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簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)高帶寬存儲(chǔ)器
HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲(chǔ)器,是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。其核心設(shè)計(jì)是通過...
三星否認(rèn)HBM芯片發(fā)熱問題,與全球合作伙伴開展測(cè)試
但三星電子發(fā)表聲明予以否認(rèn),堅(jiān)稱正與多家全球合作伙伴順利開展HBM芯片測(cè)試工作,并持續(xù)與其他商業(yè)伙伴緊密合作,保證產(chǎn)品質(zhì)量與可靠性。
NAND價(jià)格反彈?群聯(lián):有客戶接受30%至35%漲幅
郭明錤補(bǔ)充預(yù)計(jì),dram領(lǐng)域,美光最快2023年q4 2024年- q1開始得益于三種英特爾的新平臺(tái)Meteor Lake推動(dòng)DDR5滲透率的快速增長(zhǎng)推...
SK海力士宋清基TL榮庸發(fā)明日銅塔產(chǎn)業(yè)勛章
SK海力士宣布,5月19日于首爾COEX麻谷會(huì)展中心舉行的“第60屆發(fā)明日紀(jì)念儀式”上,來自HBM開發(fā)部門的宋清基TL榮庸銅塔產(chǎn)業(yè)勛章。
據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露,隨著人工智能(AI)服務(wù)器需求的激增,高帶寬內(nèi)存(HBM)的價(jià)格開始上漲。
SK海力士與英偉達(dá)加速HBM研發(fā),供應(yīng)量已敲定
在2025年國(guó)際消費(fèi)類電子產(chǎn)品展覽會(huì)(CES 2025)期間,韓國(guó)SK集團(tuán)會(huì)長(zhǎng)崔泰源透露了與英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛的會(huì)面細(xì)節(jié)。雙方就高帶寬存儲(chǔ)器(HBM...
三星電子或向英偉達(dá)供應(yīng)先進(jìn)HBM
近日,韓國(guó)三星電子公司透露了一個(gè)引人矚目的消息,有可能在不久的將來向美國(guó)的人工智能巨頭英偉達(dá)提供其先進(jìn)的高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)。這一消息無(wú)疑為科技界帶來...
SK海力士預(yù)計(jì)今年 HBM 芯片出貨量 2030 年可達(dá) 1 億顆
11 月 14 日消息,SK 海力士副會(huì)長(zhǎng)兼聯(lián)席 CEO 樸正浩透露,今年公司高帶寬內(nèi)存(HBM)出貨量大幅增加,預(yù)計(jì)到 2030 年將達(dá)到每年 1 億...
2024全球芯片公司NVIDIA居首 英飛凌、意法半導(dǎo)體跌出前十
5月13日消息,根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Omdia的報(bào)告,2024年全球芯片市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到了6830億美元,較2023年增長(zhǎng)了25%。 這一增長(zhǎng)主要得益于AI相關(guān)...
2025-05-15 標(biāo)簽:英飛凌NVIDIA意法半導(dǎo)體 524 0
HBM重構(gòu)DRAM市場(chǎng)格局,2025年首季DRAM市占排名
一季度在AI服務(wù)器保持穩(wěn)健推動(dòng)對(duì)服務(wù)器DRAM需求,PC和移動(dòng)需求復(fù)蘇力度也較預(yù)期更為明顯,此外疊加關(guān)稅觸發(fā)的部分補(bǔ)庫(kù)存需求的共同影響下,2025年一季...
SK海力士強(qiáng)化HBM業(yè)務(wù)實(shí)力的戰(zhàn)略規(guī)劃
隨著人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展,作為其核心支撐技術(shù)的高帶寬存儲(chǔ)器(以下簡(jiǎn)稱HBM)實(shí)現(xiàn)了顯著的增長(zhǎng),為SK海力士在去年實(shí)創(chuàng)下歷史最佳業(yè)績(jī)做出了不可或缺的重要...
三星將未來存儲(chǔ)業(yè)務(wù)重心放在企業(yè)市場(chǎng)
5月8日,據(jù)最新消息,三星在近期的財(cái)報(bào)電話會(huì)議中宣布,其存儲(chǔ)業(yè)務(wù)將逐漸轉(zhuǎn)向關(guān)注于企業(yè)市場(chǎng),如HBM、DDR5服務(wù)器內(nèi)存以及企業(yè)級(jí)SSD等產(chǎn)品線。
美國(guó)或?qū)⑦M(jìn)一步收緊技術(shù)對(duì)華出口
據(jù)百能云芯電.子元器.件商.城了解,美國(guó)政府正考慮深化對(duì)華出口管制措施,旨在阻礙中國(guó)獲取先進(jìn)的全柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GAA)技術(shù)及高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)技術(shù)...
2024-06-12 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管HBMGAA 474 0
美東時(shí)間周二盤后,AMD發(fā)布二季度業(yè)績(jī)報(bào)告,公司營(yíng)收和利潤(rùn)均超出分析師預(yù)期。
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