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SK海力士李康旭副社長成為首位榮獲“IEEE-EPS年度大獎”的韓國人
SK海力士31日宣布,本公司PKG開發(fā)擔(dān)當(dāng)副社長李康旭于30日(美國時間)在美國科羅拉多州丹佛市舉行的“電氣與電子工程師協(xié)會-電子封裝學(xué)會(IEEE-E...
三星電子近期計劃設(shè)立專門的HBM(高帶寬存儲器)開發(fā)辦公室,旨在進(jìn)一步強(qiáng)化其在HBM領(lǐng)域的競爭力。目前,關(guān)于新設(shè)辦公室的具體團(tuán)隊規(guī)模尚未明確,但業(yè)界普遍...
臺積電供應(yīng)不足,三星將為AMD提供封裝服務(wù)
三星的第四代hbm3芯片和成套服務(wù)最近通過了amd的質(zhì)量測試,amd計劃將該芯片和服務(wù)用于本公司的mi300x加速器。instintmi300x結(jié)合了中...
北醒全球首條256線車規(guī)激光雷達(dá)的產(chǎn)線即將投入量產(chǎn),禾賽科技第三季度營收 4.5 億元
【美國普渡大學(xué):新噴涂技術(shù)可將衣服變成運(yùn)動傳感器】 美國普渡大學(xué)科學(xué)家開發(fā)出一種新型噴涂裝置,以及柔性且導(dǎo)電的聚合物,利用該裝置將聚合物噴涂到任何衣服上...
2023-11-15 標(biāo)簽:激光雷達(dá)運(yùn)動傳感器HBM 1243 0
sk海力士負(fù)責(zé)市場營銷的管理人員表示:“一臺ai服務(wù)器至少需要500gb的hbm高帶寬內(nèi)存和2tb的ddr5內(nèi)存。人工智能是拉動內(nèi)存需求的強(qiáng)大力量?!眘...
消息稱三星Q2供應(yīng)超微HBM3E 下半年啟動大規(guī)模量產(chǎn)
HBM,即高帶寬內(nèi)存,以其獨(dú)特的“樓房設(shè)計”概念,打破了傳統(tǒng)DDR內(nèi)存的設(shè)計局限,憑借出色的性能在市場中贏得了廣泛認(rèn)可。
2024-04-15 標(biāo)簽:DDR內(nèi)存HBM三星 1234 0
DRAM產(chǎn)業(yè)在生成式AI中受益匪淺,未來DRAM產(chǎn)業(yè)格局將發(fā)生重大變化。
2023-11-25 標(biāo)簽:DRAM存儲芯片機(jī)器學(xué)習(xí) 1233 0
三星從日本訂購大量2.5D封裝設(shè)備,預(yù)計將為英偉達(dá)代工
據(jù)悉,三星很有可能將這些裝置作為2.5d包使用在nvidia ai gpu和hbm3芯片上。根據(jù)Shinkawa的訂單結(jié)構(gòu)分析,如果英偉達(dá)的訂單增加,三...
三星否認(rèn)MR-RUF方式用于HBM內(nèi)存生產(chǎn)
實現(xiàn)HBM的關(guān)鍵所在為多層DRAM堆疊,市場主要采用兩種鍵合作程: SK海力士旗下的MR-RUF與三星的TC-NCF方案。前者為反流焊接粘附DRAM,后...
SK海力士HBM生產(chǎn)效率驚人,或引領(lǐng)存儲器市場格局轉(zhuǎn)變
在9月25日(當(dāng)?shù)貢r間)于美國加利福尼亞州圣克拉拉會議中心舉行的一場半導(dǎo)體行業(yè)盛會上,SK海力士發(fā)布的一項關(guān)于其高帶寬內(nèi)存(HBM)的驚人數(shù)據(jù)——“TA...
在近期舉行的一場發(fā)布會上,南亞科技總經(jīng)理李培瑛為市場帶來了一劑強(qiáng)心針,他表示隨著客戶庫存的逐步消化以及高帶寬內(nèi)存(HBM)需求的持續(xù)升溫,南亞科技預(yù)計在...
HBM 對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的影響1. HBM 的核心工藝在于硅通孔技術(shù)(TSV)和堆疊鍵合技術(shù) 硅通孔:TSV(Through-Silicon Via) 是...
三星與SK海力士加速移動內(nèi)存堆疊技術(shù)量產(chǎn)
隨著人工智能在智能手機(jī)、筆記本等移動設(shè)備上的廣泛應(yīng)用,端側(cè)AI已經(jīng)成為行業(yè)熱議的焦點(diǎn)。為了支持端側(cè)運(yùn)行模型的高效運(yùn)行,移動DRAM的性能要求也在不斷提升。
據(jù)之前所披露的詳細(xì)數(shù)據(jù),英偉達(dá)HGX H20雖屬與H100和H200同系列,共享英偉達(dá)Hopper架構(gòu),但擁有高達(dá)96GB的HBM3顯存及4.0TB/s...
成都匯陽投資關(guān)于跨越帶寬增長極限,HBM 賦能AI新紀(jì)元
? ? ?【AI 時代新需求,HBM 應(yīng)運(yùn)而生】 隨著人工智能技術(shù)的快速發(fā)展,傳統(tǒng)的 GDDR 內(nèi)存逐漸達(dá)到其技術(shù)發(fā)展的瓶頸: 1)GDDR5 無法跟上...
SK海力士擴(kuò)產(chǎn)1b DRAM,引領(lǐng)存儲行業(yè)新熱潮
在6月17日傳來的最新消息中,全球知名的半導(dǎo)體制造商SK海力士正積極布局,大力擴(kuò)展其第5代1b DRAM的生產(chǎn)規(guī)模。這一舉措旨在應(yīng)對日益增長的高帶寬內(nèi)存...
瑞銀集團(tuán)最新報告指出,SK海力士的HBM4芯片預(yù)計從2026年起,每年將貢獻(xiàn)6至15億美元的營收。作為高帶寬內(nèi)存(HBM)市場的領(lǐng)軍企業(yè),SK海力士已在...
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