC替代進(jìn)口IGBT的必然趨勢

1. 性能優(yōu)勢

高頻能力：
BASiC基本股份(BASiC Semiconductor) SiC MOSFET的開關(guān)速度（<100ns）遠(yuǎn)快于IGBT（>500ns），支持50kHz以上高頻運(yùn)行，顯著減小磁性元件（電感、變壓器）體積，提升功率密度。

效率提升：
BASiC基本股份(BASiC Semiconductor) SiC在50kHz下的總損耗比IGBT低40%，效率提升0.35%，對于MW級儲能系統(tǒng)，年發(fā)電量增益可達(dá)數(shù)萬度。

高溫穩(wěn)定性：
BASiC基本股份(BASiC Semiconductor) SiC的 RDS(on)? 隨溫度變化平緩（25°C→175°C僅增加78%），而IGBT的 VCESat? 上升26%，高溫下效率衰減更小。

2. 成本與供應(yīng)鏈

國產(chǎn)化降本：
國內(nèi)SiC襯底產(chǎn)能（如天岳先進(jìn)、天科合達(dá)）快速擴(kuò)張，2025年國產(chǎn)SiC器件成本（如BASiC基本股份）已經(jīng)與進(jìn)口IGBT的價格持平，但是采用國產(chǎn)SiC的電源系統(tǒng)級成本（散熱、濾波）節(jié)省20%以上。

BASiC基本股份針對多種應(yīng)用場景研發(fā)推出門極驅(qū)動芯片，可適應(yīng)不同的功率器件和終端應(yīng)用。BASiC基本股份的門極驅(qū)動芯片包括隔離驅(qū)動芯片和低邊驅(qū)動芯片，絕緣最大浪涌耐壓可達(dá)8000V，驅(qū)動峰值電流高達(dá)正負(fù)15A，可支持耐壓1700V以內(nèi)功率器件的門極驅(qū)動需求。

BASiC基本股份低邊驅(qū)動芯片可以廣泛應(yīng)用于PFC、DCDC、同步整流，反激等領(lǐng)域的低邊功率器件的驅(qū)動或在變壓器隔離驅(qū)動中用于驅(qū)動變壓器，適配系統(tǒng)功率從百瓦級到幾十千瓦不等。

BASiC基本股份推出正激 DCDC 開關(guān)電源芯片BTP1521xx，該芯片集成上電軟啟動功能、過溫保護(hù)功能，輸出功率可達(dá)6W。芯片工作頻率通過OSC 腳設(shè)定，最高工作頻率可達(dá)1.5MHz，非常適合給隔離驅(qū)動芯片副邊電源提供正負(fù)壓供電。

對于碳化硅MOSFET單管及模塊+18V/-4V驅(qū)動電壓的需求，BASiC基本股份提供自研電源IC BTP1521P系列和配套的變壓器以及驅(qū)動IC BTL27524或者隔離驅(qū)動BTD5350MCWR(支持米勒鉗位)。

供應(yīng)鏈安全：
IGBT核心技術(shù)長期被英飛凌、富士等外企壟斷，國產(chǎn)SiC（如BASiC基本股份）突破“卡脖子”環(huán)節(jié)，保障新能源產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈安全。

BASiC基本股份自2017年開始布局車規(guī)級SiC碳化硅器件研發(fā)和制造，逐步建立起規(guī)范嚴(yán)謹(jǐn)?shù)馁|(zhì)量管理體系，將質(zhì)量管理貫穿至設(shè)計(jì)、開發(fā)到客戶服務(wù)的各業(yè)務(wù)過程中，保障產(chǎn)品與服務(wù)質(zhì)量。比如BASiC基本股份分別在深圳、無錫投產(chǎn)車規(guī)級SiC碳化硅芯片產(chǎn)線（深圳基本半導(dǎo)體）和汽車級SiC碳化硅功率模塊（無錫基本半導(dǎo)體）專用產(chǎn)線；比如BASiC基本股份自主研發(fā)的汽車級SiC碳化硅功率模塊已收獲了近20家整車廠和Tier1電控客戶的30多個車型定點(diǎn)，BASiC基本股份是國內(nèi)第一批SiC碳化硅模塊量產(chǎn)上車的頭部企業(yè)。

3. 政策與市場需求

雙碳目標(biāo)驅(qū)動：
SiC被列為重點(diǎn)突破領(lǐng)域，光伏、儲能、電動汽車等場景需求爆發(fā)。

高頻化趨勢：
儲能變流器向高頻化、模塊化發(fā)展，SiC的高頻低損特性成為剛性需求，IGBT已接近材料物理極限。

4. 技術(shù)成熟度

國產(chǎn)SiC進(jìn)展：
基本半導(dǎo)體B3M013C120Z參數(shù)對標(biāo)英飛凌CoolSiC?，全面替代進(jìn)口IGBT單管或者模塊，已通過車規(guī)級認(rèn)證，并在國內(nèi)電力電子頭部企業(yè)批量應(yīng)用。

可靠性驗(yàn)證：
國產(chǎn)SiC模塊（如BASiC基本股份）的MTTF（平均無故障時間）>100萬小時，與進(jìn)口產(chǎn)品持平，滿足工業(yè)級可靠性要求。

四、結(jié)論

在125kW儲能變流器中，國產(chǎn)SiC MOSFET（如BASiC基本股份）在50kHz高頻場景下的總損耗比進(jìn)口IGBT低40%，系統(tǒng)效率提升0.35%，且具備更優(yōu)的高溫穩(wěn)定性和體積優(yōu)勢。隨著國產(chǎn)SiC產(chǎn)業(yè)鏈（如BASiC基本股份）的成熟與成本下降，其替代進(jìn)口IGBT的進(jìn)程將加速。未來3-5年，SiC將成為中高壓儲能變流器的主流選擇，推動新能源電力電子設(shè)備向高效、緊湊、智能化方向發(fā)展。

審核編輯 黃宇