SK海力士HBM3E內(nèi)存良率已達80%
據(jù)了解，SK 海力士生產(chǎn)主管 Kwon Jae-soon近日向《金融時報》透露，其HBM3E存儲器的良率已接近80%。
相較于常規(guī)DRAM，HBM制造過程更為復(fù)雜，需在DRAM層間建立TSV硅通孔并進行多次芯片鍵合，一旦某層DRAM出現(xiàn)故障，則整組HBM都要作廢處理。這使得HBM，特別是多層堆疊的HBM3E產(chǎn)品在良率上相對DRAM較低。
早在今年3月份，韓國媒體DealSite報道中指出，全球HBM存儲器的平均良率約為65%。據(jù)此來看，SK海力士在近期對HBM3E存儲器的生產(chǎn)工藝進行了顯著提升。
Kwon Jae-soon還表示，SK海力士已經(jīng)將HBM3E的生產(chǎn)周期縮短了50%。這意味著更高的生產(chǎn)效率，能為下游客戶如英偉達提供更穩(wěn)定的供應(yīng)。他進一步強調(diào)，今年SK海力士的主要任務(wù)是生產(chǎn)8層堆疊的HBM3E，因為此規(guī)格是當前市場需求的主流。
Kwon Jae-soon表示：“在人工智能時代，提高產(chǎn)量對于保持領(lǐng)先地位至關(guān)重要。”
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
存儲器
+關(guān)注
關(guān)注
38文章
7633瀏覽量
166392 -
SK海力士
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
990瀏覽量
39309 -
HBM
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
407瀏覽量
15104
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
風景獨好？12層HBM3E量產(chǎn)，16層HBM3E在研，產(chǎn)業(yè)鏈涌動
海力士宣布公司已開始量產(chǎn)12H HBM3E芯片，實現(xiàn)了現(xiàn)有HBM產(chǎn)品中最大的36GB容量。該產(chǎn)品堆疊12顆3GB DRAM芯片，實現(xiàn)與現(xiàn)有的8層產(chǎn)品相同的厚度，同時容量提升50%。運行
SK海力士加速16Hi HBM3E內(nèi)存量產(chǎn)準備
近日，SK海力士正全力加速其全球首創(chuàng)的16層堆疊(16Hi)HBM3E內(nèi)存的量產(chǎn)準備工作。這一創(chuàng)新產(chǎn)品的全面生產(chǎn)測試已經(jīng)正式啟動，為明年初的樣品出樣乃至2025年上半年的大規(guī)模量產(chǎn)與供
SK海力士發(fā)布HBM3e 16hi產(chǎn)品
在近日舉辦的SK AI Summit 2024活動中，SK hynix（SK海力士）透露了一項令人矚目的新產(chǎn)品計劃。據(jù)悉，該公司正在積極開發(fā)HBM3
SK海力士展出全球首款16層HBM3E芯片
在近日舉行的SK AI峰會上，韓國存儲巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一產(chǎn)品的推出，標志著SK
SK海力士推出48GB 16層HBM3E產(chǎn)品
近日在一次科技展覽上，SK海力士驚艷亮相，展出了全球首款48GB 16層HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)產(chǎn)品。這一突破性產(chǎn)品不僅展示了
SK海力士HBM生產(chǎn)效率驚人,或引領(lǐng)存儲器市場格局轉(zhuǎn)變
在9月25日（當?shù)貢r間）于美國加利福尼亞州圣克拉拉會議中心舉行的一場半導(dǎo)體行業(yè)盛會上，SK海力士發(fā)布的一項關(guān)于其高帶寬內(nèi)存（HBM）的驚人數(shù)據(jù)——“TAT 8.8:1”引起了廣泛關(guān)注。
SK海力士12層堆疊HBM3E率先量產(chǎn)
SK海力士近日宣布了一項重大突破，公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實現(xiàn)12層堆疊HBM3E的量產(chǎn)，這一里程碑式的成就標志著其在高端存儲技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先地位。這款新品不僅將HBM產(chǎn)品的容量提
SK海力士引領(lǐng)未來:全球首發(fā)12層HBM3E芯片,重塑AI存儲技術(shù)格局
今日，半導(dǎo)體巨頭SK海力士震撼宣布了一項業(yè)界矚目的技術(shù)里程碑，該公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實現(xiàn)12層HBM3E芯片的規(guī)模化生產(chǎn)，此舉不僅將HBM存儲器的最大容量推升至史無前例的36GB
SK海力士開始先進人工智能芯片生產(chǎn)
SK海力士宣布，公司已正式踏入人工智能芯片生產(chǎn)的新階段，批量生產(chǎn)業(yè)界領(lǐng)先的12層HBM3E芯片。這款芯片不僅代表了SK海力士在
SK海力士9月底將量產(chǎn)12層HBM3E高性能內(nèi)存
自豪地宣布，SK 海力士當前市場上的旗艦產(chǎn)品——8層HBM3E，已穩(wěn)坐行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位，而更進一步的是，公司即將在本月底邁入一個新的里程碑，正式啟動12層HBM3E的量產(chǎn)。這一舉措不僅鞏固
三星HBM3E內(nèi)存挑戰(zhàn)英偉達訂單,SK海力士霸主地位受撼動
進入八月，市場傳言四起，韓國存儲芯片巨頭三星電子（簡稱“三星”）的8層HBM3E內(nèi)存（新一代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品）已順利通過英偉達嚴格測試。然而，三星迅速澄清，表示這一報道與事實相去甚遠，強調(diào)目前質(zhì)量測試
SK海力士攜手臺積電，N5工藝打造高性能HBM4內(nèi)存
在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天，SK海力士再次引領(lǐng)行業(yè)潮流，宣布將采用臺積電先進的N5工藝版基礎(chǔ)裸片來構(gòu)建其新一代HBM4內(nèi)存。這一舉措不僅標志著SK
美光HBM市場雄心勃勃，SK海力士加速應(yīng)對挑戰(zhàn)
雄心勃勃的宣言無疑給當前HBM市場的兩大主要競爭對手——SK海力士和三星帶來了不小的競爭壓力，尤其是SK海力士，作為韓國DRAM行業(yè)的領(lǐng)軍企
SK海力士5層堆疊3D DRAM制造良率已達56.1%
在全球半導(dǎo)體技術(shù)的激烈競爭中，SK海力士再次展示了其卓越的研發(fā)實力與創(chuàng)新能力。近日，在美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，SK海力士宣布了其在
SK海力士擴大1b nm DRAM產(chǎn)能以應(yīng)對HBM3E需求
據(jù)韓國媒體報道，為了應(yīng)對市場對高性能HBM3E（高帶寬內(nèi)存第三代增強版）內(nèi)存的激增需求，全球知名半導(dǎo)體制造商SK海力士已決定大幅增加其1b
工商網(wǎng)監(jiān)
評論