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三星電子成功發布其首款12層堆疊HBM3E DRAM—HBM3E 12H
2024年2月27日 - 三星電子今日宣布,公司成功發布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H,這是三星目前為止容量最大的HBM產品。
據業界透露,三星電子、sk海力士等存儲半導體企業正在推進hbm生產線的擴張。兩家公司計劃到明年年底為止投資2萬億韓元以上,將目前hbm生產線的生產能力增...
9月4日,半導體行業傳來重要動態,SK海力士社長金柱善(Kim Ju Seon)在備受矚目的SEMICON 大師論壇上發表演講,分享了公司在高帶寬內存(...
來源:半導體芯科技編譯 業內率先推出8層垂直堆疊的24GB容量HBM3 Gen2,帶寬超過1.2TB/s,并通過先進的1β工藝節點實現“卓越功效”。 美...
據存儲器業內人士透露,隨著規格的升級,2025年HBM(高帶寬存儲器)價格預計將呈現上揚趨勢。這一預測基于HBM在高性能計算領域的廣泛應用及其不斷提升的...
據最新傳聞,英偉達正在籌劃發布兩款搭載HBM3E內存的新品——包括141GB HBM3E的H200 GPU及GH200超級芯片,這也進一步說明了對于HB...
SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上,由先進HBM技術團隊負責人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進展。SK海力士計劃從...
三星必須采取一些措施來提高其HBM產量......采用MUF技術對三星來說有點不得已而為之,因為它最終遵循了SK海力士首次使用的技術。
在以臺積電與三星代工為首的諸多企業中,長期以來,保持硅晶圓高效產出的良品率一直是個難題。然而,這個難關如今已經蔓延至HBM行業。
SK海力士與Amkor共同推動HBM與2.5D封裝技術的融合應用
7月17日,韓國財經媒體Money Today披露,半導體巨頭SK海力士正就硅中介層(Si Interposer)技術合作事宜,與業界領先的半導體封裝與...
韓國大型財團SK集團的董事長崔泰源在周一的采訪中透露,英偉達的首席執行官黃仁勛已向SK集團旗下的存儲芯片制造巨頭SK海力士提出要求,希望其能提前六個月推...
英偉達的圖形處理器(gpu)是高附加值產品,特別是high end h100車型的售價為每個6000萬韓元(約4.65萬美元)。英偉達將在存儲半導體領域...
英偉達對三星HBM3E進行測試,海力士仍穩坐HBM市場頭把交椅
現如今,SK海力士為英偉達AI半導體提供主要HBM產品,同時自去年起,美光公司也加入了該供應陣營。據悉,相比其他競爭對手,三星電子在HBM授權上大約晚了...
隨著三星電子定于10月8日發布第三季度初步財務報告,市場焦點轉向了其與SK海力士之間營業利潤的預期差距如何進一步拉大。 SK海力士因在高帶寬內...
HBM內存基礎裸片即DRAM堆疊基座,兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內存合作協議,首要任務便是提升HBM基礎邏輯芯片性能。
人工智能(AI)與機器學習(ML)正以前所未有的速度蓬勃發展,驅動著各行各業的革新。隨著模型復雜度與數據量的激增,實時處理海量數據的需求對底層硬件基礎設...
2025年DRAM展望:位元產出大增25%,HBM成新增長極但供應緊張
經歷2024年前三個季度的庫存消化和價格回升后,DRAM產業在第四季度的價格動能開始減弱。TrendForce集邦咨詢的資深研究副總吳雅婷指出,由于部分...
AI PC推動存儲規格升級 預期明年上半年DDR5將會超越DDR4
隨著三大國際DRAM廠商三星、SK海力士、美光科技擴大減產幅度,業內普遍認為,供給減少疊加AI帶動的需求擴大,存儲器市場有望揚升。
在半導體技術日新月異的今天,SK海力士再次站在了行業創新的前沿。據最新消息,該公司計劃于2026年在其高性能內存(High Bandwidth Memo...
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