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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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1安培輸出電流的IGBT柵極驅動電路光耦合器-ICPL-155E
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微型逆變器作為光伏發電系統的核心組件,其性能與功率器件的選型密切相關。捷捷微電針對不同功率需求,提供了基于MOSFET和IGBT的多樣化解決方案。本文結...
變頻器中IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)爆炸是電力電子設備中較為嚴重的故障之一,其成因復雜且危害性大。以下從設計、應用、環境及維護等多維度分析可能導致IG...
IGBT的工作原理/性能優勢/應用領域/技術趨勢/測試與選型要點——你知道多少?
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數明半導體推出全新600V/4A半橋門極驅動SiLM228x系列
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揚杰IGBT七單元模塊:全封裝矩陣平替進口,重構國產化功率器件新生態
國產化破局 重構功率器件生態 IGBT Localization 在全球供應鏈震蕩與國產替代浪潮中,揚杰科技推出七單元IGBT全封裝解決方案,以六大封裝...
什么是IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組?特性是什么?主要應用哪里?
IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組 一、核心器件定義 ? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管) ? 電力電子領域核心開關器件,通過柵極電壓...
部分外資廠商IGBT模塊失效報告作假對中國功率模塊市場的深遠影響
部分IGBT模塊廠商失效報告作假的根本原因及其對中國功率模塊市場的深遠影響,可以從技術、商業、行業競爭等多維度分析,并結合中國功率模塊市場的動態變化進行...
大功率IGBT模塊你了解多少?結構特性是什么?主要應用在哪里?
一、核心定義與結構特性 大功率IGBT模塊是以絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)為核心,集成續流二極管(FWD)的復合功率器件,通過多層封裝技術實現高電壓、...
大功率IGBT模塊/在線測試/檢修/失效分析IGBT靜態參數測試儀SC5016
IGBT靜態參數測試儀SC5016 一、產品技術概述 SC5016是面向第三代半導體測試需求開發的高精度自動化測試平臺,采用專利型多級程控電源架構,實現...
新品 | 儲能用1200V 500A NPC2 三電平IGBT EasyPACK? 3B模塊
新品儲能用1200V500ANPC2三電平IGBTEasyPACK3B模塊1200V500ANPC2三電平模塊,采用EasyPACK3B封裝和最新開發的...
浮思特 | 從IGBT到超結MOSFET:超結MOSFET成冰箱變頻技術新寵
目前全球每年銷售約2.2億臺冰箱和冰柜,2024年市場規模約為750億美元。預計該市場將以6.27%的年復合增長率持續增長,到2032年將達到約1200...
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