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盡管面對AI熱潮及HBM需求的飆升,三星電子仍未與英偉達達成HBM芯片供應協議。分析指出,其堅持使用熱壓非導電薄膜(TC NCF)制程,可能導致產能問題。
近日,三星電子宣布組建了一支由精英工程師組成的新團隊,專注于HBM(高帶寬內存)的研發和生產。這一舉措被看作是三星為確保與英偉達達成數十億美元的重大合約...
近日,SK海力士與臺積電宣布達成合作,計劃量產下一代HBM(高帶寬內存)。在這項合作中,臺積電將主導基礎芯片的前端工藝(FEOL)和后續布線工藝(BEO...
SK海力士正全力開發HBM4E存儲設備,意欲打造集計算、緩存和網絡存儲于一身的新型HBM產品,進而提升性能與數據傳輸速率。
三星電子公司近日宣布了一項重要計劃,即今年將全面啟動其第五代高帶寬存儲器(HBM)芯片HBM3e的量產工作,并預期這一先進產品將顯著提升公司的營收貢獻。...
在8月1日公布的最新財報中,三星電子再次展示了其在高帶寬內存(HBM)領域的強勁表現。數據顯示,三星第二季度HBM銷售額同比大幅增長超過50%,營業利潤...
擔任分析師職務的人員對于HBM的面貌做出解釋,指出與同等容量和制程的 DDR5比較,HBM雖然能提供更大的尺寸儲存空間,然而其良品率卻相對較低,普遍低2...
SK海力士作為半導體行業的領軍企業,正積極響應市場需求的變化,并敏銳地把握住了高帶寬內存(HBM)市場的增長潛力。隨著數據處理速度需求的提升,HBM以其...
隨著ai產業的增長,hbm需求劇增,sk海力士不得不增加人力和生產。hbm存儲器是將多個dram芯片垂直堆疊起來,因此封裝技術的防熱性能也是重要因素。
在半導體技術日新月異的今天,三星電子再次展現了其作為行業領導者的前瞻視野與戰略布局。據韓國媒體最新報道,三星電子已正式啟動了組織重組計劃,旨在通過整合與...
市場調研機構集邦科技對HBM(高帶寬存儲器)的長期發展持樂觀態度。據其預測,明年HBM3e將占據整體HBM市場的近九成份額,這將推動HBM產品的平均售價...
年初之際,SK海力士收到了來自前沿人工智能(AI)加速器制造商A公司的慷慨提議:“我們愿預付超5000億韓元,誠邀您打造專屬存儲半導體生產線。”這一提議...
美光指出,專為AI、超級計算機設計的HBM3E預計2024年初量產,有望于2024會計年度創造數億美元的營收。Mehrotra對分析師表示,“2024年...
早在2019年,SK海力士便宣布了這一宏偉計劃,然而因許可等問題,開發工作曾遭遇延誤。2022年,經過與中央及地方政府以及企業的協商,項目方略獲得重大突破。
SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領域領導地位方面,HBM1無疑發揮了決定性作用。無論是率先開發出全球首款最高性能的HBM,還是確立并保持其在面向AI的...
據多位知情人士透露,面對美國可能加強對華芯片出口的限制,中國科技巨頭如百度、多家大型企業及初創企業正積極囤積三星電子生產的高帶寬存儲器(HBM)芯片,以...
據業內人士預計,HBM4E的堆疊層數將增加到16~20層,而SK海力士原本計劃在2026年量產16層的HBM4產品。此外,該公司還暗示,有可能從HBM4...
早在今年3月份,韓國媒體DealSite報道中指出,全球HBM存儲器的平均良率約為65%。據此來看,SK海力士在近期對HBM3E存儲器的生產工藝進行了顯著提升。
近日,全球領先的HBM內存制造商之一——美光宣布,其位于新加坡的HBM內存先進封裝工廠項目已于當地時間今日正式破土動工。這座工廠預計將于2026年正式投...
SK 海力士新設AI芯片開發和量產部門,任命首席開發官及首席生產官
據 Businesses Korea 報道,SK 海力士宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構優化。本次調整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2...
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