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      標(biāo)簽　>　hbm4

      hbm4

      +關(guān)注0人關(guān)注

      2025年4月，國(guó)際半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)組織JEDEC正式發(fā)布了新一代高帶寬內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)HBM4。HBM4在帶寬、通道數(shù)、電源效率等方面進(jìn)行了顯著改進(jìn)，將為生成式AI、高性能計(jì)算(HPC)、高端顯卡和服務(wù)器等領(lǐng)域帶來(lái)革命性的變化。

      文章：54個(gè) 瀏覽：252次 帖子：0個(gè)

      hbm4資訊

      SK海力士將采用臺(tái)積電7nm制程生產(chǎn)HBM4內(nèi)存基片

      HBM內(nèi)存基礎(chǔ)裸片即DRAM堆疊基座，兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺(tái)積電簽訂HBM內(nèi)存合作協(xié)議，首要任務(wù)便是提升HBM基礎(chǔ)邏輯芯片性能。

      2024-04-23 標(biāo)簽：DRAMSK海力士HBM 1111 0

      英偉達(dá)加速推進(jìn)HBM4需求,SK海力士等存儲(chǔ)巨頭競(jìng)爭(zhēng)加劇

      韓國(guó)大型財(cái)團(tuán)SK集團(tuán)的董事長(zhǎng)崔泰源在周一的采訪中透露，英偉達(dá)的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK集團(tuán)旗下的存儲(chǔ)芯片制造巨頭SK海力士提出要求，希望其能提前六個(gè)月推...

      2024-11-04 標(biāo)簽：存儲(chǔ)英偉達(dá)SK海力士 1096 0

      利用尖端HBM4技術(shù)加速人工智能發(fā)展

      人工智能（AI）與機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）正以前所未有的速度蓬勃發(fā)展，驅(qū)動(dòng)著各行各業(yè)的革新。隨著模型復(fù)雜度與數(shù)據(jù)量的激增，實(shí)時(shí)處理海量數(shù)據(jù)的需求對(duì)底層硬件基礎(chǔ)設(shè)...

      2024-10-11 標(biāo)簽：人工智能機(jī)器學(xué)習(xí)HBM 1092 0

      英偉達(dá)R系列AI芯片預(yù)計(jì)2025年量產(chǎn)，內(nèi)含8顆HBM4存儲(chǔ)芯片，關(guān)注耗能問(wèn)題

      據(jù)悉，R100將運(yùn)用臺(tái)積電的N3制程技術(shù)及CoWoS-L封裝技術(shù)，與之前推出的B100保持一致。同時(shí)，R100有望搭載8顆HBM4存儲(chǔ)芯片，以滿(mǎn)足高性能...

      2024-05-08 標(biāo)簽：臺(tái)積電封裝技術(shù)存儲(chǔ)芯片 1077 0

      三星正在開(kāi)發(fā)HBM4 目標(biāo)2025年供貨

      Sangjun Hwang還表示：“正在準(zhǔn)備開(kāi)發(fā)出最適合高溫?zé)崽匦缘姆菍?dǎo)電粘合膜（ncf）組裝技術(shù)和混合粘合劑（hcb）技術(shù)，并適用于hbm4產(chǎn)品。”

      2023-10-11 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器封裝HBM 1069 0

      三星電子加速推進(jìn)HBM4研發(fā)，預(yù)計(jì)明年底量產(chǎn)

      三星電子在半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新之路上再邁堅(jiān)實(shí)一步，據(jù)業(yè)界消息透露，該公司計(jì)劃于今年年底正式啟動(dòng)第6代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM4）的流片工作。這一舉措標(biāo)志著三星電...

      2024-08-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體三星電子存儲(chǔ)器 1064 0

      三星與臺(tái)積電合作開(kāi)發(fā)無(wú)緩沖HBM4 AI芯片

      在科技日新月異的今天，三星電子與臺(tái)積電兩大半導(dǎo)體巨頭的強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合再次引發(fā)業(yè)界矚目。據(jù)最新報(bào)道，雙方正攜手并進(jìn)，共同開(kāi)發(fā)下一代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM4）人工智...

      2024-09-09 標(biāo)簽：三星電子臺(tái)積電AI芯片 1055 0

      SK海力士HBM4E內(nèi)存2025年下半年采用32Gb DRAM裸片量產(chǎn)

      值得注意的是，目前全球三大內(nèi)存制造商都還未開(kāi)始量產(chǎn)1c nm（第六代10+nm級(jí)）制程DRAM內(nèi)存顆粒。早前報(bào)道，三星電子與SK海力士預(yù)計(jì)今年內(nèi)實(shí)現(xiàn)1c...

      2024-05-14 標(biāo)簽：DRAMSK海力士HBM 1042 0

      SK海力士與臺(tái)積電共同研發(fā)HBM4，預(yù)計(jì)2026年投產(chǎn)

      自 HBM3E（第五代 HBM 產(chǎn)品）起，SK海力士的 HBM 產(chǎn)品基礎(chǔ)裸片均采用自家工藝生產(chǎn)；然而，從 HMB4（第六代 HBM 產(chǎn)品）開(kāi)始，該公司將...

