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7月12日,隨著人工智能技術的日新月異,作為其核心技術支撐的高頻寬存儲器(HBM)正成為市場關注的焦點,供不應求的態勢愈發明顯。面對這一挑戰,存儲器行業...
尤其值得關注的是,HBM3E系目前最具頂級性能的存儲器,由SK海力士于去年8月成功研發。公司預計自今明兩年起實現此類產品的大量生產,并向廣泛的AI科技企業供應。
在近日舉行的SK AI峰會上,韓國存儲巨頭SK海力士向全球展示了其創新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產品。這一產品的推出,標志著SK海力士在...
在人工智能與大數據驅動的時代浪潮中,SK海力士正以前所未有的速度調整戰略,全力擁抱高帶寬內存(HBM)市場的蓬勃機遇。據韓國權威媒體最新報道,SK海力士...
早前在Memcon 2024行業會議上,三星電子代表曾表示,該公司計劃在年底前實現對1c納米制程的大規模生產;而關于HBM4,他們預見在明年會完成研發,...
就此,知情人士指出,三星此舉體現出該公司提升HBM良率的決心。對此,一家行業分析機構表示,考慮到AI行業對HBM3及HBM3E芯片需求日益增長,三星有必...
存儲芯片行業的領軍者美光科技,最近發布了其第二財季的業績報告,業績數據亮眼,顯示出強勁的增長勢頭。據報告,截至2024年2月底,美光科技的季度營收達到了...
三星電子近日宣布,其高帶寬內存(HBM)產品正在與全球多家合作伙伴進行順利的供應測試。這一進展標志著三星在半導體領域的持續努力與投入取得了積極成果。
據業內人士透露,三星電子已對其2025年底的高帶寬內存(HBM)最大產能目標進行了調整,下調幅度超過10%,從原先計劃的每月20萬顆減至17萬顆。這一變...
在全球科技產業的快速發展浪潮中,存儲器產業正迎來前所未有的繁榮期。據知名研究機構TrendForce集邦咨詢最新發布的存儲器產業分析報告顯示,受多重利好...
1月2日消息,韓媒報道,NVIDIA已經向SK海力士、鎂光,交付了700億至1萬億韓元(約合5.4億至7.7億美元)的預付款,業內預計了這筆款項在10....
慶桂顯此行主要推廣三星的HBM內存,并探索AI合作可能性。然而,由于此前在HBM策略上出現失誤,三星已被競爭對手SK海力士超越;位于第三位的美光近年來也...
隨著SEMICON Taiwan 2015落幕,大致上可以看到臺灣半導體產業幾個重要的發展方向,像是7奈米制程方面的討論、材料與制程設備的導入等。不過,...
三星澄清:未采用MR-MUF工藝,持續創新引領HBM芯片技術
近期,針對三星是否在其高帶寬內存(HBM)芯片生產中采用了MR-MUF(Magnetic RAM based Multi-Level Unified M...
HBM4 預計將于 2026 年推出,具有針對英偉達和其他 CSP 未來產品量身定制的增強規格和性能。在更高速度的推動下,HBM4 將標志著其最底部邏輯...
2023-11-28 標簽:存儲芯片Nand flash英偉達 835 0
依照測試結果,三星認為MUF并不適應于HBM,但對于3DS RDIMM卻具有極高的適用性。目前,3DS RDIMM使用的是硅通孔(TSV)技術,主要服務...
美光科技適度調整了2024年的資本開支預估,加大對高帶寬存儲(HBM)半導體生產線的投入力度,以迎合人工智能(AI)領域日益旺盛的需求。
近日,三星電子最新的高帶寬內存(HBM)芯片在英偉達測試中遭遇挫折。據知情人士透露,芯片因發熱和功耗問題未能達標,影響到了其HBM3及下一代HBM3E芯片。
據業內消息,美光科技預計今年將繼續積極擴大其DRAM產能,與去年相似。得益于美國政府確認的巨額補貼,美光近期將具體落實對現有DRAM工廠進行改造的投資計...
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