SK海力士31日宣布，本公司PKG開發(fā)擔(dān)當(dāng)副社長李康旭于30日(美國時(shí)間)在美國科羅拉多州丹佛市舉行的“電氣與電子工程師協(xié)會(huì)-電子封裝學(xué)會(huì)(IEEE-EPS)2024年度大獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)盛典上，榮獲“電子制造技術(shù)獎(jiǎng)(Electronics Manufacturing Technology Award)”，成為首位獲此殊榮的韓國人。

頒獎(jiǎng)典禮由國際電氣電子工程領(lǐng)域最權(quán)威機(jī)構(gòu)——電氣與電子工程師協(xié)會(huì)下屬的電子封裝學(xué)會(huì)主辦，是一年一度的業(yè)界盛事。作為學(xué)會(huì)年度大獎(jiǎng)，“電子制造技術(shù)獎(jiǎng)”授予在電子及半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域取得卓越成就的從業(yè)者，自1996年宣布首位獲獎(jiǎng)?wù)咭詠恚羁敌窀鄙玳L成為首位獲此殊榮的韓國人。

電子封裝學(xué)會(huì)表示，李副社長在全球?qū)W術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界從事3D封裝1及集成電路領(lǐng)域的研究開發(fā)工作超過20年，對(duì)推動(dòng)用于AI的存儲(chǔ)器高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)的研發(fā)及其制造技術(shù)的進(jìn)步做出了重大貢獻(xiàn)。

13D封裝：一種將芯片垂直互聯(lián)，使芯片之間能夠直接進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆庋b方式，硅通孔（TSV，Through Silicon Via）技術(shù)是其中有代表性技術(shù)。

作為半導(dǎo)體封裝技術(shù)專家，李副社長于2000年在日本東北大學(xué)憑借其在“用于集成微系統(tǒng)的三維集成技術(shù)(Three-dimensional Integration Technology for Integrated Micro-System)”領(lǐng)域的研究成果取得博士學(xué)位，隨后成為美國倫斯勒理工學(xué)院的博士后研究員，并曾在日本東北大學(xué)出任教授。自2018年起，他在SK海力士擔(dān)任晶圓級(jí)封裝(WLP，Wafer Level Package)部門負(fù)責(zé)人，主導(dǎo)了HBM產(chǎn)品所需封裝技術(shù)的開發(fā)工作。

特別值得關(guān)注的是，李副社長在2019年開發(fā)第三代HBM產(chǎn)品HBM2E的過程中，成功引入了批量回流模制底部填充(MR-MUF，Mass Reflow Molded Underfill)2的創(chuàng)新封裝技術(shù)，幫助SK海力士在HBM市場(chǎng)上奪得了領(lǐng)先地位，為公司成為用于AI的存儲(chǔ)器市場(chǎng)的全球領(lǐng)導(dǎo)者發(fā)揮了關(guān)鍵作用。

2批量回流模制底部填充（MR-MUF，Mass Reflow Molded Underfill）：是一種在堆疊半導(dǎo)體芯片間隙注入液態(tài)保護(hù)材料，并通過融化芯片間的凸塊使其相互連接的工藝。相比于在每層芯片堆疊時(shí)使用膜狀材料的方法，該技術(shù)更高效且散熱效果更好。

李副社長表示：“我很高興獲得這個(gè)殊榮，這代表著SK海力士在HBM領(lǐng)域取得的杰出成就得到了正式認(rèn)可。”他還說：“隨著AI時(shí)代的全面到來， 先進(jìn)封裝的作用也變得愈加重要，我們將一如既往地為推進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新竭盡全力。”

審核編輯：劉清