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      SK海力士將采用臺積電7nm制程生產(chǎn)HBM4內(nèi)存基片

      微云疏影 ? 來源：綜合整理 ? 作者：綜合整理 ? 2024-04-23 16:41 ? 次閱讀

      據(jù)韓國媒體The Elec報道，預(yù)計(jì)SK海力士將在HBM4內(nèi)存基礎(chǔ)裸片部分采用臺積電7nm制程。值得注意的是，臺積電7nm系列產(chǎn)能正逐步轉(zhuǎn)向6nm生產(chǎn)模式，因此韓媒所提“7nm系”可理解為該生產(chǎn)線。

      HBM內(nèi)存基礎(chǔ)裸片即DRAM堆疊基座，兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內(nèi)存合作協(xié)議，首要任務(wù)便是提升HBM基礎(chǔ)邏輯芯片性能。

      SK海力士以往使用存儲半導(dǎo)體工藝制作HBM產(chǎn)品基礎(chǔ)裸片，但在HBM4項(xiàng)目中，臺積電將運(yùn)用先進(jìn)邏輯工藝為其代工，以實(shí)現(xiàn)更多功能及更高效率，滿足客戶對定制化HBM的需求。

      SK海力士計(jì)劃在2026年前實(shí)現(xiàn)HBM4內(nèi)存量產(chǎn)。然而，TrendForce集邦咨詢?nèi)ツ?1月曾預(yù)測HBM4基礎(chǔ)裸片將基于12nm工藝。

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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