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2025年4月，國(guó)際半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)組織JEDEC正式發(fā)布了新一代高帶寬內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)HBM4。HBM4在帶寬、通道數(shù)、電源效率等方面進(jìn)行了顯著改進(jìn)，將為生成式AI、高性能計(jì)算(HPC)、高端顯卡和服務(wù)器等領(lǐng)域帶來(lái)革命性的變化。

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hbm4資訊

美光發(fā)布HBM4與HBM4E項(xiàng)目新進(jìn)展

近日，據(jù)報(bào)道，全球知名半導(dǎo)體公司美光科技發(fā)布了其HBM4(High Bandwidth Memory 4，第四代高帶寬內(nèi)存)和HBM4E項(xiàng)目的最新研發(fā)進(jìn)...

2024-12-23 標(biāo)簽：接口內(nèi)存美光 872 0

三星電子組建HBM4獨(dú)立團(tuán)隊(duì)，力爭(zhēng)奪回HBM市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位

具體而言，現(xiàn)有的DRAM設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)將負(fù)責(zé)HBM3E內(nèi)存的進(jìn)一步研發(fā)，而三月份新成立的HBM產(chǎn)能質(zhì)量提升團(tuán)隊(duì)則專注于開(kāi)發(fā)下一代HBM內(nèi)存——HBM4。

2024-05-10 標(biāo)簽：DRAM SK海力士 HBM 870 0

SK海力士聯(lián)手臺(tái)積電推出HBM4，引領(lǐng)下一代DRAM創(chuàng)新

SK海力士表示，憑借其在AI應(yīng)用領(lǐng)域存儲(chǔ)器發(fā)展的領(lǐng)先地位，以及與臺(tái)積電在全球頂尖邏輯代工領(lǐng)域的深厚合作基礎(chǔ)，該公司有信心持續(xù)引領(lǐng)HBM技術(shù)創(chuàng)新。通過(guò)整合...

2024-04-19 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器晶圓代工 SK海力士 855 0

三星電子考慮采用1c nm DRAM裸片生產(chǎn)HBM4內(nèi)存

早前在Memcon 2024行業(yè)會(huì)議上，三星電子代表曾表示，該公司計(jì)劃在年底前實(shí)現(xiàn)對(duì)1c納米制程的大規(guī)模生產(chǎn)；而關(guān)于HBM4，他們預(yù)見(jiàn)在明年會(huì)完成研發(fā)，...

2024-05-17 標(biāo)簽：三星電子納米制程 HBM 830 0

HBM4為何備受存儲(chǔ)行業(yè)關(guān)注？

當(dāng)前，生成式人工智能已經(jīng)成為推動(dòng)DRAM市場(chǎng)增長(zhǎng)的關(guān)鍵因素，與處理器一起處理數(shù)據(jù)的HBM的需求也必將增長(zhǎng)。未來(lái)，隨著AI技術(shù)不斷演進(jìn)，HBM將成為數(shù)據(jù)中...

2023-12-02 標(biāo)簽：DRAM gpu 內(nèi)存 812 0

SK海力士、三星電子：HBM內(nèi)存供應(yīng)充足，明年HBM4將量產(chǎn)

這類內(nèi)存的售價(jià)遠(yuǎn)高于主流 DRAM，而由于制作 TSV 工藝的良率問(wèn)題，對(duì)晶圓的消費(fèi)量更是達(dá)到普通內(nèi)存的 2-3 倍。因此，內(nèi)存廠商需提高 HBM 產(chǎn)量...

2024-05-14 標(biāo)簽：DRAM 晶圓 SK海力士 801 0

Rambus宣布推出業(yè)界首款HBM4控制器IP，加速下一代AI工作負(fù)載

基于一百多項(xiàng)HBM成功設(shè)計(jì)案例，確保芯片一次流片成功在低延遲下提供超過(guò)HBM3兩倍的吞吐量，滿足生成式AI和高性能計(jì)算（HPC）工作負(fù)載的需求擴(kuò)展了...

2024-11-13 標(biāo)簽：Rambus HBM4 773 0

SK海力士提前一年量產(chǎn)HBM4E第七代高帶寬存儲(chǔ)器

據(jù)業(yè)內(nèi)人士預(yù)計(jì)，HBM4E的堆疊層數(shù)將增加到16~20層，而SK海力士原本計(jì)劃在2026年量產(chǎn)16層的HBM4產(chǎn)品。此外，該公司還暗示，有可能從HBM4...

2024-05-15 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 SK海力士 HBM 756 0

SK海力士加速HBM4E內(nèi)存研發(fā)，預(yù)計(jì)2026年面市

HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布，由于市場(chǎng)需求，SK海力士將提速研發(fā)進(jìn)程，預(yù)計(jì)最快在 2026 年推出 HBM4E 內(nèi)存在內(nèi)存帶寬上比 H...

2024-05-14 標(biāo)簽：DRAM SK海力士 HBM 738 0

英偉達(dá)向SK海力士提出提前供應(yīng)HBM4芯片要求

近日，韓國(guó)SK集團(tuán)會(huì)長(zhǎng)透露了一項(xiàng)重要信息，即英偉達(dá)公司的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK海力士提出了一項(xiàng)特殊的要求。黃仁勛希望SK海力士能夠提前六個(gè)月供應(yīng)其下一...

2024-11-05 標(biāo)簽：芯片計(jì)算機(jī)英偉達(dá) 733 0

SK海力士攜HBM4及面向AI的存儲(chǔ)器產(chǎn)品組合亮相2025國(guó)際電腦展

SK海力士于5月20日至23日舉辦的2025年臺(tái)北國(guó)際電腦展（COMPUTEX Taipei 2025，以下簡(jiǎn)稱COMPUTEX）上，展示了其涵蓋AI服...

2025-06-05 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 SK海力士 HBM 664 0

美光12層堆疊36GB HBM4內(nèi)存已向主要客戶出貨

隨著數(shù)據(jù)中心對(duì)AI訓(xùn)練與推理工作負(fù)載需求的持續(xù)增長(zhǎng)，高性能內(nèi)存的重要性達(dá)到歷史新高。Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，...

2025-06-18 標(biāo)簽：內(nèi)存美光 HBM4 662 0

Cadence推出HBM4 12.8Gbps IP內(nèi)存系統(tǒng)解決方案

近日，Cadence（NASDAQ：CDNS）近日宣布推出業(yè)界速度最快的 HBM4 12.8Gbps 內(nèi)存 IP 解決方案，以滿足新一代 AI 訓(xùn)練和 ...

2025-05-26 標(biāo)簽：控制器 Cadence 內(nèi)存 657 0

SK海力士和臺(tái)積電簽署諒解備忘錄目標(biāo)2026年投產(chǎn)HBM4

4 月 19 日消息，SK 海力士宣布和臺(tái)積電簽署諒解備忘錄（MOU），推進(jìn) HBM4 研發(fā)和下一代封裝技術(shù)，目標(biāo)在 2026 年投產(chǎn) HBM4。根據(jù)...

2024-04-20 標(biāo)簽：臺(tái)積電 SK海力士 CoWoS 272 0

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