      2024-04-19 標(biāo)簽：臺(tái)積電SK海力士HBM 1021 0

      特斯拉或向SK海力士、三星采購(gòu)HBM4芯片

      近日，SK海力士和三星電子正在為特斯拉公司開(kāi)發(fā)第六代高帶寬內(nèi)存(HBM4)芯片樣品。據(jù)悉，特斯拉計(jì)劃在測(cè)試這兩家公司提供的樣品后，選擇其中一家作為其HB...

      2024-11-21 標(biāo)簽：芯片特斯拉SK海力士 1019 0

      臺(tái)積電準(zhǔn)備生產(chǎn)HBM4基礎(chǔ)芯片

      在近日舉行的2024年歐洲技術(shù)研討會(huì)上，臺(tái)積電透露了關(guān)于HBM4基礎(chǔ)芯片制造的新進(jìn)展。據(jù)悉，未來(lái)HBM4將采用邏輯制程進(jìn)行生產(chǎn)，臺(tái)積電計(jì)劃使用其N(xiāo)12和...

      2024-05-21 標(biāo)簽：臺(tái)積電HBMHBM4 1004 0

      臺(tái)積電在歐洲技術(shù)研討會(huì)上展示HBM4的12FFC+和N5制造工藝

      目前，我們正在攜手眾多HBM存儲(chǔ)伙伴（如美光、三星、SK海力士等）共同推進(jìn)HBM4在先進(jìn)制程中的全面集成。12FFC+基礎(chǔ)Dies在滿(mǎn)足HBM性能需求的...

      2024-05-17 標(biāo)簽：臺(tái)積電先進(jìn)制程HBM 1004 0

      三星計(jì)劃應(yīng)用TC-NCF工藝生產(chǎn)16層HBM4內(nèi)存

      TC-NCF是有凸塊的傳統(tǒng)多層DRAM間鍵合工藝，相比無(wú)凸塊的混合鍵合技術(shù)更為成熟，然而由于凸塊的存在，采用TC-NCF生產(chǎn)的同層數(shù)HBM內(nèi)存厚度會(huì)相應(yīng)增加。

      2024-04-19 標(biāo)簽：DRAM三星半導(dǎo)體HBM 999 0

      臺(tái)積電攜手創(chuàng)意電子，斬獲SK海力士HBM4芯片大單

      在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中，臺(tái)積電再次憑借其卓越的技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新能力，攜手旗下子公司創(chuàng)意電子，成功斬獲了SK海力士在下一代HBM4（High Band...

      2024-06-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體臺(tái)積電SK海力士 967 0

      SK海力士攜手臺(tái)積電，N5工藝打造高性能HBM4內(nèi)存

      在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天，SK海力士再次引領(lǐng)行業(yè)潮流，宣布將采用臺(tái)積電先進(jìn)的N5工藝版基礎(chǔ)裸片來(lái)構(gòu)建其新一代HBM4內(nèi)存。這一舉措不僅標(biāo)志著SK海力士...

      2024-07-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體臺(tái)積電內(nèi)存 958 0

      SK海力士與臺(tái)積電達(dá)成研發(fā)合作，推動(dòng)HBM4和下一代封裝技術(shù)發(fā)展?

      據(jù)協(xié)議內(nèi)容，雙方首先致力于提升 HBM 封裝中的基礎(chǔ)裸片（Base Die）性能。HBM 由多個(gè) DRAM 裸片（Core Die）堆疊在基礎(chǔ)裸片之上，...

      2024-04-19 標(biāo)簽：DRAM封裝gpu 947 0

      Rambus推出業(yè)界首款HBM4控制器IP

      Rambus Inc.，業(yè)界知名的芯片和半導(dǎo)體IP供應(yīng)商，近日宣布了一項(xiàng)重大突破：推出業(yè)界首款HBM4（High Bandwidth Memory 4，...

      2024-11-14 標(biāo)簽：IP內(nèi)存Rambus 944 0

      三星電子或2026年將HBM4基底技術(shù)生產(chǎn)外包給臺(tái)積電

      據(jù)媒體報(bào)道，摩根士丹利（大摩）的分析指出，三星電子預(yù)計(jì)將于2026年將其HBM4基底技術(shù)的生產(chǎn)外包給臺(tái)積電，并計(jì)劃采用12nm至6nm的先進(jìn)制程技術(shù)。同...

      2024-10-10 標(biāo)簽：三星電子臺(tái)積電HBM 930 0

      HBM4需求激增,英偉達(dá)與SK海力士攜手加速高帶寬內(nèi)存技術(shù)革新

      隨著生成式AI技術(shù)的迅猛發(fā)展和大模型參數(shù)量的急劇增加，對(duì)高帶寬、高容量存儲(chǔ)的需求日益迫切，這直接推動(dòng)了高帶寬內(nèi)存（HBM）市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)，并對(duì)HBM的性...

      2024-11-05 標(biāo)簽：內(nèi)存英偉達(dá)SK海力士 888 0

      SK海力士提前完成HBM4內(nèi)存量產(chǎn)計(jì)劃至2025年

      SK海力士宣布，計(jì)劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產(chǎn)品，而16層堆疊版本的推出將會(huì)稍后。根據(jù)該公司上月與臺(tái)積電簽署的HBM基...

      2024-05-06 標(biāo)簽：DRAMSK海力士HBM 883 0

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